JP4880950B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置に関し、とくに電気ヒューズを含む半導体装置に関する。

従来、半導体装置にヒューズを搭載しておき、ヒューズを切断することにより半導体装置で使用する抵抗の値を調整したり、不良素子を切り離して正常素子に置き換える等の処理を行う技術が知られている。

ヒューズの切断方法には、ヒューズの一部にレーザを照射することによりヒューズを切断する方式や、ヒューズを電流により切断する方式が用いられている。

特許文献１には、より小さい電流により切断可能なヒューズが開示されている。特許文献１において、ヒューズを構成する導電体が複数回折り返す形状に形成されている。図２１は、特許文献１に開示されたヒューズを示す平面図である。ここで、ヒューズ１１００は２回折り返している。

ヒューズ１１００は、電流流入端子１１０１、電流流出端子１１０２、および両端子間に、第１往路直線部１１０３、復路直線部１１０４、第２往路直線部１１１３を有する。ヒューズ１１００はさらに、第１往路直線部１１０３と復路直線部１１０４とを結ぶ第１直角接続部１１０６および第２往路直線部１１１３と復路直線部１１０４とを結ぶ第２直角接続部１０７を有する。

上記のような構成のヒューズ１１００において、電流流入端子１１０１から電流流出端子１１０２に所定の電流を流すと、ヒューズ１１００の外側の斜線部１１０８で発生した熱が、ヒューズ１１００の内側の斜線部１１０９で発生する熱に加えられて、斜線部１１０９に挟まれる復路直線部１１０４の切断を加速させる。これにより、ヒューズ１１００が容易に切断される。

また、特許文献２には、ヒューズのうち、切断させる部分をプレートで囲むことにより、ヒューズに電流を流したときにヒューズの切断部に発生する熱をヒューズの切断部近傍に閉じこめたり蓄積するようにした構成が開示されている。
特開２００５−３９２２０号公報 特開２００５−５７１８６号公報

特許文献１や特許文献２では、ヒューズに電流を流した際に、ヒューズが加熱されてヒューズの導電体を構成する材料が溶断されたりエレクトロマイグレーションにより移動する現象を用いてヒューズが切断されている。

ところで、エレクトロマイグレーションにより移動する材料を用いてヒューズを構成した場合、ヒューズ切断後に半導体装置に熱処理が施されると、材料がエレクトロマイグレーションの影響で移動して切断箇所で再接続が生じる可能性が考えられる。もし、このような再接続が生じてしまうと、切断対象の電気ヒューズを切断しておいても、その電気ヒューズが切断されているか否かを検知する際に、正しい結果が得られないことになる。

以上のような再接続が生じる可能性はそれほど高くなく、通常の動作に用いる分には問題はないと考えられるが、半導体装置の信頼性が非常に高度に要求される場合や過酷な条件下で使用される場合等は、切断された電気ヒューズが切断状態を保持する保持特性をより高める必要がある。

本発明によれば、
半導体基板と、該半導体基板上に形成され、第１の配線および第２の配線を含む電気ヒューズと、を備え、
前記電気ヒューズは、前記第１の配線の折り返しにより複数の直線部が並行配置された領域を有し、
前記第２の配線は、該第１の配線よりも配線幅が狭く形成されるとともに前記領域外で前記第１の配線に接続された半導体装置が提供される。

本発明の半導体装置によれば、電気ヒューズに電流を流したときに、第１の配線の折り返しにより複数の直線部が並行配置された領域でヒューズ構成材料が加熱されやすくなる。一方、第１の配線よりも幅が狭い第２の配線が当該領域外で第１の配線に接続されているので、この箇所で切断させることができる。このような構成とすると、電気ヒューズに加熱されやすい箇所を設けて切断を促進することができるとともに、切断箇所を発熱しやすい箇所と異なる場所に形成することができ、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つことができる。

本発明によれば、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つことができる。

次に、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

本発明者は、切断対象の電気ヒューズに過剰なパワーを印加することにより、電気ヒューズの一領域からヒューズ構成材料を流出させるとともに流出領域とは異なる領域で切断させるという、電気ヒューズの新たな切断技術を見出した。

ここで、電気ヒューズは、たとえば、導電体により構成され、導電体の断面方向の周囲が被覆膜で覆われた構成とすることができる。このように構成された電気ヒューズに過剰なパワーを印加することにより、電気ヒューズに電流が流れ、ヒューズ構成材料が加熱されて膨張する。ヒューズ構成材料が膨張すると、周囲の被覆膜にクラック等が生じる。さらにヒューズ構成材料が膨張することにより、ヒューズ構成材料が周囲の被覆膜のクラック内に強制的に流出される。その結果、ヒューズ構成材料の移動・供給のバランスが崩れ、ヒューズ構成材料が流出した領域とは異なる部分に大きな切断箇所が形成される。以下、この手法による電気ヒューズの切断を、「クラックアシスト型切断」という。

まず、クラックアシスト型切断のメカニズムを説明する。
図４は、電気ヒューズを含む半導体装置の一例を示す平面図である。
半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成されるとともに凹部が形成された第１の絶縁膜１０２と、第１の絶縁膜１０２上に形成された電気ヒューズ２００とを含む。電気ヒューズ２００は、導電体２０６と、その一端および他端にそれぞれ設けられた第１の端子２０２および第２の端子２０４とを有する。導電体２０６は、第１の絶縁膜１０２の凹部を埋め込むように形成される。電気ヒューズ２００は、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に電流を流すことにより導電体２０６が切断される電気ヒューズ（Ｅヒューズ）である。

図４（ａ）は切断前の電気ヒューズ２００の構成を示す。図４（ｂ）は、切断後の電気ヒューズ２００の構成を示す。図４（ｂ）に示すように、導電体２０６は、導電体２０６を構成する材料（以下、ヒューズ構成材料という。）が凹部外に流出した流出領域２１２を有し、流出領域２１２とは異なる箇所で電気ヒューズ２００が切断された切断箇所２１４が形成される。

図５は、図４（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
半導体装置１００は、第１の絶縁膜１０２上において、導電体２０６の上面に形成された第１の被覆膜１０６と、第１の絶縁膜１０２に形成された凹部の側面および底面に形成された第２の被覆膜１０４と、第１の被覆膜１０６上に形成された第２の絶縁膜１０８とをさらに含む。導電体２０６は、第１の絶縁膜１０２に形成された凹部内において、第２の被覆膜１０４上に形成される。導電体２０６の表面は、半導体基板の積層方向の断面において、一部の領域が第１の被覆膜１０６で覆われるとともに、他の領域が第２の被覆膜１０４により覆われた構成を有する。

