JPS6284521A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置とその製造方法、特に、半導体基板
上に溶断可能なフューズ膜を有する半導体装置およびそ
の製造方法に関する。

（従来の技術） 第３図は第４図は従来の半導体装置を示す図であり、図
中１は半導体基板を示している。半導体基板１上にはフ
ィールド酸化膜２が横１−されておシ、フィールド酸化
膜２上には所定パターンのフユーズ膜３がポリシリコン
または各看プレートで形成されている。フェーズ膜３は
中央部を除き絶Ｍｄ４で被われており、絶縁膜４上には
、スルーホール５．６を通ってフユーズ膜３の両端部に
それぞれ接続された配線７，８が延在している。配線７
，８はフユーズ膜３の中央部を除き保護膜９で被われて
おり、その結果、７ユーズ膜３の中央部は開口１０によ
り露出されている。

上記博成に係わる半導体装置のフユーズ膜は、レーザー
元あるいは通電により溶断され、その目的に応じ使用さ
れる。

（発明が解決しようとする問題点） 上記従来の半導体装置には開口１０が設けられているの
で、７ユーズＰ！Ｘ３の溶断時に保護膜９が１＠、激に
加熱されても、その熱歪は開口で吸収され保護膜９にク
ラック等が発生するのを防止できるものの、開口１０を
ｄして重金属や水が絶＠膜２中に侵入し、半導体基板１
との界面の特注を変化させ、半導体基板１に形成されて
いる能動素子等に悪影響を与えるという問題点があった
。

一方、開口１０を形成しないと、７ユーズ膜３の溶断時
にクラックが保護膜９に生じ、該クラックから重金属等
が侵入するという問題点が生じる。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、Ｍｌの発明にあ
っては、半導体基板上の１１Ｉ！！縁膜とフューズ膜と
の間にバッジベージ曹ン膜を介在さぜることを要旨とし
ており、第２の発明にあっては、半導体基板上の絶縁層
にパッジベージラン材と不純物の導入されたポリシリコ
ンとを順次積層した後に、パッジベージ讐ン材外方の絶
縁膜に半導体基板表面に達する溝を穿設し、該溝内およ
びパッジページ曹ン材上の導電材上に不純物の導入さｎ
たポリシリコンを被着嘔せ、このポリシリコンを溝の内
方部で除去してパッジベージラン材を露出させることに
よりガードリングと共にフェーズ膜を形成し、該フェー
ズ膜上の少くとも一部を保護膜で被うことを要旨とする
。

（実施例） 第１図と第２図とは本発明の一実施例を示す図であり、
図中１１は半導体基板を示している。半導体基板ｌｌ上
にはフィールド酸化膜１２が成長され、該フィールド酸
化膜１２を貫通するガードリンク１３が形成されている
。ガードリング１３下方の基板１１には高績度不純物拡
散層１４が形成されている。ガードリング１３内のフィ
ールド酸化膜１２上には、パッシベーション膜１５が被
着さｎておす、パッノペーシ目ン模１５上：ｌｄパター
ン形成されたフューズ模１６が積ノーさｎている。７：
Ｌ−ズ膜１６にはその両端部に配線接続部１７ａ　、　
１７ｂが貞畳され、配線接続部１７ａ、１７ｂの対向部
を除き絶縁膜１８で被われている。絶縁膜１８にはスル
ーホール１９．２０が穿設され、該スルーホール１９．
２０を通って配線接続部１７ａ。

１７ｂの両端部に接続されたアルミ配線２１．２２が絶
縁膜１８上を延在している。アルミ配線２１゜２２は保
護膜２３で被われており、保護膜２３には開口２４が設
けらｒ１配、１１１１接続部１７ａ、１７ｂ間の開口２
５に連通している。したがって、開口２４゜２５全通し
てフユーズ膜１６の溶断部２６が蕗出さｎている。

次に１第１図と第２図に示された半導体装置の製造方法
を第５図乃至第８図に基づき説明する。

半導体基板１１上にフィールド酸化１１１１１２を成長
させ、フィールド酸化膜１２上に約５０乃至４００Ａの
窒化シリコン膜３１を板看し、窒化シリコン模３１上に
は不純物、例えば、リンの拡散された約３０００乃至６
０００Ａの＠１ポリシリコン膜３２がＭ畳されて約２０
００乃至４０００Ａの絶縁膜３３で被われている（第５
図）。こｎら窒化シリコン膜３１と第１ポリシリコン模
３２からはバッジページｌン膜１５とフユーズ膜１６と
が形成されるだけでなく、容量素子の高騨電膜と一方の
プレートとも形成される。筐た、絶縁膜３３は、第１ポ
リシリコン膜３２を熱酸化して得てもよく、ＣＶＤ法で
被着してもよい。

