JPH0864750A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0864750A
JPH0864750A JP19835794A JP19835794A JPH0864750A JP H0864750 A JPH0864750 A JP H0864750A JP 19835794 A JP19835794 A JP 19835794A JP 19835794 A JP19835794 A JP 19835794A JP H0864750 A JPH0864750 A JP H0864750A
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JP
Japan
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power supply
inner lead
semiconductor device
cut
supply voltage
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Application number
JP19835794A
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English (en)
Inventor
Yuichi Suyama
山 雄 一 陶
Yuzo Fukuzaki
崎 勇 三 福
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Priority to TW084110207A priority patent/TW344894B/zh
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 １本のインナリードに複数本のボンディング
ワイヤが接続された配線構造を有する装置において、大
電流により半導体チップや試験治具等が損傷することを
防止し得る半導体装置を提供する。 【構成】 複数のパッド１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３
ｂを有する半導体チップ３と、複数のパッド１１ａ〜１
３ａ、１１ｂ〜１３ｂと複数のボンディングワイヤ１４
ａ〜１６ａ、１４ｂ〜１６ｂにより接続され途中に切断
された部分を含むインナリード１ａ、１ｂと、インナリ
ード１ａ、１ｂの切断部分の両端を電気的に接続しイン
ナリードよりも小さい電流で溶断するボンディングワイ
ヤ６ａ、６ｂとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
１本のインナリードに複数のボンディングワイヤが接続
された装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、１本のインナリードに
複数のボンディングワイヤが接続された配線構造を有す
るものがある。
【０００３】図９に、このような配線構造を有する従来
の半導体装置の構成を示す。半導体チップ３がベッド１
０上に搭載されており、半導体チップ３の表面には、電
源電圧Ｖccを供給されるための電源パッド１１ａ、１２
ａ、１３ａと、接地電源電圧Ｖssを供給されるための電
源パッド１１ｂ、１２ｂ、１３ｂとが設けられている。
電源パッド１１ａ、１２ａ、１３ａは、それぞれボンデ
ィングワイヤ１４ａ、１５ａ、１６ａによって電源電圧
Ｖcc供給用の電源インナリード１ａに接続されている。
同様に、電源パッド１１ｂ、１２ｂ、１３ｂは、それぞ
れボンディングワイヤ１４ｂ、１５ｂ、１６ｂにより接
地電源電圧Ｖss供給用の電源インナリード１ｂに接続さ
れている。
【０００４】このように、この半導体装置は１本の電源
インナリード１ａに複数のボンディングワイヤ１４ａ〜
１６ａを介して複数の電源パッド１１ａ〜１３ａが接続
され、また１本の電源インナリード１ｂに複数のボンデ
ィングワイヤ１４ｂ〜１６ｂを介して複数の電源パッド
１１ｂ〜１３ｂが接続された構造を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
ではラッチアップ等により突発的に大電流が流れる場合
がある。直径約３０μｍの１本のボンディングワイヤが
溶断するときの電流は、一般に約０．７Ａとされてい
る。よって、１本のインナリードに１本のボンディング
ワイヤが接続されている場合には、０．７Ａを超えるよ
うな電流が流れるとボンディングワイヤが溶断され、電
流路が絶たれる。これにより、半導体チップやバーンイ
ン装置等の試験用治具等に損傷を与えずに済む。
【０００６】しかし、上述したように１本のインナリー
ドに複数本のボンディングワイヤが接続されている装置
では、その本数分の溶断電流が流れるまでは電流路は絶
たれず、その結果半導体チップや試験用治具等に損傷を
与えることがあった。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、１本のインナリードに複数本のボンディングワイヤ
が接続された配線構造を有する装置において、大電流に
よる損傷を防止し得る半導体装置を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