第１の絶縁膜１０２は、半導体基板上に設けられるものであればどのようなレベルに形成される絶縁膜でもよく、たとえば、素子分離絶縁膜、多層配線構造のいずれかの層間絶縁膜、トレンチの底部に形成される絶縁膜等とすることができる。

導電体２０６は、銅を主成分として含む銅含有金属膜により構成することができる。銅含有金属膜は、銀を含むことができる。さらに、銅含有金属膜は、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、または、Ｓｎから選択される一又は二以上の異種元素を含む構成とすることもできる。銅含有金属膜は、たとえばめっき法により形成することができる。また、導電体２０６の表面は、たとえばシリサイド膜が形成された構成とすることもできる。

第１の被覆膜１０６と第２の被覆膜１０４とは異なる材料により構成される。第１の被覆膜１０６と第２の被覆膜１０４とは、たとえば、粘度やヤング率が異なる材料により構成することができる。第２の被覆膜１０４は、たとえば、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、ＷＮ等のバリアメタル膜により構成することができる。バリアメタル膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ等により形成することができる。第１の被覆膜１０６は、たとえば、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＦまたはＳｉＯＮ等のバリア絶縁膜により構成することができる。バリア絶縁膜は、ＣＶＤ法等により形成することができる。第１の被覆膜１０６は、電気ヒューズ２００に電流を流したときに、クラックが形成される材料により構成することができる。

第１の被覆膜１０６は、第２の被覆膜１０４よりも柔らかい材料により構成することができる。ここで、柔らかい材料とは、たとえばヤング率が低い材料や粘度が低い材料のことである。たとえば、第１の被覆膜１０６は、第２の被覆膜１０４よりもヤング率の低い材料により構成することができる。第１の被覆膜１０６の膜厚は、たとえば、１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。また、第２の被覆膜１０４の膜厚も、たとえば、１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

第１の絶縁膜１０２および第２の絶縁膜１０８は、たとえばＳｉＯ_２膜により構成することもでき、またＳｉＯＣ等の低誘電率膜により構成することもできる。低誘電率膜としては、ＳｉＯＣの他に、ＨＳＱ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）、またはＭＨＳＱ（メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン）等のポリハイドロジェンシロキサン、ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）、ジビニルシロキサンービスーベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、またはＳｉｌｋ（登録商標）等の芳香族含有有機材料、ＳＯＧ、ＦＯＸ(ｆｌｏｗａｂｌｅ ｏｘｉｄｅ)、サイトップ、またはＢＣＢ（Ｂｅｎｓｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）等を用いることもできる。また、低誘電率膜としては、これらのポーラス膜を用いることもできる。第１の絶縁膜１０２および第２の絶縁膜１０８は、同じ材料により構成しても、異なる材料により構成してもいずれでもよい。

第２の絶縁膜１０８は、第２の被覆膜１０４よりも柔らかい材料により構成される。第２の絶縁膜１０８は、たとえば第２の被覆膜１０４よりもヤング率の低い材料により構成することができる。また、第２の絶縁膜１０８は、第１の被覆膜１０６よりも柔らかい材料により構成することができる。また、第１の絶縁膜１０２は、第２の被覆膜１０４や第１の被覆膜１０６よりも柔らかい膜により構成することができる。

一例として、たとえば、第１の絶縁膜１０２をＳｉＯ_２膜またはＳｉＯＣ膜（ヤング率約１２ＧＰａ）により構成し、第２の被覆膜１０４をＴｉＮ膜（ヤング率約１８０ＧＰａ）により構成し、第１の被覆膜１０６をＳｉＣＮ膜（ヤング率約１００ＧＰａ）により構成し、第２の絶縁膜１０８をＳｉＯＣ膜（ヤング率約１２ＧＰａ以下）により構成することができる。

図６は、図４のＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図、図７は、電気ヒューズ２００の模式図である。以下、図４も参照して説明する。

第１の端子２０２にＶ_ＣＣが印加され、第２の端子２０４が接地されると、第１の端子２０２から第２の端子２０４の方向に電流が流れる。このとき、電子は第２の端子２０４から第１の端子２０２の方向に移動する。第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に所定の電流値を超える電流が流れると、ヒューズ構成材料が加熱され、熱膨張する（図６（ａ）、図７（ａ））。

その結果、導電体２０６を被覆している被覆膜のうち、柔らかい膜である第１の被覆膜１０６に熱膨張したヒューズ構成材料による力が加わり、第１の被覆膜１０６にクラックが生じる（図６（ｂ））。このとき、導電体２０６の周囲全体（クラック発生箇所２３０、図７（ｂ））にわたってクラックが生じ得る。

ヒューズ構成材料がさらに加熱されることにより、クラック発生箇所２３０に形成されたクラックのうちの大きなクラックにヒューズ構成材料が流れ込む。これにより、流出領域２１２が形成される。このとき、ヒューズ構成材料が流出領域２１２の方向に急激に移動するため、ヒューズ構成材料の移動が追いつかなかった箇所で導電体２０６が切断される。このようなメカニズムにより、流出領域２１２からある程度離れた箇所に大きな切断箇所２１４が形成される（図７（ｃ））。

図６（ｃ）は、第２の絶縁膜１０８にもクラック１１０が生じた場合の断面構造を示す図である。この場合も、クラック１１０にヒューズ構成材料が流れ込み、流出領域２１２および切断箇所２１４が形成される。

また、図６（ｄ）に示したように、熱膨張したヒューズ構成材料により、第１の被覆膜１０６の方向に力が加わった結果、第１の被覆膜１０６が第１の絶縁膜１０２から剥離して、第１の絶縁膜１０２と第１の被覆膜１０６との間に隙間が生じることもある。この場合も、隙間部分にヒューズ構成材料が流れ込み、流出領域２１２および切断箇所２１４が形成される。以上で説明した図６（ｂ）、図６（ｃ）、および図６（ｄ）は、図４（ｂ）のＢ−Ｂ’断面図に該当する。