続いて、絶縁膜３３がパターン形成さｎ第１ポリシリコ
ン膜３２は溶断部２６を除いて露出され、絶縁膜１２に
は基板１１の表面に達する溝３４が窒化シリコン膜３１
の周囲に穿設される（第６図）。

この後、ＣＶＤ法でＤＸ２ポリシリコン膜３５がｇ３４
内および第２ポリシリコン膜３２、さらに絶縁膜３３上
に被着され、これに不純物、例えばリンを導入した後、
反応性イオンエツチングで溝３４の内周部で第１．第２
ポリシリコン膜３２゜３５が除去され、Ｐ３縁模１２上
の第２ポリシリコン膜３５も除去さ扛る。こうして、ガ
ードリング１３と配線接続部１７ａ、１７ｂとが形成さ
れ、溶断部２６もパターン形成される（第７図）。

こうして溶断部２６等の形成が終ｒすると、配線接続部
１７ａ、１７ｂの対向部を除き絶縁膜１８が被着され、
スルーホール１９．２０の穿設後、アルミニウム膜が被
着され、これをパターン形成してアルミ１［ｉ２１．２
２が得られる（第８図）。

最後に全体を保−膜２３で被い、開口２４を設ける０ 続いて、上記一実施例に係わる半導体装置のフェーズ嗅
１６を溶断部２６にて溶断する場合の作用を説明する。

溶断部２６にレーザー光を照射するか、あるいは高電圧
をｌ：Ｉ］加して大［流を流すと、溶断部２６は高温に
なり、′＃Ｉ断部２６は切断される。このときの発熱に
より保護膜２３に生じる熱歪は開口２４で吸収され、保
護膜２３にクラックは生じない。萱た、開口２４．２５
を通って瓜金属あるいは水等が侵入しても、バックペー
ション１Ａ１５でブロックされ、半導体基ａｌｌの界面
には達しないので、半導体基板１１に形成さｎた能動素
子等の特性が劣化することはない。

なお、上記一実施例では開口２４が設けられたが、開口
２４は必ずしも必要ではなく、仮にクラックが保護膜２
３に生じても、侵入する貞金嬌等はパッシベーション模
１５で阻止されるので、能動素子等の特性劣化は生じな
い。

（効果） 以上説明してさたように１本、頓第１発明では、フェー
ズ膜下にパッシベーション模を設けたので、本質的に外
部から汚染さ扛易い７ユーズ膜を有する半導体装置でも
、汚染を防止でき、半′４本装置の特性を良好に維持で
きるという効果が得られ、本願第２発明では、第１発明
に係わる半導体装置をポリシリコン膜の被償前１（パッ
シベーション模を破着させる工程を加えるだけで得らｎ
るという効果を得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１発明の一実施例を示す平面図、第２図は第
１図の１１−■断面図、第３図は従来例を示す平面図、
第４図はｆｆ−１’％’断面図、第５図乃至第８図は第
２発明の各工程を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁膜
、１３・・・・・・ガードリング、１５・・・・・・パ
ッシベーション模、１６・・・・・・フユーズ嗅、２３
・・・・・・保護膜、３１・・・・・・パッシベーショ
ン材、３２，３５・・・・・・ポリシリコン、３４・・
・・・・溝。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 筋４回

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に積層された絶縁膜と、該絶縁膜上
   に設けられ溶断可能なフューズ膜と、該フューズ膜上面
   の少くとも一部を被う保護膜とを有する半導体装置にお
   いて、前記絶縁膜とフューズ膜との間にフューズ膜の周
   囲を越えて延在するパッシベーション膜を介在させたこ
   とを特徴とする半導体装置。
2. （２）半導体基板上に積層された絶縁膜上にパッシベー
   ション材を被着させる工程と、該パッシベーション材上
   に不純物の導入されたポリシリコンを被着する工程と、
   前記パッシベーション材外方の絶縁膜に半導体基板表面
   に達する溝を形成する工程と、不純物の導入されたポリ
   シリコンを前記溝内と前記パッシベーション材上の不純
   物の導入されたポリシリコン上とに被着させる工程と、
   前記溝内方の不純物の導入されたポリシリコンを除去し
   てパッシベーション材を露出させ溝内の不純物の導入さ
   れたポリシリコンでガードリングを形成すると共にパッ
   シベーション材上の不純物の導入されたポリシリコンで
   フューズ膜を形成する工程と、該フューズ膜の少くとも
   一部を被う保護膜を形成する工程とから成る半導体装置
   の製造方法。