JPH03222460A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH03222460A JPH03222460A JP1977590A JP1977590A JPH03222460A JP H03222460 A JPH03222460 A JP H03222460A JP 1977590 A JP1977590 A JP 1977590A JP 1977590 A JP1977590 A JP 1977590A JP H03222460 A JPH03222460 A JP H03222460A
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- Japan
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- fuse
- cross
- alignment
- check
- cut
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にレーザートリ
ミング用アライメントチェックパターンに関する。
ミング用アライメントチェックパターンに関する。
従来の半導体集積回路装置において、レーザービームで
所定のヒユーズを切断するレーザートリミング時のヒユ
ーズのアライメントチェックは、通常実際のヒユーズ方
向に応じて一方向のみで行われ、またレーザートリミン
グ後もヒユーズが適切な状態で切断されているかどうか
を検出する為のチェックパターンは存在していなかった
。通常は切断すべきヒユーズそのものを使用してアライ
メントを行っていた。
所定のヒユーズを切断するレーザートリミング時のヒユ
ーズのアライメントチェックは、通常実際のヒユーズ方
向に応じて一方向のみで行われ、またレーザートリミン
グ後もヒユーズが適切な状態で切断されているかどうか
を検出する為のチェックパターンは存在していなかった
。通常は切断すべきヒユーズそのものを使用してアライ
メントを行っていた。
上述した従来のアライメント方式では、実際のヒユーズ
が全て同一の方向である場合には、はとんど問題となら
ないが、マスクレイアウト上の都合などの為にヒユーズ
の向きが、2方向混在した場合は、ヒユーズを切断する
時の照準合わせが十分に行なえないという欠点がある。
が全て同一の方向である場合には、はとんど問題となら
ないが、マスクレイアウト上の都合などの為にヒユーズ
の向きが、2方向混在した場合は、ヒユーズを切断する
時の照準合わせが十分に行なえないという欠点がある。
また、ヒユーズの切断は、照準以外にも、レーザーのビ
ーム径とパワーによっても左右されるが、従来は、トリ
ミング後に実際にヒユーズが切断されているかどうかを
チェックする為のチェックパターンが存在していなかっ
た。従って従来の冗長回路を有する半導体集積回路装置
ではトリミング結果の適否のチェックが困難となるとい
う欠点があり、ひいては歩留りにも大きな影響を及ぼし
ていた。
ーム径とパワーによっても左右されるが、従来は、トリ
ミング後に実際にヒユーズが切断されているかどうかを
チェックする為のチェックパターンが存在していなかっ
た。従って従来の冗長回路を有する半導体集積回路装置
ではトリミング結果の適否のチェックが困難となるとい
う欠点があり、ひいては歩留りにも大きな影響を及ぼし
ていた。
本発明は、冗長回路用のヒユーズを有する半導体集積回
路装置において、前記ヒユーズと材質が同一で線幅が高
々同一の十字状配線の先端に導通チェック用のパッドを
有してなるレーザートリミング用アライメントチェック
パターンを備えているというものである。
路装置において、前記ヒユーズと材質が同一で線幅が高
々同一の十字状配線の先端に導通チェック用のパッドを
有してなるレーザートリミング用アライメントチェック
パターンを備えているというものである。
第1図は本発明の実施例1を示す平面図である。
11はヒユーズと材質及び線幅が同一の十字状配線で、
−mにポリシリコンもしくはシリサイドによって構成さ
れる。12a〜12dは十字状配線の先端の導通チェッ
ク用のパッドで、AIIもしくはAfi系合金によって
構成される。13a〜13dは十字状配線11とパッド
12a〜12dをそれぞれ接続する為のコンタクトホー
ルである。14a〜14dはパッド部及び十字状配線中
央部上のカバー絶縁膜の穴(カバーホール)を示す。十
字状配線11の十字の中心はアライメント用の照準とな
るとともにファーストヒユーズ(−番最初に切断するヒ
ユーズ)として使用する。十字の中心部が適切に切断さ
れていれば、4つのパッドは互いに導通しなくなるので
、それを実際のヒユーズカット後に確認することができ
る。
−mにポリシリコンもしくはシリサイドによって構成さ
れる。12a〜12dは十字状配線の先端の導通チェッ
ク用のパッドで、AIIもしくはAfi系合金によって
構成される。13a〜13dは十字状配線11とパッド
12a〜12dをそれぞれ接続する為のコンタクトホー
ルである。14a〜14dはパッド部及び十字状配線中
央部上のカバー絶縁膜の穴(カバーホール)を示す。十
字状配線11の十字の中心はアライメント用の照準とな
るとともにファーストヒユーズ(−番最初に切断するヒ
ユーズ)として使用する。十字の中心部が適切に切断さ
れていれば、4つのパッドは互いに導通しなくなるので
、それを実際のヒユーズカット後に確認することができ
る。
なお、十字状配線の線幅は、照準としての精度を十分に
確保するため高々冗長回路用のヒユーズの幅と同じにし
ておく。
確保するため高々冗長回路用のヒユーズの幅と同じにし
ておく。
第2図は本発明の実施例2を示す平面図である。
この実施例では、十字状配線21の中央部をくびれさせ
であるため、より中心に照準を合わせやずくなっている
という利点がある。
であるため、より中心に照準を合わせやずくなっている
という利点がある。
以上説明したように本発明は、十字状のレーザーアライ
メント用チェックパターンを設けることにより、正確な
アライメントと同時に、アライメント後のヒユーズカッ
トチェックができるので、冗長回路のトリミングが正確
に行え、歩留向上に寄与するという効果がある。
メント用チェックパターンを設けることにより、正確な
アライメントと同時に、アライメント後のヒユーズカッ
トチェックができるので、冗長回路のトリミングが正確
に行え、歩留向上に寄与するという効果がある。
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の実施例1及び2を
示す平面図である。 11.21・・・十字状配線、12a〜12d。 22 a 〜22 d−・・パッド、13a 〜13d
、23a〜23d、、、コンタクトホール、14a〜1
4d。 24a〜24d・・・カバーホール。
示す平面図である。 11.21・・・十字状配線、12a〜12d。 22 a 〜22 d−・・パッド、13a 〜13d
、23a〜23d、、、コンタクトホール、14a〜1
4d。 24a〜24d・・・カバーホール。
Claims (1)
- 冗長回路用のヒューズを有する半導体集積回路装置にお
いて、前記ヒューズと材質が同一で線幅が高々同一の十
字状配線の先端に導通チェック用のパッドを有してなる
レーザートリミング用アライメントチェックパターンを
備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977590A JPH03222460A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977590A JPH03222460A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03222460A true JPH03222460A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=12008709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1977590A Pending JPH03222460A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03222460A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784516B1 (en) * | 2000-10-06 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Insulative cap for laser fusing |
KR100752662B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈를 포함하는 반도체소자 및 그 퓨즈의 절단 확인방법 |
KR100809708B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 레이저 얼라인먼트 모니터링 퓨즈 구조 및 이를 구비한반도체 소자 및 레이저 얼라인먼트 모니터링회로 |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP1977590A patent/JPH03222460A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784516B1 (en) * | 2000-10-06 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Insulative cap for laser fusing |
KR100752662B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈를 포함하는 반도체소자 및 그 퓨즈의 절단 확인방법 |
KR100809708B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 레이저 얼라인먼트 모니터링 퓨즈 구조 및 이를 구비한반도체 소자 및 레이저 얼라인먼트 모니터링회로 |
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