図８は、導電体２０６に切断箇所２１４が生じた後のヒューズ構成材料の移動を示す図である。
導電体２０６に切断箇所２１４が生じると、導電体２０６に電流が流れなくなり、導電体２０６が徐々に冷却される。このとき、たとえば図８（ａ）に示すように、切断箇所２１４よりも第２の端子２０４側に流出領域２１２が形成されていた場合、流出領域２１２と切断箇所２１４との間では、切断箇所２１４から流出領域２１２の方向に冷却時の張力が働き、導電体２０６を構成する材料が流出領域２１２の方向に移動する。また、切断箇所２１４と第１の端子２０２との間では、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に電流が流れていたときの電子移動の影響で、材料が第１の端子２０２の方向に移動する。これにより、切断箇所２１４の両側で材料が互いに反対方向に移動して、切断箇所２１４を充分大きく形成することができる。

また、たとえば図８（ｂ）に示すように、切断箇所２１４よりも第１の端子２０２側に流出領域２１２が形成されていた場合、切断箇所２１４と流出領域２１２との間では、切断箇所２１４から流出領域２１２の方向に冷却時の張力が働き、導電体２０６を構成する材料が流出領域２１２の方向に移動する。このとき、切断箇所２１４と第２の端子２０４との間では、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に電流が流れていたときの電子移動の影響で、材料が切断箇所２１４の方向に移動する。しかし、導電体２０６を構成する材料が切断箇所２１４の方向に移動する量は、導電体２０６を構成する材料が流出領域２１２に移動する量に比べて微少である。また、導電体２０６の切断時に、多量の導電体２０６の構成材料が流出領域２１２に流れ込んでおり、切断箇所２１４を大きくすることができる。これにより、切断箇所２１４を充分大きく保つことができる。

また、たとえば、図８（ｃ）に示すように、切断箇所２１４と第１の端子２０２との間、および切断箇所２１４と第２の端子２０４との間の２カ所に流出領域２１２が形成されている場合、２カ所の流出領域２１２の方向に冷却時の張力が働き、導電体２０６を構成する材料が２カ所の流出領域２１２の方向に移動する。これにより、切断箇所２１４の両側で材料が互いに反対方向に移動して、切断箇所２１４を充分大きく形成することができる。

以上のように、クラックアシスト型切断により、電気ヒューズ２００を確実に切断することができるとともに、切断状態を良好に保つことができる。

ところで、本発明者は、特許文献１等に記載された複数の折り返し構造を有する電気ヒューズをクラックアシスト型切断により切断した場合、以下のような問題が生じることを見出した。

図２０は、特許文献１等に記載されたのと同様、導電体が複数回折り返した構造を有する電気ヒューズを示す平面図である。電気ヒューズ２００は、導電体２０６と、その一端および他端にそれぞれ設けられた第１の端子２０２および第２の端子２０４とを有する。ここで、電気ヒューズ２００は、クラックアシスト型切断により切断されやすい構成とされる。すなわち、図５を参照して説明したのと同様の半導体装置１００に含まれる構成とすることができる。

このように構成された電気ヒューズ２００の第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に所定の電圧を印加すると、第１の端子２０２から第２の端子２０４の方向に電流が流れる。このとき、導電体２０６の折り返し箇所では、複数の直線部が互いに略平行に並置されている。他の直線部で囲まれた直線部には、他の直線部からの熱が流れ込み、中央部分の温度が比較的高い温度に保たれる。導電体２０６において、温度が高い部分では、ヒューズ構成材料が膨張しやすいため、この箇所でクラック等が生じ、ヒューズ構成材料の流出が生じ得る。このとき、ヒューズ構成材料の移動が追いつかなかった箇所で導電体２０６が切断され、切断箇所２１４が形成される。しかし、このような構成の電気ヒューズ２００では、中央部分の直線部は他の直線部と隣接しているため、流出領域２１２が隣接する他の直線部にまで広がり、隣接する直線部間が導通してしまうことがある。図示したように、切断箇所２１４が導通部分の間に形成されていた場合、導電体２０６が電気的に接続した状態となってしまう。

本発明者は、とくにクラックアシスト型切断により電気ヒューズ２００を切断する際に、クラック等を生じやすくして、切断が起こりやすいようにするとともに、上記のような導通の問題が生じない構成の電気ヒューズ２００を開発した。以下、その構成を説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態における半導体装置に含まれる電気ヒューズの構成を示す平面図である。
電気ヒューズ２００は、太幅配線２０７（第１の配線）および細幅配線２０９（第２の配線）により構成された導電体２０６と、導電体２０６の一端および他端にそれぞれ形成された第１の端子２０２および第２の端子２０４とを含む。細幅配線２０９は、太幅配線２０７よりも、電流方向に略垂直な方向の配線幅（以下単に配線幅という。）が狭く形成される。また、電気ヒューズ２００は、太幅配線２０７の折り返しにより複数の直線部が並行配置された並行配置領域２０８を有する。本実施の形態において、電気ヒューズ２００は、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に電流を流すことにより導電体２０６が切断される電気ヒューズ（Ｅヒューズ）である。

細幅配線２０９は、並行配置領域２０８外で太幅配線２０７に接続される。細幅配線２０９は、第１の端子２０２に接続された第１の細幅直線部２０９ａ、第１の細幅直線部２０９ａに接続された第２の細幅直線部２０９ｂ、第２の端子２０４に接続された第４の細幅直線部２０９ｄ、および第４の細幅直線部２０９ｄに接続された第３の細幅直線部２０９ｃを含む。太幅配線２０７は、第２の細幅直線部２０９ｂと第３の細幅直線部２０９ｃとの間に、離隔部２０７ａ（第３の接続部）、太幅直線部２０７ｂ、太幅接続部２０７ｃ、太幅直線部２０７ｄ、太幅接続部２０７ｅ、太幅直線部２０７ｆ、太幅接続部２０７ｇ、太幅直線部２０７ｈ、太幅接続部２０７ｉ、太幅直線部２０７ｊおよび離隔部２０７ｋ（第３の接続部）がこの順で接続された構成を有する。本実施の形態において、太幅直線部２０７ｂ、太幅直線部２０７ｄ、太幅直線部２０７ｆ、太幅直線部２０７ｈ、および太幅直線部２０７ｊは、互いに略平行に並行配置される。本実施の形態において、並行配置領域２０８において、太幅配線２０７が少なくとも２回折り返すことにより３つの直線部が並行配置された構成となっている。また、並行配置領域２０８において、太幅配線２０７は、略平行に並行配置された第１の直線部（たとえば太幅直線部２０７ｂ）および第２の直線部（たとえば太幅直線部２０７ｄ）と、第１の直線部の一端と第２の直線部の一端とを接続する第１の接続部（たとえば太幅接続部２０７ｃ）とを含むように折り返された構成となっている。また、太幅配線２０７は、第１の直線部の他端に一端が接続され、第１の直線部の延在方向に略垂直であって第２の直線部から遠ざかる方向に延在する第３の接続部（たとえば離隔部２０７ａ）をさらに含み、細幅配線２０９は、第３の接続部の他端に接続された構成となっている。