複数のパッドを有する半導体チップと、前記複数のパッ
ドと複数のボンディングワイヤにより接続され、途中に
切断された部分を含むインナリードと、前記インナリー
ドの切断部分の両端を電気的に接続し、前記インナリー
ドよりも小さい電流で溶断する接続手段とを備えたこと
を特徴としている。
【０００９】あるいは、本発明の半導体装置は、複数の
第１の電源電圧用のパッドと複数の第２の電源電圧用の
パッドとを有する半導体チップと、前記第１の電源電圧
用のパッドと複数のボンディングワイヤにより接続され
た第１の電源電圧用のインナリードと、前記第２の電源
電圧用のパッドと複数のボンディングワイヤにより接続
された第２の電源電圧用のインナリードと、前記第１及
び第２の電源電圧用のインナリードのうち少なくともい
ずれか一方の途中に切断された部分があり、その両端を
電気的に接続し、前記インナリードよりも小さい電流で
溶断する接続手段とを備えたことを特徴としている。
【００１０】ここで、前記接続手段は、前記インナリー
ドの切断部分の両端にボンディングされたボンディング
ワイヤであってもよい。
【００１１】または前記接続手段は、前記インナリード
の切断部分の両端面を接続するように設けられたヒュー
ズであってもよく、あるいは前記インナリードの切断部
分の両端を接続するように設けられた導電性テープであ
ってもよい。
【００１２】前記インナリードの切断部分はその両端部
が絶縁状態で接合されており、前記接続手段により電気
的に接続されていてもよい。
【００１３】
【作用】複数のボンディングワイヤを介して半導体チッ
プとインナリードとが接続されている場合は、その本数
分の溶断電流が流れるまでは半導体チップとインナリー
ドとの間の電流路が絶たれず半導体チップに損傷が与え
られる虞れがあるが、インナリードの途中が切断されイ
ンナリードよりも小さい電流で溶断する接続手段により
切断部分が接続されていることで、大電流が発生した場
合にも電流路を絶つことができ半導体チップへ損傷が及
ぶのが防止される。
【００１４】第１及び第２の電源電圧を用いている半導
体装置では、第１の電源電圧用のインナリードと第２の
電源電圧用インナリードの少なくともいずれか一方の途
中が切断されその両端が接続手段により電気的に接続さ
れていることで、大電流発生時には接続手段が溶断し半
導体チップが保護される。
【００１５】接続手段としては、ボンディングワイヤ、
ヒューズ、導電性テープを用いてもよく、これらはイン
ナリードよりも小さい電流で溶断し半導体チップが保護
される。
【００１６】インナリードの切断された両端部が絶縁状
態で接合され、接続手段により電気的に接続されている
場合には、高い機械的強度が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
【００１８】図１に、本発明の第１の実施例による半導
体装置の配線構造を示す。図９に示された従来の配線構
造と比較し、電源電圧Ｖcc用の電源インナリード１ａが
途中で切断され、切断された両端が１本のボンディング
ワイヤ６ａで電気的に接続されており、同様に接地電源
電圧Ｖss用の電源インナリード１ｂが途中で切断されそ
の両端が１本のボンディングワイヤ６ｂで電気的に接続
されている点が相違する。他の同一の構成要素について
は、同一の番号を付して説明を省略する。
【００１９】このような配線構造によれば、例えば電源
電圧Ｖcc側に突発的に１本のボンディングワイヤの溶断
電流を超えるような大電流が流れた場合、電源インナリ
ード１ａの途中に設けられたボンディングワイヤ６ａが
溶断する。同様に、接地電源電圧Ｖss側に突発的に１本
のボンディングワイヤの溶断電流を超える大電流が流れ
ると、電源インナリード１ｂの途中のボンディングワイ
ヤ６ｂが溶断する。この結果、半導体チップ３や試験用
治具等が損傷を受けるのが防止される。
【００２０】ここで、ボンディングワイヤには金（Ａ
ｕ）のみならず、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）、あるいはア
ルミニウム（Ａｌ）等の各種導電性材料を用いることが
できる。ボンディングワイヤの材料や直径の選択に当た
っては、所望の電流で溶断されるように考慮する必要が
ある。
【００２１】本発明の第２の実施例による半導体装置
は、図２に示されるような配線構造を有している。図２
に示された電源インナリード１ａのＡ−Ａ線に沿う縦断
面を図３に示す。この実施例では、電源インナリード１
ａ及び１ｂを途中で切断し、切断部分を絶縁ペースト５
で接合した状態で、ボンディングワイヤ７ａ及び７ｂで
両端を電気的に接続している。この第２の実施例におい
ても、第１の実施例と同様に電源インナリード１ａ及び
１ｂが途中で切断され、１本のボンディングワイヤ７ａ
及び７ｂで電気的に接続された配線構造となっている。
このため，電源インナリード１ａ又は１ｂに１本のボン
ディングワイヤ溶断電流以上の電流が流れるとボンディ
ングワイヤ７ａ又は７ｂが溶断し、半導体チップ３や試
験治具等に損傷が与えられるのが防止される。さらに、
第２の実施例によれば、第１の実施例と異なり電源イン
ナリード１ａ及び１ｂの切断箇所が絶縁ペースト５によ
り電気的には絶縁された状態で接合されており、この部
分の機械的強度が向上している。
【００２２】本発明の第３の実施例による半導体装置に
