JPH1093027A - ヒューズ - Google Patents

ヒューズ

Info

Publication number
JPH1093027A
JPH1093027A JP8241605A JP24160596A JPH1093027A JP H1093027 A JPH1093027 A JP H1093027A JP 8241605 A JP8241605 A JP 8241605A JP 24160596 A JP24160596 A JP 24160596A JP H1093027 A JPH1093027 A JP H1093027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fuse
pad
width
fuse material
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8241605A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyoshi Hirasawa
信良 平沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP8241605A priority Critical patent/JPH1093027A/ja
Publication of JPH1093027A publication Critical patent/JPH1093027A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Fuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶断時のヒューズ材の飛散や配線部の損傷を
軽減または防止することのできるヒューズを提供する。 【解決手段】 一対の配線部22は半導体基盤上に形成
されており、これらの間に電気的に接続されたヒューズ
21は中央部分に位置すパッド部23と、その周辺部分
(2か所)に位置しこれによりも細い幅の初期溶融部2
1 、242 とによって構成されている。一対の配線部
22に電流が流されると、まず初期溶融部241 、24
2 が溶融を開始し、続いてパッド部23が溶融する。ヒ
ューズ21の溶融時には溶融部分で表面張力が働く。し
たがって、溶融した初期溶融部24 1 、242 はパッド
部23の方向に分子結合していき、初期溶融部241
24 2 のヒューズ材はパッド部23に集まって行く。こ
のようにしてヒューズ材の飛散が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は規定値以上の電流が
流れたときに電流路を切断するヒューズに係わり、例え
ば半導体装置の内部でデータの内容を記憶させるための
読み出し専用のメモリに使用するのに適したヒューズに
関する。
【0002】
【従来の技術】ある種の読み出し専用のメモリでは、例
えば特開昭59−57472号公報にも記載されている
ように2値データの内容に対応させてヒューズを溶断
し、必要なデータの記憶を行うようになっている。
【0003】図5は、従来のヒューズのパターン形状に
ついての第1の例を表わしたものである。この第1の例
では、配線部11の間にこれらの線幅よりも細い一定幅
のヒューズ部12が配置されている。
【0004】図6は、従来のヒューズのパターン形状に
ついての第2の例を表わしたものである。この例では、
配線部11の間に、その中央部分に向かって次第に幅が
狭くなるパターン形状のヒューズ部13が配置されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のヒュ
ーズでは、ヒューズ部12、13が溶断する瞬間にその
溶断箇所および配線部11のヒューズ部12、13と接
続された端部近傍に熱と電界が集中する。このため、溶
融したヒューズ材の一部が配線部11の周辺まで飛び散
って基板部分に付着したり、配線部11に発生した熱で
その配線が基板から盛り上がるという現象が生じた。後
者の配線部11の盛り上がりは、配線部11の上層を形
成する絶縁膜の亀裂を発生させる。これらヒューズ材の
飛び散りや配線部11の絶縁膜の亀裂は、ヒューズを使
用した半導体装置の信頼性を損なうことになる。
【0006】そこで本発明の目的は、溶断時のヒューズ
材の飛散や配線部の損傷を軽減または防止することので
きるヒューズを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明によ
るヒューズは、半導体基板上に所定の間隔を置いて配置
された一対の配線部の間を電気的に接続するように半導
体基板上に形成されたヒューズ材からなり、そのヒュー
ズ材の中央部における幅がそれ以外の部分としての周辺
部における幅よりも広くなっていることを特徴としてい
る。
【0008】このように半導体基板上に形成されたヒュ
ーズ材の中央部分がそれ以外の部分としての周辺部より
広幅となっているので、ヒューズが溶断するときにはま
ず周辺部が溶けて、次に中央部が溶ける。したがって、
周辺部の溶けたヒューズ材は中央部のヒューズ材の方に
引き寄せられることになり、溶断時のヒューズ材の飛散
や配線部の損傷を軽減または防止することができる。
【0009】請求項2記載の発明では、ヒューズ材の周
辺部に位置する箇所が細い帯状の形状をしており、中央
部に位置するヒューズ材の形状が周辺部に位置するヒュ