以下、第１の端子２０２から第２の端子２０４に至る方向を進行方向という。導電体２０６は、第１の細幅直線部２０９ａと第２の細幅直線部２０９ｂとの接続箇所で進行方向に向かって左側に約９０度折れ曲がっている。第２の細幅直線部２０９ｂと離隔部２０７ａとは同一直線上に形成される。導電体２０６は、離隔部２０７ａと太幅直線部２０７ｂとの接続箇所で、進行方向に向かって左側に約９０度折れ曲がっている。さらに、導電体２０６は、太幅直線部２０７ｂと太幅接続部２０７ｃとの接続箇所で進行方向に向かって右側に約９０度折れ曲がり、太幅接続部２０７ｃと太幅直線部２０７ｄとの接続箇所で再度進行方向に向かって右側に約９０度折れ曲がっている。同様に、導電体２０６は、太幅直線部２０７ｄと太幅接続部２０７ｅとの接続箇所および太幅接続部２０７ｅと太幅直線部２０７ｆとの接続箇所でそれぞれ進行方向に向かって左側に約９０度折れ曲がっている。導電体２０６は、さらに、太幅直線部２０７ｆと太幅接続部２０７ｇとの接続箇所および太幅接続部２０７ｇと太幅直線部２０７ｈとの接続箇所でそれぞれ進行方向に向かって右側に約９０度折れ曲がっている。導電体２０６は、太幅直線部２０７ｈと太幅接続部２０７ｉとの接続箇所および太幅接続部２０７ｉと太幅直線部２０７ｊとの接続箇所でそれぞれ進行方向に向かって左側に約９０度折れ曲がっている。さらに、導電体２０６は、太幅直線部２０７ｊと離隔部２０７ｋとの接続箇所および第３の細幅直線部２０９ｃと第４の細幅直線部２０９ｄとの接続箇所でそれぞれ進行方向に向かって右側に約９０度折れ曲がっている。以上により、並行配置領域２０８において、太幅配線２０７が複数回折り返して蛇行した形状を有する。ここで、「折り返す」とは、導電体２０６が９０度より大きく折り返す箇所のことである。図１に示した構成において、太幅配線２０７は、４回折り返している。

図２は、図１に示した電気ヒューズ２００を含む半導体装置の構成を示す平面図である。図２（ａ）は切断前の電気ヒューズ２００を含む半導体装置１００の構成を示す。図２（ｂ）は、切断後の電気ヒューズ２００を含む半導体装置１００の構成を示す。

半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、その上に形成されるとともに凹部が形成された第１の絶縁膜１０２とを含む。電気ヒューズ２００は第１の絶縁膜１０２上に形成され、導電体２０６は、第１の絶縁膜１０２の凹部を埋め込むように形成される。

本実施の形態において、電気ヒューズ２００の形状が異なるだけで、半導体装置１００は、図５を参照して説明したのと同様の構成を有する。図５は、図２（ａ）のＣ−Ｃ’断面図に該当する。また、図６（ｂ）〜図６（ｄ）は、図２（ｂ）のＤ−Ｄ’断面図に該当する。第１の被覆膜１０６は、少なくとも太幅配線２０７の上面に形成される。また、太幅配線２０７および細幅配線２０９は、第１の絶縁膜１０２の凹部を埋め込むように形成される。さらに、少なくとも太幅配線２０７は、凹部内において、第２の被覆膜１０４上に形成される。なお、第１の被覆膜１０６および第２の被覆膜１０４は、半導体基板上の全面に形成された構成とすることもできる。

本実施の形態において、太幅配線２０７は、並行配置領域２０８において複数の直線部の折り返し構造を有する。たとえば、太幅直線部２０７ｄ、太幅直線部２０７ｆ、太幅直線部２０７ｈ等は、両側が太幅配線２０７の他の直線部に囲まれた形状となっている。また、太幅直線部２０７ｂおよび太幅直線部２０７ｊも、太幅配線２０７の他の直線部と隣接している。本実施の形態において、並行配置領域２０８では、太幅配線２０７の折り返し構造が形成されるため、導電体２０６に電流が流れたときに、並行配置領域２０８において、導電体２０６が比較的高い温度に保たれる。従って、本実施の形態における電気ヒューズ２００において、並行配置領域２０８でヒューズ構成材料が最も膨張しやすくなる。そのため、並行配置領域２０８でクラック等が生じ、膨張したヒューズ構成材料がクラック内に流出されやすくなる。並行配置領域２０８でヒューズ構成材料が外部に流出されると、ヒューズ構成材料がその方向に移動する。本実施の形態において、太幅配線２０７の配線幅が太く形成されているため、太幅配線２０７の切断が回避される。一方、細幅配線２０９は、配線幅が狭く形成されているため、切断されやすくなる。とくに、太幅配線２０７と直接接続された第２の細幅直線部２０９ｂや第３の細幅直線部２０９ｃで切断が生じやすくなる。

以上から、本実施の形態において、並行配置領域２０８は、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に所定の電流値を超える電流が流れたときにヒューズ構成材料が凹部外に流出される流出予定領域となる。また、電気ヒューズ２００において、並行配置領域２０８からヒューズ構成材料が流出して凹部内のヒューズ構成材料が並行配置領域２０８の方向に急激に移動することにより切断される切断予定領域２１０ａおよび切断予定領域２１０ｂがそれぞれ第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃ上に設けられる。ここで、予定領域とは、流出が生じる可能性が高い領域、または切断が生じる可能性が高い領域のことであり、必ずしもその領域で流出や切断が生じるとは限らない。

太幅配線２０７の配線幅は、太幅配線２０７において切断が生じないようにすべく、ある程度太く形成する必要がある。このような観点からは、太幅配線２０７の配線幅は、細幅配線２０９の配線幅の約１．２５倍以上とすることができる。一方、太幅配線２０７を太くしすぎると、折り返し部分における発熱が減ってしまい、太幅配線２０７の折り返し部分で選択的に流出を生じさせる効果が低減する。このような観点からは、太幅配線２０７の配線幅は、細幅配線２０９の配線幅の約２倍以下とすることができる。太幅配線２０７の配線幅は、たとえば０．１６μｍとすることができる。細幅配線２０９の配線幅は、たとえば０．１２μｍとすることができる。細幅配線２０９の配線幅は、太幅配線２０７の配線幅の８０％以下となるように構成することができる。これにより、太幅配線２０７において、ヒューズ構成材料が外部に流出しても、太幅配線２０７で切断が生じることなく、細幅配線２０９で切断が生じるようにすることができる。