ついて図４を用いて説明する。本実施例では、電源イン
ナリード１ａ及び１ｂの途中が切断され、切断面が半田
８ａ及び８ｂにより接合されている点に特徴がある。図
５に、図４におけるＢ−Ｂ線に沿う縦断面を示す。電源
インナリード１ａの途中が切断されており、切断された
両端が半田８ａにより接合されている。半田が溶断する
ときの電流値は、インナリードの溶断時の電流値よりも
低い。従って、電源用インナリード１ａ又は１ｂに大電
流が流れようとすると、半田８ａ又は８ｂが溶断して半
導体チップ３又は図示されていない試験用治具へ大電流
が流れるのが阻止される。ここで、本実施例では電源イ
ンナリードの切断面を半田により接合しているが、判断
には限定されず他の導電性材料を用いることもできる。
【００２３】本発明の第４の実施例による半導体装置の
配線構造を図６に示し、さらに図６におけるＣ−Ｃ線に
沿う縦断面を図７に示す。電源インナリード１ａ及び１
ｂの途中が切断されて、導電性テープ９ａ及び９ｂによ
り切断箇所が電気的に接続されている。導電性テープ９
ａ及び９ｂは、例えばアルミ箔のように電導性のある材
料から成るテープに接着剤が塗布されたものであれば用
いることができる。導電性テープ９ａ及び９ｂはインナ
リードよりも低い電流により溶断し、半導体チップ３等
に大電流が流れないようにすることができる。
【００２４】上述した実施例はいずれも一例であり、本
発明を限定するものではない。第１〜第４の実施例で
は、インナリードの途中が切断され、切断された両端が
ボンディングワイヤ、半田、又は導電性テープで電気的
に接続されている。しかし、切断箇所を電気的に接続す
る手段としてはこれらに限定されず、インナリードより
も低い電流で溶断し得るものであればよい。
【００２５】また、実施例では電源電圧Ｖccを供給する
ための電源インナリード１ａと接地電源電圧Ｖssを供給
するための電源インナリード１ｂとが共に途中で切断さ
れて、ボンディングワイヤや半田、導電性テープにより
切断箇所が接続されている。これにより、電源電圧Ｖcc
端子側と接地電源電圧Ｖss端子側のいずれに大電流が流
れても半導体チップ等を保護することができる。しか
し、必ずしも二種類の電源インナリードの両方にこのよ
うな配線構造を採る必要はない。仮に、電源電圧Ｖcc側
により大電流が生じやすい傾向がある場合には、図８に
示された第５の実施例のように、電源電圧Ｖcc側の電源
インナリード１ａにのみ上述したいずれかの配線構造を
施せばよい。また、三種類以上の電源電圧が用いられる
場合には、それぞれの電源電圧毎に設けられた三種類以
上の電源インナリードに全て上述の配線構造を採用して
もよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
は、複数のボンディングワイヤが接続されたインナリー
ドを有し、このインナリードの途中が切断されその両端
がインナリードよりも低い電流で溶断する接続手段によ
り電気的に接続されているため、大電流が流れようとし
たとき接続手段が溶断し電流路が絶たれることで、半導
体チップ等の損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による半導体装置の配線
構造を示した平面図。
【図２】本発明の第２の実施例による半導体装置の配線
構造を示した平面図。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線に沿う縦断面を示した縦
断面図。
【図４】本発明の第３の実施例による半導体装置の配線
構造を示した平面図。
【図５】図４におけるＢ−Ｂ線に沿う縦断面を示した縦
断面図。
【図６】本発明の第４の実施例による半導体装置の配線
構造を示した平面図。
【図７】図６におけるＣ−Ｃ線に沿う縦断面を示した縦
断面図。
【図８】本発明の第５の実施例による半導体装置の配線
構造を示した平面図。
【図９】従来の半導体装置の配線構造を示した平面図。
【符号の説明】
１ａ 電源インナリード １ｂ 電源インナリード ２ アウターリード ３ 半導体チップ ５ 絶縁ペースト ６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、１４ａ〜１６ａ、１４ｂ〜１
６ｂ ボンディングワイヤ ８ａ、８ｂ 半田 ９ａ、９ｂ 導電性テープ １０ ベッド １１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂ 電源パッド

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のパッドを有する半導体チップと、 前記複数のパッドと複数のボンディングワイヤにより接
    続され、途中に切断された部分を含むインナリードと、 前記インナリードの切断部分の両端を電気的に接続し、
    前記インナリードよりも小さい電流で溶断する接続手段
    とを備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】複数の第１の電源電圧用のパッドと複数の
    第２の電源電圧用のパッドとを有する半導体チップと、 前記第１の電源電圧用のパッドと複数のボンディングワ
    イヤにより接続された第１の電源電圧用のインナリード
    と、 前記第２の電源電圧用のパッドと複数のボンディングワ
