JPS5851541A - 半導体装置のガ−ドリング - Google Patents
半導体装置のガ−ドリングInfo
- Publication number
- JPS5851541A JPS5851541A JP14941681A JP14941681A JPS5851541A JP S5851541 A JPS5851541 A JP S5851541A JP 14941681 A JP14941681 A JP 14941681A JP 14941681 A JP14941681 A JP 14941681A JP S5851541 A JPS5851541 A JP S5851541A
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- JP
- Japan
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- film
- guard ring
- protective glass
- semiconductor device
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＠明は、半導体ｔ７＆直の７ユーズに係り、時に可動
イオンの拡散阻止、ｔ１１ｍガラス展のクラック防止に
好適なガードリングに関する。
イオンの拡散阻止、ｔ１１ｍガラス展のクラック防止に
好適なガードリングに関する。
従来のフユーズ周辺に用いられたカードリングは、保−
ガラス膜と熱酸化膜を不連続とするために、拡＃Ｊｄガ
ードリング上に接触溝を設け、そこに金１４配−を設け
ていた。かかる構造では、ガードリングを横切る他の回
路との連絡用金ｌＩ４配−の引目出し部は、接触＃ｌｔ
設けることが不可能で６りた。そのため、この引目出し
部を通して保表ガラス膜のクラックが周囲の回ｍｓに及
ぶこととなり集積回路の信頼ａｔ損なう欠点がめった。
ガラス膜と熱酸化膜を不連続とするために、拡＃Ｊｄガ
ードリング上に接触溝を設け、そこに金１４配−を設け
ていた。かかる構造では、ガードリングを横切る他の回
路との連絡用金ｌＩ４配−の引目出し部は、接触＃ｌｔ
設けることが不可能で６りた。そのため、この引目出し
部を通して保表ガラス膜のクラックが周囲の回ｍｓに及
ぶこととなり集積回路の信頼ａｔ損なう欠点がめった。
本発明の目的は、これら従来技術の欠点を解決するもの
であり、保−ガラス膜のクラックが、ガードリングの外
側に及ばない構造のガードリングを提供することにめる
０、 本発明は％保護ガラス編のクラックの拡カリを阻止する
ために％フィールド絶縁編上で、保禮ガフスを不連続と
するＳｔフユーズの周囲に設け、フユーズと＃４囲回路
との金ｆ４配線による遍旙を自由に取れるようにした。
であり、保−ガラス膜のクラックが、ガードリングの外
側に及ばない構造のガードリングを提供することにめる
０、 本発明は％保護ガラス編のクラックの拡カリを阻止する
ために％フィールド絶縁編上で、保禮ガフスを不連続と
するＳｔフユーズの周囲に設け、フユーズと＃４囲回路
との金ｆ４配線による遍旙を自由に取れるようにした。
ｔた熱酸化ａｔ断ち切るために、フユーズの周囲に多結
晶シリコンｔｉｅ基板に接触さぜ、多結晶シリコン中に
ドープした不＃４＠を基板内に拡散場せる構造【と９％
町励イオ／汚染の拡がりｔ−阻止する構造も実現してい
る。
晶シリコンｔｉｅ基板に接触さぜ、多結晶シリコン中に
ドープした不＃４＠を基板内に拡散場せる構造【と９％
町励イオ／汚染の拡がりｔ−阻止する構造も実現してい
る。
以下、本発明の一実施例を第１図の平面図、および第２
図の断面図ｔもって説明し、その製造工１１七第３図乃
至５Ｉ７Ｉｋ６図によって説明する。
図の断面図ｔもって説明し、その製造工１１七第３図乃
至５Ｉ７Ｉｋ６図によって説明する。
本実施例社、第１１図および第２図に示すごとく、半４
体基板１上のフィールド絶縁ｍ２上に形成した多結晶シ
リコン・フェーズ３−３と、周囲に多結晶シリコン３−
１および３−２を半導体基板１に直接接触さぜ１拡散層
４−１および４−２を有するガードリングと、保護ガラ
ス膜５を１フイールド絶縁属２上で、不連続にした＄７
−１および７−２ｔ−有し、フェーズ３−３と周囲回路
との連絡七金属配！８−１および８−２でおこなったも
ので６ｐ％最終的には金属配縁上にも保護ガラス９ｔ−
堆積し、フェーズ切断１０’ｌおこなったものでるる。
体基板１上のフィールド絶縁ｍ２上に形成した多結晶シ
リコン・フェーズ３−３と、周囲に多結晶シリコン３−
１および３−２を半導体基板１に直接接触さぜ１拡散層
４−１および４−２を有するガードリングと、保護ガラ
ス膜５を１フイールド絶縁属２上で、不連続にした＄７
−１および７−２ｔ−有し、フェーズ３−３と周囲回路
との連絡七金属配！８−１および８−２でおこなったも
ので６ｐ％最終的には金属配縁上にも保護ガラス９ｔ−
堆積し、フェーズ切断１０’ｌおこなったものでるる。
つぎに本ガードリングの製造工程について述べる。第３
図は、ロコス（ＬＯＣＯ８）法によってフィールド鍍化
膜２を形成し、多結晶シリコン３１基板ｌに直接接触す
るように堆積し、不純ｗｐんｔドーグすることにより、
拡散層４−１および４−２＝ｊ形成したところまでを示
す、第４図は１多結晶シリコンを加工し、ガードリング
部３−１および３−２、およびフユーズ部３−３ｔ−形
成し電層間絶縁膜とする保護ガラス膜５ｔ−堆積したと
ころまでｔ示す、第５図は、フユーズ部と金属配線との
接触孔６−１および６−２、およびフィールド編上での
保護ガラスの不遵続再７−１および７−２【同時に形成
し、シん処理を施して、金属配線の部材８、たとえばＡ