また、離隔部２０７ａおよび離隔部２０７ｋは、細幅配線２０９を並行配置領域２０８から離隔する。このような離隔部２０７ａおよび離隔部２０７ｋを設けることにより、並行配置領域２０８において流出したヒューズ構成材料が、切断箇所にかからないようにすることができる。図面では模式的にしか示していないが（以下、他の図面でも同様）、離隔部２０７ａおよび離隔部２０７ｋの幅Ｄ_１は、太幅配線２０７の配線幅の約３倍以上の配線幅とすることができる。

このような構成とすることにより、並行配置領域２０８から離れた箇所に切断箇所２１４ａや切断箇所２１４ｂを形成することができる。そのため、並行配置領域２０８で、隣接する直線部間にまたがって流出領域２１２が形成された場合でも、電気ヒューズ２００を確実に切断することができる。

次に、本実施の形態における半導体装置１００において、電気ヒューズ２００をクラックアシスト型切断により切断するメカニズムを説明する。

第１の端子２０２にＶ_ＣＣが印加され、第２の端子２０４が接地されると、第１の端子２０２から第２の端子２０４の方向に電流が流れる。このとき、電子は第２の端子２０４から第１の端子２０２の方向に移動する。第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に流れる電流により、ヒューズ構成材料が加熱され、熱膨張する。本実施の形態において、並行配置領域２０８では、他の領域に比べて加熱されやすく、ヒューズ構成材料が熱膨張しやすくなる。そのため、並行配置領域２０８において、大きなクラックが生じ得る。ヒューズ構成材料がさらに加熱されて膨張することにより、大きなクラックが生じた箇所に、ヒューズ構成材料が流れ込む。その結果、図２（ｂ）に示したように、並行配置領域２０８に流出領域２１２が形成される。

また、並行配置領域２０８と第２の細幅直線部２０９ｂや第３の細幅直線部２０９ｃとの間には離隔部２０７ａおよび離隔部２０７ｋがそれぞれ形成されているため、切断箇所を並行配置領域２０８から離れた位置に生じさせることができる。このようなメカニズムにより、流出領域２１２からある程度離れた箇所に大きな切断箇所２１４が形成される。

なお、図２（ｂ）では、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃの両方に切断箇所２１４ａおよび切断箇所２１４ｂがそれぞれ設けられた構成を示したが、図３に示したように、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃのいずれか一方にのみ切断箇所が生じた構成とすることもできる。また、切断箇所は、図示した以外の箇所、たとえば第１の細幅直線部２０９ａ上や第４の細幅直線部２０９ｄ上等に形成されてもよい。また、本実施の形態において、第１の細幅直線部２０９ａおよび第４の細幅直線部２０９ｄが細幅配線２０９により構成される例を示したが、これらは太幅配線２０７により構成されるようにしてもよい。

（電気ヒューズへの電圧印加）
上述したように、本実施の形態において、電気ヒューズ２００に過剰なパワーを印加して導電体２０６に流出領域２１２を形成するとともに切断箇所２１４を生じさせる。本実施の形態において、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間には、たとえば２〜５Ｖ程度の電圧を印加する。これにより、上記のように構成された半導体装置１００において、電気ヒューズ２００に流出領域２１２および切断箇所２１４を形成するようにすることができる。

図９は、半導体装置１００の電気ヒューズ２００を含む回路構成を示す図である。
電気ヒューズ２００の第１の端子２０２は電源線２２２に接続されており、第２の端子２０４はトランジスタ２２０のソース・ドレインの一方に接続されている。トランジスタ２２０のソース・ドレインの他方は接地される。また、ここでは図示していないが、半導体装置１００は複数の電気ヒューズ２００を有し、複数の電気ヒューズ２００が電源線２２２に接続される。そのため、電源線２２２には、浮遊容量２２４が付加された状態となる。このように構成された回路において、電気ヒューズ２００を切断する手順を説明する。

本実施の形態において、電源線２２２をオンとするとともに、トランジスタ２２０をオンとすることにより、第１の端子２０２に電源電圧Ｖ_ＣＣが印加され、第２の端子２０４が接地されて、導電体２０６に電流が流れる。その結果、導電体２０６に切断箇所が生じる。ここで、電気ヒューズ２００への電圧印加は、電源線２２２をオンとした後にトランジスタ２２０をオンとすることができる。

図１０は、トランジスタのオンのタイミングと、電気ヒューズの第１の端子と第２端子との間に印加される電圧値とを示す図である。
電源線２２２をオンにした後にトランジスタ２２０をオンとすると、トランジスタ２２０がオンとなったタイミングで一瞬の電圧降下が生じるが、その後すぐに電圧値はＶ_ＣＣとなる。その結果、トランジスタ２２０をオンとした時点で電気ヒューズ２００に過剰なパワーが印加されることになる。これにより、導電体２０６を第１の絶縁膜１０２の凹部外に流出させて流出領域２１２を形成するとともに大きな切断箇所２１４を形成することができる。

図１１は、半導体装置１００の電気ヒューズ２００を含む回路構成の他の例を示す図である。
ここで、第１の端子２０２を、電気ヒューズ２００を切断することにより減少する電荷量よりも充分大きい容量を有する回路に接続しておくことができる。電源線２２２は、外部端子３００を介して外部電源３０２と接続されている。また、電源線２２２は、充分大きい容量を有するたとえば外部容量３０４やＥＳＤ保護回路３０６等の回路に接続される。外部容量３０４は、たとえばプローブカード等のチップ外部に設けた構成とすることができる。電源線２２２は、外部容量３０４およびＥＳＤ保護回路３０６の両方に接続された構成とすることもでき、いずれか一方に接続された構成とすることもできる。

ここで、たとえば浮遊容量２２４の容量をＣ_０、外部容量３０４およびＥＳＤ保護回路３０６のうち、電源線２２２に接続されたものの容量をＣ_１とする。また、外部電源３０２から供給される電圧をＶ_ＣＣとすると、電気ヒューズ２００切断前に半導体装置１００に蓄積される電荷量Ｑは、
Ｑ＝（Ｃ_０＋Ｃ_１）×Ｖ_ＣＣ
となる。

