JP7425566B2 - 半導体装置およびそのトリミング方法 - Google Patents
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Description
Claims (3)
- 電圧印加により切断される溶断部を有するヒューズ素子と、該ヒューズ素子を被覆する絶縁膜とを備えた半導体装置において、
前記溶断部上に第1の絶縁膜を配置し、該第1の絶縁膜上に被覆膜を配置し、該被覆膜上に第2の絶縁膜を配置し、
前記被覆膜は、前記溶断部が切断する際に前記第1の絶縁膜から応力を受けて変形し、前記被覆膜と前記第1の絶縁膜との間が剥離することで前記応力が前記被覆膜上の前記第2の絶縁膜に伝搬することを抑制あるいは遮断する膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記被覆膜は、間隙を設けて配置された複数の被覆膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 電圧印加により切断される溶断部を有するヒューズ素子を備え、前記溶断部上に第1の絶縁膜を配置し、該第1の絶縁膜上に被覆膜を配置し、該被覆膜上に第2の絶縁膜を配置した半導体装置のトリミング方法であって、
前記ヒューズ素子に、前記溶断部を切断するための電圧を印加する工程と、
前記溶断部が溶融して体積が膨張し、該体積膨張により生じる応力が前記第1の絶縁膜を介して前記被覆膜に伝搬する工程と、
前記被覆膜が前記応力を受けて変形し、該変形により前記被覆膜と前記第1の絶縁膜との間に剥離が発生して、前記応力が前記被覆膜上の前記第2の絶縁膜に伝搬することが抑制あるいは遮断される工程と、を含むことを特徴とする半導体装置のトリミング方法。
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US20120257435A1 (en) | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Non-salicide polysilicon fuse |
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