ーズ材の幅よりも数倍程度長い各辺を有する矩形をして
いることを特徴としている。また、請求項3記載の発明
では、この中央部分が周辺部に位置するヒューズ材の幅
よりも数倍程度長い直径を有する円形をしている。中央
部分の形状はこれらに限らず、楕円形等の他の形状をと
ることができる。
【0010】請求項4記載の発明では、中央部に位置す
るヒューズ材も周辺部に位置するヒューズ材も同一材料
で構成されていることを特徴としている。これにより、
溶融の温度や溶融の開始する順序の安定化を図ることが
できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
【0012】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【0013】第1の実施例
【0014】図1は本発明の第1の実施例におけるヒュ
ーズのパターン形状を表わしたものである。ヒューズ2
1は配線部22のそれぞれの端部を接続するように配置
されている。ヒューズ21はその中央部が配線幅の太い
パッド部23を形成しており、その両側が配線幅の狭い
初期溶融部241 、242 を形成している。パッド部2
3と初期溶融部241 、242 は共に同一のヒューズ材
から構成されていることが望ましい。本実施例では共に
1μmの厚さのAl(アルミニウム)膜が使用されてい
る。本実施例でパッド部23の幅は初期溶融部241
242 の幅の約3倍となっており、パッド部23の平面
形状はほぼ正方形となっている。
【0015】図2は、図1におけるA−A方向でパッド
部を切断した状態を表わしたものである。このようにパ
ッド部23は基板上の絶縁膜26上に形成され、その上
を他の絶縁膜27で被覆されている。絶縁膜26は本実
施例で1.2μmのPSG(リンガラス)膜が使用さ
れ、他方の絶縁膜27には7000ÅのSiN(窒化珪
素)膜が使用されている。図1に示した初期溶融部24
1 、242 も同様にそれらの表面が絶縁膜27で被覆さ
れている。
【0016】このような構造のヒューズ21に溶断のた
めの電流を流すと、その溶融過程の初期段階で細幅の初
期溶融部241 、242 が溶融し、続いて太幅のパッド
部23が溶融を始める。ヒューズ21の溶融時には溶融
部分で表面張力が働く。このため、最初に溶融を開始す
る初期溶融部241 、242 は、後から溶融してくるパ
ッド部23との間の結合力が、配線部22との間の結合
力よりも大きくなる。したがって、溶融した初期溶融部
241 、242 はパッド部23の方向に分子結合してい
き、初期溶融部241 、242 のヒューズ材はパッド部
23に集まって行く。
【0017】図3は、この第1の実施例における溶断後
のヒューズ材の様子を表わしたものである。溶断後のヒ
ューズ材28は元のパッド部23(図1参照)の箇所に
集まっており、ヒューズ材28の飛散が防止されてい
る。ヒューズ材28がパッド部23の方向に集まる結果
として、配線部22の端部がこの溶融部分によって加熱
される程度が軽減し、配線部22の表面の絶縁膜27
(図2参照)の損傷も生じなくなる。
【0018】第2の実施例
【0019】図4は、本発明の第2の実施例におけるヒ
ューズのパターン形状を表わしたものである。ヒューズ
31は配線部32のそれぞれの端部を接続するように配
置されている。ヒューズ31はその中央部がほぼ円形の
パッド部33を形成しており、その両側が配線幅の狭い
初期溶融部341 、342 を形成している。パッド部3
3と初期溶融部341 、342 は共に同一のヒューズ材
から構成されていることが望ましい。この第2の実施例
でも、第1の実施例と同様に共に1μmの厚さのAl
(アルミニウム)膜が使用されている。本実施例でパッ
ド部33の直径は初期溶融部341 、342 の線幅の約
3倍となっている。ヒューズ材としては、AU(金)等
の他の材料も使用可能である。
【0020】この第2の実施例のヒューズ31も、第1
の実施例のヒューズ21と同様にその溶断時に初期溶融
部341 、342 のヒューズ材がパッド部33に集まる
ようになる。したがって、図3に示したようにヒューズ
材の飛散が防止されることになり、また絶縁層の破壊も
有効に防止される。
【0021】
【発明の効果】以上説明したよう本発明によればヒュー
ズ材の中央部における幅がそれ以外の部分としての周辺
部における幅よりも広くなった単純な形状で、ヒューズ
材の飛散を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させること
ができる。また、溶融したヒューズ材がヒューズの中央
部に集まるので、切断したヒューズを容易に特定するこ
とができるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における配線部に接続さ
れたヒューズのパターン形状を表わした平面図である。
【図2】図1に示したヒューズをA−A方向に切断した
断面図である。
【図3】図1に示したヒューズの溶断後の状態を表わし
た平面図である。
【図4】本発明の第2の実施例における配線部に接続さ
れたヒューズのパターン形状を表わした平面図である。
【図5】配線部に接続された従来のヒューズの第1の例
を示す平面図である。
【図6】配線部に接続された従来のヒューズの第2の例
を示す平面図である。
【符号の説明】
21、31 ヒューズ 22、32 配線部 23、33 パッド部 241 、242 、341 、342 初期溶融部 26、27 絶縁膜