電気ヒューズ２００切断時に流れる電流をＩ_ｃｕｔ、電気ヒューズ２００切断にかかる時間をＴ_ｃｕｔとすると、電気ヒューズ２００を切断することにより減少する電荷量は、
ΔＱ＝Ｉ_ｃｕｔ×Ｔ_ｃｕｔ
となる。

本実施の形態において、ΔＱ／Ｑ＜０．０１（式１）となるように、Ｃ_０およびＣ_１を設定することができる。これにより、図１０に示したように、トランジスタ２２０がオンとなったタイミングで一瞬生じる電圧降下を抑制することができる。なお、電源線２２２に多数の電気ヒューズ２００が接続され、浮遊容量２２４の容量Ｃ_０のみで式１を満たす場合は、外部容量３０４やＥＳＤ保護回路３０６を電源線２２２に接続しない構成とすることもできる。また、容量Ｃ_０と外部容量３０４およびＥＳＤ保護回路３０６のいずれか一方とのみで式１を満たす場合は、外部容量３０４およびＥＳＤ保護回路３０６のいずれか一方のみを電源線２２２に接続した構成とすることができる。

（変形例）
次に、本実施の形態における半導体装置１００の変形例を説明する。

図１２は、本実施の形態における半導体装置１００の他の例を示す平面図である。図１２（ａ）は電気ヒューズ２００の切断前の構成の一例、図１２（ｂ）は電気ヒューズ２００の切断後の構成の一例を示す。

ここで、電気ヒューズ２００が第１の細幅直線部２０９ａおよび第４の細幅直線部２０９ｄを有しない点で、図１および図２に示した構成と異なる。このような構成においても、図１および図２に示したのと同様の効果が得られる。また、図１２（ｂ）では、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃの両方に切断箇所２１４ａおよび切断箇所２１４ｂがそれぞれ設けられた構成を示しているが、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃのいずれか一方にのみ切断箇所が生じた構成とすることもできる。

図１３は、本実施の形態における半導体装置１００のまた他の例を示す平面図である。図１３（ａ）は電気ヒューズ２００の切断前の構成の一例、図１３（ｂ）は電気ヒューズ２００の切断後の構成の一例を示す。

ここで、細幅配線２０９は、第１の端子２０２に接続された第２の細幅直線部２０９ｂと、第２の端子２０４に接続された第３の細幅直線部２０９ｃとを含む。太幅配線２０７は、第２の細幅直線部２０９ｂと第３の細幅直線部２０９ｃとの間に、離隔部２０７ａ（延在部）、太幅直線部２０７ｂ、太幅接続部２０７ｃ、太幅直線部２０７ｄ、太幅接続部２０７ｅ、太幅直線部２０７ｆ、および離隔部２０７ｋ（延在部）がこの順で接続された構成を有する。太幅直線部２０７ｂ、離隔部２０７ａおよび第２の細幅直線部２０９ｂ、ならびに太幅直線部２０７ｆ、離隔部２０７ｋ、および第３の細幅直線部２０９ｃはそれぞれ同一直線上に延在するように形成される。

以下、第１の端子２０２から第２の端子２０４に至る方向を進行方向という。導電体２０６は、第２の細幅直線部２０９ｂ、離隔部２０７ａ、および太幅直線部２０７ｂにかけて、一方向に延在している。導電体２０６は、太幅直線部２０７ｂと太幅接続部２０７ｃとの接続箇所で進行方向に向かって右側に約９０度折れ曲がり、太幅接続部２０７ｃと太幅直線部２０７ｄとの接続箇所で進行方向に向かって再度右側に約９０度折れ曲がっている。これにより、１回折り返す。同様に、導電体２０６は、太幅直線部２０７ｄと太幅接続部２０７ｅとの接続箇所、太幅接続部２０７ｅと太幅直線部２０７ｆとの接続箇所でそれぞれ進行方向に向かって左側に約９０度折れ曲がっている。これにより、並行配置領域２０８において、太幅配線２０７が２回折り返して蛇行した形状（逆Ｓ字形状）を有する。さらに、導電体２０６は、太幅直線部２０７ｆ、離隔部２０７ｋ、および第３の細幅直線部２０９ｃにかけて、一方向に延在している。

このような構成においても、太幅配線２０７が折り返し構造を有するため、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に電流が流れると、並行配置領域２０８に熱が集まりやすくなり、この部分で太幅配線２０７が比較的高い温度に保たれる。そのため、並行配置領域２０８で、ヒューズ構成材料の流出が生じやすくなる。また、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃは、太幅配線２０７よりも配線幅が狭く形成されているので、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃに切断箇所が生じやすくなる。さらに、第２の細幅直線部２０９ｂおよび第３の細幅直線部２０９ｃは、それぞれ、離隔部２０７ａおよび離隔部２０７ｋにより、並行配置領域２０８から離隔されているので、並行配置領域２０８で流出領域２１２が形成されたときに、流出したヒューズ構成材料が切断箇所２１４ａや切断箇所２１４ｂにまで流れ込むことのないようにすることができる。

なお、太幅配線２０７において、複数の直線部や接続部は、配線幅が異なるようにすることもできる。たとえば、図１３に示した例において、太幅直線部２０７ｄは、太幅直線部２０７ｂや太幅直線部２０７ｆよりも配線幅が太くなるように形成することができる。このような構成とすることにより、太幅直線部２０７ｄにおいて流出が生じやすくなるようにできるとともに、太幅直線部２０７ｄで切断が生じにくくなるようにすることができる。なお、いずれの場合でも、太幅配線２０７を構成する直線部や接続部は、細幅配線２０９よりも配線幅が広くなるように形成される。また、太幅配線２０７において、各直線部と接続部の配線幅の差は、大きく変化しないことが好ましい。太幅配線２０７における各直線部と接続部の配線幅の差はたとえば３０％以内の範囲内とすることが好ましい。

以上のように、本実施の形態における半導体装置１００によれば、クラックアシスト型切断により電気ヒューズ２００を切断する際に、クラック発生を促進してヒューズ構成材料を外部に流出しやすくすることができるとともに、切断箇所を流出領域から離して形成することができ、配線間ショートにより切断した電気ヒューズ２００が導通してしまうのを防ぐこともできる。

（第２の実施の形態）
図１４は、本実施の形態における半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。図１４（ａ）は電気ヒューズ２００の切断前の構成の一例、図１４（ｂ）は電気ヒューズ２００の切断後の構成の一例を示す。