ｔを堆積したところまでｔ示す、第６図は、金属配線を
加工し％蛾終的な保護ガラス！９に堆積し本ガードリン
グを含む半導体装置ｔ−実現したところまでを示す。
図は、ロコス（ＬＯＣＯ８）法によってフィールド鍍化
膜２を形成し、多結晶シリコン３１基板ｌに直接接触す
るように堆積し、不純ｗｐんｔドーグすることにより、
拡散層４−１および４−２＝ｊ形成したところまでを示
す、第４図は１多結晶シリコンを加工し、ガードリング
部３−１および３−２、およびフユーズ部３−３ｔ−形
成し電層間絶縁膜とする保護ガラス膜５ｔ−堆積したと
ころまでｔ示す、第５図は、フユーズ部と金属配線との
接触孔６−１および６−２、およびフィールド編上での
保護ガラスの不遵続再７−１および７−２【同時に形成
し、シん処理を施して、金属配線の部材８、たとえばＡ
ｔを堆積したところまでｔ示す、第６図は、金属配線を
加工し％蛾終的な保護ガラス！９に堆積し本ガードリン
グを含む半導体装置ｔ−実現したところまでを示す。
本発明によれは、保護ガラス膜のり２ツクに対して、と
くに好ましくないガラス膜５のクラックは、フィールド
編上での溝によって断ち切れることになり、ガードリン
グよりも外側゛に拡がることはない、もし金属配線より
も下層の保護ガラス膜にクラックが生じた場合、このク
ラックの隙間を通して％金属配線からの可動イオ／のご
と自汚染かフィールド絶縁膜に達し、回路特性が変動す
るなどの影響を受けることとなる。しかしながら、本構
造ｔとったことによって、クラックはガードリング内に
とどｔり、半導体装置の信頼性ｔ−損なうことはない。
くに好ましくないガラス膜５のクラックは、フィールド
編上での溝によって断ち切れることになり、ガードリン
グよりも外側゛に拡がることはない、もし金属配線より
も下層の保護ガラス膜にクラックが生じた場合、このク
ラックの隙間を通して％金属配線からの可動イオ／のご
と自汚染かフィールド絶縁膜に達し、回路特性が変動す
るなどの影響を受けることとなる。しかしながら、本構
造ｔとったことによって、クラックはガードリング内に
とどｔり、半導体装置の信頼性ｔ−損なうことはない。
またこのようなフユーズにおいて、切断後、切断ｓ１０
では、熱酸化膜であるフィールド絶縁膜がむ龜出しとな
９、ナトリウムＮａ（ｊのごとき可動イオンの浸入が容
易であり、熱酸化膜中を拡散する。この可動イオンがＭ
ＯＳトをンジスタのゲート酸化膜まで到達すると、いわ
ゆるしきい電圧の変動を引寝起こし回路特性に重大な悪
影＊１−及ぼす、ところが、本発明による多結晶シリコ
ンと基板が直接接触するガードリングでは、熱酸化膜が
断ち切れていて可動イオンの拡散が５ｔｒｒされるばか
ｐか、拡散したリンの不純物は、この可動イオンの捕獲
効果が心９１ガードリングの外への可動イオンの拡散を
阻止し、周辺回路の特性変動を引龜起仁すことはない。
では、熱酸化膜であるフィールド絶縁膜がむ龜出しとな
９、ナトリウムＮａ（ｊのごとき可動イオンの浸入が容
易であり、熱酸化膜中を拡散する。この可動イオンがＭ
ＯＳトをンジスタのゲート酸化膜まで到達すると、いわ
ゆるしきい電圧の変動を引寝起こし回路特性に重大な悪
影＊１−及ぼす、ところが、本発明による多結晶シリコ
ンと基板が直接接触するガードリングでは、熱酸化膜が
断ち切れていて可動イオンの拡散が５ｔｒｒされるばか
ｐか、拡散したリンの不純物は、この可動イオンの捕獲
効果が心９１ガードリングの外への可動イオンの拡散を
阻止し、周辺回路の特性変動を引龜起仁すことはない。
なお、ここでは一実施例について述べたが、本発明の主
旨に損なうことなく、種々の変形があシ得る。′＃−と
えば、フィールド絶縁膜上で保護ガラスを除去し、溝を
設ける場合、絶縁膜と保護ガラスハ同質なシリコン系の
ガラスであるため１加工の選択性がない場合が参る。こ
のような場合、絶縁膜内に１で擲が達することとなシ、
とくにフィールド絶縁膜が薄い場合には、配−の容量増
大や、基板との短絡もまぬがｎなくなる。このようなと
き、フィールド絶縁膜と保護ガラス膜との間に、Ｖｌｔ
設けるときのエッチ・ストッパとなる部材倉敷いておく
ことが有効でるる、この部材としては、シリコンナイト
ライド膜が、半導体プロセスにおいてなじみがよい点か
ら、使われることが容易に考えられる・ 以上、本発明によれば、フユーズのガードリングとして
、保護ガラス膜のクラック防止がおこなえて、しかも可
動イオンなどの浸入を断ち切る構造を、新規に提供する
仁とが出来、従来の不完全なガードリング横這の欠点ｔ
ｍ除した。また提供したガードリングは、従来の義造工
＠を何ら変更することなく、ｊ１１１Ｉ＆で君、シかも
、高集積化可能なものである。
旨に損なうことなく、種々の変形があシ得る。′＃−と
えば、フィールド絶縁膜上で保護ガラスを除去し、溝を
設ける場合、絶縁膜と保護ガラスハ同質なシリコン系の
ガラスであるため１加工の選択性がない場合が参る。こ
のような場合、絶縁膜内に１で擲が達することとなシ、
とくにフィールド絶縁膜が薄い場合には、配−の容量増
大や、基板との短絡もまぬがｎなくなる。このようなと
き、フィールド絶縁膜と保護ガラス膜との間に、Ｖｌｔ
設けるときのエッチ・ストッパとなる部材倉敷いておく
ことが有効でるる、この部材としては、シリコンナイト
ライド膜が、半導体プロセスにおいてなじみがよい点か
ら、使われることが容易に考えられる・ 以上、本発明によれば、フユーズのガードリングとして
、保護ガラス膜のクラック防止がおこなえて、しかも可
動イオンなどの浸入を断ち切る構造を、新規に提供する
仁とが出来、従来の不完全なガードリング横這の欠点ｔ
ｍ除した。また提供したガードリングは、従来の義造工
＠を何ら変更することなく、ｊ１１１Ｉ＆で君、シかも