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上に所定の間隔を置いて配置
    された一対の配線部の間を電気的に接続するように前記
    半導体基板上に形成されたヒューズ材からなり、そのヒ
    ューズ材の中央部における幅がそれ以外の部分としての
    周辺部における幅よりも広くなっていることを特徴とす
    るヒューズ。
  2. 【請求項2】 ヒューズ材の前記周辺部に位置する箇所
    が細い帯状の形状をしており、前記中央部に位置するヒ
    ューズ材の形状が周辺部に位置するヒューズ材の幅より
    も数倍程度長い各辺を有する矩形をしていることを特徴
    とする請求項1記載のヒューズ。
  3. 【請求項3】 前記周辺部に位置するヒューズ材が細い
    帯状の形状をしており、前記中央部に位置するヒューズ
    材の形状が周辺部に位置するヒューズ材の幅よりも数倍
    程度長い直径を有する円形をしていることを特徴とする
    請求項1記載のヒューズ。
  4. 【請求項4】 前記ヒューズ材は中央部に位置するヒュ
    ーズ材も周辺部に位置するヒューズ材も同一材料で構成
    されていることを特徴とする請求項1〜請求項3記載の
    ヒューズ。
JP8241605A 1996-09-12 1996-09-12 ヒューズ Pending JPH1093027A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8241605A JPH1093027A (ja) 1996-09-12 1996-09-12 ヒューズ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8241605A JPH1093027A (ja) 1996-09-12 1996-09-12 ヒューズ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1093027A true JPH1093027A (ja) 1998-04-10

Family

ID=17076811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8241605A Pending JPH1093027A (ja) 1996-09-12 1996-09-12 ヒューズ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1093027A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005039220A (ja) * 2003-06-26 2005-02-10 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2017010896A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 富士電機機器制御株式会社 ヒューズ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005039220A (ja) * 2003-06-26 2005-02-10 Nec Electronics Corp 半導体装置
US7795699B2 (en) 2003-06-26 2010-09-14 Nec Electronics Corporation Semiconductor device
JP2017010896A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 富士電機機器制御株式会社 ヒューズ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2624439B2 (ja) 回路保護用素子
US5982268A (en) Thin type fuses
US5284796A (en) Process for flip chip connecting a semiconductor chip
JPH08242046A (ja) 温度ヒューズ付き半導体装置の構造
JPS59130441A (ja) ヒューズ型romの書込み方法
KR960026749A (ko) 집적회로 장치의 퓨즈 구조물
EP0510900A2 (en) Wetting-based breakable links
JPH1093027A (ja) ヒューズ
JP3078489B2 (ja) はんだ付け方法およびその方法から製造される機器
JPH0428249A (ja) 半導体装置
JPH04186688A (ja) 半導体レーザ装置
JP3305824B2 (ja) 回路保護素子
JPH0629627A (ja) 半導体装置
JPS5989434A (ja) 半導体装置
JP2839143B2 (ja) 半導体装置用保護素子
JPS58158099A (ja) プログラム可能な読出し専用記憶素子
JP7425566B2 (ja) 半導体装置およびそのトリミング方法
JP2762129B2 (ja) 合金型温度ヒューズ
JPH0864750A (ja) 半導体装置
JPH02168640A (ja) 異なる基板間の接続構造
JP3812365B2 (ja) 過電流遮断構造
JPH07176546A (ja) 半導体装置
JPH0256815B2 (ja)
JPS59956A (ja) ポリシリコンヒユ−ズを有する半導体装置
JPH0327321Y2 (ja)