本実施の形態において、細幅配線２０９が第２の端子２０４側にだけ設けられ、太幅配線２０７が第１の端子２０２と直接接続されている点で、第１の実施の形態で示した電気ヒューズ２００と構成が異なる。ここで、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間には、太幅接続部２０７ｌ、太幅配線２０７の折り返し構造、離隔部２０７ｋ、および細幅配線２０９がこの順で接続された構成を有する。

このような構成においては、細幅配線２０９上に切断予定領域２１０が設けられる。また、図１４（ｂ）に示したように、細幅配線２０９上に切断箇所２１４が形成される可能性が高くなる。

図１５は、本実施の形態における半導体装置１００の構成の他の例を示す平面図である。図１５（ａ）は電気ヒューズ２００の切断前の構成の一例、図１５（ｂ）は電気ヒューズ２００の切断後の構成の一例を示す。

電気ヒューズ２００は、図１４に示したのと同様の構成を有する。半導体装置１００は、上方、下方および側方を、電気ヒューズ２００を構成する導電体２０６とは別の第２の導電体により構成されるカバー部材１２４により電気ヒューズ２００を覆った構成を有する。

以下、カバー部材１２４の構成を説明する。
カバー部材１２４は、ビア１２０、電極１２２、および図示しないプレートにより構成される。電極１２２は、電気ヒューズ２００の導電体２０６と同レベルに形成されたパッド電極とすることができる。また、ビア１２０は、電極１２２の上層および下層に形成され、さらにその上層および下層に形成されたプレートと電極１２２とを接続する。ビア１２０は、スリットビアとすることができ、ビア１２０と電極１２２とで、導電体２０６の周囲を壁状に覆う構成とすることができる。

これにより、第１の端子２０２と第２の端子２０４との間に電流を流したときに、電気ヒューズ２００に発生する熱をカバー部材１２４により反射させてカバー部材１２４内部に閉じ込めることができ、半導体装置１００において、クラック１１０が発生しやすいようにすることができるとともに、導電体２０６を容易に切断することができる。また、導電体２０６が切断されるときに、導電体２０６の構成材料が周囲に飛散するのをカバー部材１２４によりブロックすることができる。これにより、導電体２０６の構成材料の飛散物が他の素子に達しないようにすることができる。

なお、カバー部材１２４は、以上で説明したように、電気ヒューズ２００の上下左右をほぼ完全に包囲する構造とすることもできるが、これに限定されず、たとえば電気ヒューズ２００の一部のみを覆った構造とすることもできる。

本実施の形態において、細幅配線２０９が第２の端子２０４側にだけ設けられた構成を示したが、第１の端子２０２側だけに細幅配線２０９が設けられた構成とすることもできる。

本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したのと同様の効果が得られる。

（第３の実施の形態）
図１６は、本実施の形態における半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。ここでは電気ヒューズ２００の切断前の構成の一例を示す。

本実施の形態の電気ヒューズ２００において、それぞれ折り返し構造を有する２つの太幅配線２０７Ａおよび太幅配線２０７Ｂが第１の端子２０２および第２の端子２０４にそれぞれ接続され、太幅配線２０７Ａと太幅配線２０７Ｂとの間に細幅配線２０９が設けられた点で、第１〜第２の実施の形態で示した半導体装置１００と異なる。太幅配線２０７Ａおよび太幅配線２０７Ｂは、それぞれ、細幅配線２０９との接続部分に隔離部２０７ｍおよび隔離部２０７ｎが設けられた構成を有する。

このような構成とすると、太幅配線２０７Ａの並行配置領域２０８ａおよび太幅配線２０７Ｂの並行配置領域２０８ｂでヒューズ構成材料の流出が生じやすいようにすることができる。並行配置領域２０８ａおよび並行配置領域２０８ｂの両方でヒューズ構成材料が流出した場合、細幅配線２０９において、ヒューズ構成材料が両側に移動するので、より大きな切断箇所が形成されやすくなる。なお、並行配置領域２０８ａや並行配置領域２０８ｂ内に細幅配線が設けられている場合、その箇所で切断が生じやすくなる。電気ヒューズ２００の一部を流出させて電気ヒューズ２００を切断する方式を用いた場合、流出領域と切断箇所とを離しておかないと、上述したように、切断箇所の再接続が生じたり、切断箇所以外の場所で配線間のショートが生じる可能性がある。本実施の形態において、細幅配線２０９は、隔離部２０７ｍや隔離部２０７ｎにより並行配置領域２０８ａや並行配置領域２０８ｂから間隔を隔てて配置されるので、ヒューズ構成材料の流出領域と、電気ヒューズ２００の切断箇所とを別の場所に形成することができる。

本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したのと同様の効果が得られる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

以上の実施の形態においては、電気ヒューズ２００において、太幅配線２０７が折り返し箇所でコの字型に折り返す構成を示したが、図１７に示すように、太幅接続部２０７ｃや太幅接続部２０７ｅを湾曲形状として、太幅配線２０７が折り返し箇所でＵ字型に折り返すような構成とすることもできる。

また、以上の実施の形態において、太幅配線２０７の折り返し箇所において、隣接する直線部が略平行に並置された構成を示したが、図１８に示すように、略平行に配置された太幅直線部２０７ｂと太幅直線部２０７ｄとを、太幅接続部２０７ｃがたすきがけるように接続した構成とすることもできる。ここで、太幅配線２０７は、Ｚ字型に折り返されたジグザグ構造に形成することができる。

また、以上の実施の形態において、太幅配線２０７が複数回折り返した構成を示したが、電気ヒューズ２００は、並行配置領域２０８において、太幅配線２０７が１回だけ折り返した構成とすることもできる。図１９に示すように、太幅配線２０７が１回だけ折り返した構成においても、太幅直線部２０７ｂと太幅直線部２０７ｄとは隣接しているため、この箇所でヒューズ構成材料が加熱されやすくなり、ヒューズ構成材料が流出する可能性が高くなる。太幅配線２０７の配線幅を広くしておくことにより、並行配置領域２０８で切断が生じないようにすることができるので、太幅直線部２０７ｂと太幅直線部２０７ｄとの間隔を広くとらなくても、配線間ショートを防ぐことができる。図１９（ｂ）に示したように、第２の端子２０４側だけに細幅配線２０９が設けられた構成とすることもできる。ここで、第１の端子２０２と太幅直線部２０７ｂとは太幅接続部２０７ｌにより接続される。また、ここで図示していないが、第１の端子２０２側だけに細幅配線２０９が設けられた構成とすることもできる。