、高集積化可能なものである。
第１図および第２図は、本発明の半導体装置の平面図と
断面図を示し、第３図乃至第６図は、その製造１根を示
す図である。 １・・・半導体基板、２・・・フィールド絶縁線、３・
・・多結晶シリコン、４・・・拡散層、５・・・保線ガ
ラス、６・・・接触孔、７・・・溝、８・・・金属配−
１９・・・保護ガラχ １ 口 第 Ｚ 図
断面図を示し、第３図乃至第６図は、その製造１根を示
す図である。 １・・・半導体基板、２・・・フィールド絶縁線、３・
・・多結晶シリコン、４・・・拡散層、５・・・保線ガ
ラス、６・・・接触孔、７・・・溝、８・・・金属配−
１９・・・保護ガラχ １ 口 第 Ｚ 図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したフェーズ部周辺に、多結晶シリ
コンｔａ接基板に接触させ、かつ上記多結晶シリコン中
にドープした不純智を基板内に拡散させ、かつ、７ユ一
ズ上部の保−ガラスを、フィールド絶縁膜上で１フユー
ズｓｔ囲むように除去したことｔ−％倣とする半導体装
置のガードリング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941681A JPS5851541A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置のガ−ドリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941681A JPS5851541A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置のガ−ドリング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851541A true JPS5851541A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15474633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14941681A Pending JPS5851541A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置のガ−ドリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851541A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177991U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-26 | 三井化学株式会社 | 不織布製造装置のエジエクタ−に取付けられるセパレ−タ |
| JPS6284521A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4928162A (en) * | 1988-02-22 | 1990-05-22 | Motorola, Inc. | Die corner design having topological configurations |
| WO1997001188A1 (de) * | 1995-06-23 | 1997-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiteranordnung mit einem fuse-link und darunter angeordneter wanne |
| CN114335154A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-12 | 深圳市威兆半导体有限公司 | 一种半导体器件、终端结构及其制造方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP14941681A patent/JPS5851541A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177991U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-26 | 三井化学株式会社 | 不織布製造装置のエジエクタ−に取付けられるセパレ−タ |
| JPS6319353Y2 (ja) * | 1984-04-28 | 1988-05-30 | ||
| JPS6284521A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4928162A (en) * | 1988-02-22 | 1990-05-22 | Motorola, Inc. | Die corner design having topological configurations |
| WO1997001188A1 (de) * | 1995-06-23 | 1997-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiteranordnung mit einem fuse-link und darunter angeordneter wanne |
| CN114335154A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-12 | 深圳市威兆半导体有限公司 | 一种半导体器件、终端结构及其制造方法 |
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