    イヤにより接続された第２の電源電圧用のインナリード
    と、 前記第１及び第２の電源電圧用のインナリードのうち少
    なくともいずれか一方の途中に切断された部分があり、
    その両端を電気的に接続し、前記インナリードよりも小
    さい電流で溶断する接続手段とを備えたことを特徴とす
    る半導体装置。
  3. 【請求項３】前記接続手段は、前記インナリードの切断
    部分の両端にボンディングされたボンディングワイヤで
    あることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装
    置。
  4. 【請求項４】前記接続手段は、前記インナリードの切断
    部分の両端面を接続するように設けられたヒューズであ
    ることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】前記接続手段は、前記インナリードの切断
    部分の両端を接続するように設けられた導電性テープで
    あることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装
    置。
  6. 【請求項６】前記インナリードの切断部分はその両端部
    が絶縁状態で接合されており、前記接続手段により電気
    的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２記
    載の半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017181984A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5781682A (en) * 1996-02-01 1998-07-14 International Business Machines Corporation Low-cost packaging for parallel optical computer link
KR100440490B1 (ko) * 2001-01-18 2004-07-15 오경희 섬유기재 처리용 발수제의 제조방법
US7449801B2 (en) * 2002-11-28 2008-11-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor circuit arrangement for controlling a high voltage or a current of high current intensity
US7986212B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-26 Yazaki Corporation Fuse

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5393781A (en) * 1977-01-27 1978-08-17 Toshiba Corp Semiconductor device
US4198744A (en) * 1978-08-16 1980-04-22 Harris Corporation Process for fabrication of fuse and interconnects
US4587548A (en) * 1982-04-26 1986-05-06 Amp Incorporated Lead frame with fusible links
JP2593471B2 (ja) * 1987-03-11 1997-03-26 株式会社東芝 半導体装置
JPH0491465A (ja) * 1990-07-26 1992-03-24 Nec Corp Ｉｃパッケージ
JPH04320364A (ja) * 1991-04-19 1992-11-11 Nec Corp 集積回路用ケース及び集積回路装置
US5523617A (en) * 1994-12-27 1996-06-04 National Semiconductor Corporation Fuse frames, programmable fuse frames, and methods for programming by fusing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017181984A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10529744B2 (en) 2016-03-31 2020-01-07 Japan Display Inc. Display device

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Publication number Publication date
KR0169287B1 (ko) 1999-02-01
US5760464A (en) 1998-06-02
TW344894B (en) 1998-11-11
KR960009084A (ko) 1996-03-22

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