さらに、第２の実施の形態において、図１５を参照して半導体装置１００がカバー部材１２４を有する構成を示したが、他の実施の形態においても、半導体装置１００がカバー部材１２４を有する構成とすることができる。

以上の実施の形態において、図５に示したように、導電体２０６の上面に第１の被覆膜１０６が形成され、それ以外の部分を第２の被覆膜１０４が覆う構成を示したが、第１の被覆膜１０６は、導電体２０６の上面以外の部分に設けられた構成とすることもできる。たとえば、半導体装置１００は、半導体基板（不図示）の積層方向の断面において、導電体２０６の表面の一部の領域に第１の被覆膜１０６が形成されるとともに、他の領域に第２の被覆膜１０４が形成された構成とすることができる。

なお、以上の実施の形態においては、クラックアシスト型切断により電気ヒューズ２００を切断する例を示したが、以上の実施の形態で説明した構成の電気ヒューズ２００を従来の溶断やエレクトロマイグレーション等により切断した場合でも、加熱されやすい箇所と切断箇所とを異なる場所に形成することができ、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つことができる。

本発明の実施の形態における半導体装置に含まれる電気ヒューズの構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 クラックアシスト型切断のメカニズムを切断するための半導体装置の構成を示す平面図である。 図４のＡ−Ａ’断面図である。 切断のメカニズムを説明するための断面図である。 導電体が切断されるメカミニズムを模式的に示す図である。 導電体が切断された後の導電体を構成する材料の移動を示す図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の電気ヒューズを含む回路構成を示す図である。 トランジスタのオンのタイミングと、電気ヒューズの第１の端子に印加される電圧値とを示す図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。 電気ヒューズの構成の他の例を示す平面図である。 折り返し構造を有する電気ヒューズにおいて、隣接する配線間がショートした構成を示す図である。 従来の電流ヒューズの一例を示す上面図である。

符号の説明

１００ 半導体装置
１０２ 第１の絶縁膜
１０４ 第２の被覆膜
１０６ 第１の被覆膜
１０８ 第２の絶縁膜
１１０ クラック
１２０ ビア
１２２ 電極
１２４ カバー部材
２００ 電気ヒューズ
２０２ 第１の端子
２０４ 第２の端子
２０６ 導電体
２０７ 太幅配線
２０７ａ、２０７ｋ、２０７ｍ、２０７ｎ 離隔部
２０７ｂ、２０７ｄ、２０７ｆ、２０７ｈ、２０７ｊ、２０７ｍ 太幅直線部
２０７ｃ、２０７ｅ、２０７ｇ、２０７ｉ、２０７ｌ 太幅接続部
２０８ 並行配置領域
２０９ 細幅配線
２０９ａ 第１の細幅直線部
２０９ｂ 第２の細幅直線部
２０９ｃ 第３の細幅直線部
２０９ｄ 第４の細幅直線部
２１０ 切断予定領域
２１２ 流出領域
２１４ 切断箇所
２２０ トランジスタ
２２２ 電源線
２２４ 浮遊容量
２３０ クラック発生箇所
３００ 外部端子
３０２ 外部電源
３０４ 外部容量
３０６ ＥＳＤ保護回路

Claims (13)

1. 半導体基板と、
   該半導体基板上に形成され、第１の配線および第２の配線を含む電気ヒューズと、を備え、
   前記電気ヒューズは、前記第１の配線の折り返しにより複数の直線部が並行配置された領域を有し、
   前記第２の配線は、該第１の配線よりも配線幅が狭く形成されるとともに前記領域外で前記第１の配線に接続され、前記領域から遠ざかるように伸張している第１の部分を有し、前記第１の部分の前記伸長する方向の長さは、隣接する前記直線部間の間隔よりも長いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記領域において、前記第１の配線が少なくとも２回折り返すことにより３つの直線部が並行配置された半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記領域において、前記第１の配線は、略平行に並行配置された第１の直線部および第２の直線部と、前記第１の直線部の一端と前記第２の直線部の一端とを接続する第１の接続部とを含むように折り返された半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記領域において、前記第１の配線は、前記第１の直線部と略平行に、前記第２の直線部を挟んで並行配置された第３の直線部と、前記第３の直線部の一端と前記第２の直線部の他端とを接続する第２の接続部と、をさらに含むように折り返された半導体装置。
5. 請求項３または４に記載の半導体装置において、
   前記第１の直線部は、他端側において、前記第２の直線部よりも長く延在する延在部を有し、
   前記第２の配線は、前記第１の直線部の他端に接続された半導体装置。
6. 請求項３または４に記載の半導体装置において、
   前記第１の配線は、前記第１の直線部の他端に一端が接続され、前記第１の直線部の延在方向に略垂直であって前記第２の直線部から遠ざかる方向に延在する第３の接続部をさらに含み、
   前記第２の配線は、前記第３の接続部の他端に接続された半導体装置。
7. 請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置において、
   前記第１の配線は、前記領域と前記第２の配線との間に形成され、前記第２の配線を前記領域から離隔する離隔部をさらに含み、前記第２の配線は、前記離隔部に接続された半導体装置。
8. 請求項１乃至７いずれかに記載の半導体装置において、
   前記第１の配線および前記第２の配線は、銅を主成分として含む銅含有金属膜により構成された半導体装置。
9. 請求項１乃至８いずれかに記載の半導体装置において、
   前記半導体基板上に形成されるとともに凹部が形成された第１の絶縁膜と、
   少なくとも前記第１の配線の上面に形成された第１の被覆膜と、
   前記凹部の側面および底面に形成されるとともに、前記第１の被覆膜と異なる第２の被覆膜と、をさらに含み、
   前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の絶縁膜の凹部を埋め込むように形成され、
   前記第１の配線は、前記凹部内において、前記第２の被覆膜上に形成された半導体装置。
10. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記第１の被覆膜よりもヤング率の低い材料により構成され、前記第１の被覆膜上に形成された第２の絶縁膜をさらに含む半導体装置。
11. 請求項９または１０に記載の半導体装置において、
    前記第１の被覆膜は、前記第２の被覆膜よりもヤング率の低い材料により構成された半導体装置。
12. 請求項９乃至１１いずれかに記載の半導体装置において、
    前記領域には、前記第１の配線を構成する材料が前記凹部外に流出した流出領域が形成された半導体装置。
13. 請求項１２に記載の半導体装置において、
    前記第１の被覆膜にはクラックが形成され、前記流出領域は、前記第１の配線を構成する材料が前記クラック内に流出して形成された半導体装置。

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