JPH08321578A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH08321578A JPH08321578A JP12685395A JP12685395A JPH08321578A JP H08321578 A JPH08321578 A JP H08321578A JP 12685395 A JP12685395 A JP 12685395A JP 12685395 A JP12685395 A JP 12685395A JP H08321578 A JPH08321578 A JP H08321578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- fuse
- lead
- wire
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂モールド内にヒューズ機能を容易に内蔵
できるようにして、信頼性を高めた半導体装置を提供す
ることを目的とする。 【構成】 図１の半導体装置１は、集積回路が形成され
た半導体素子３と、半導体素子３を搭載すると共にリー
ド端子となるフレームパターンを有する金属性のリード
フレーム２と、リードフレーム２の一部のリード部２ｃ
の半導体素子側の端部に設けられたヒューズ機能を有す
るヒューズ部６と、半導体素子３とヒューズ部６とを接
続するための金線等からなるワイヤ４と、これらを封止
するエポキシ樹脂等の熱硬化型の樹脂モールド５とから
形成されている。
できるようにして、信頼性を高めた半導体装置を提供す
ることを目的とする。 【構成】 図１の半導体装置１は、集積回路が形成され
た半導体素子３と、半導体素子３を搭載すると共にリー
ド端子となるフレームパターンを有する金属性のリード
フレーム２と、リードフレーム２の一部のリード部２ｃ
の半導体素子側の端部に設けられたヒューズ機能を有す
るヒューズ部６と、半導体素子３とヒューズ部６とを接
続するための金線等からなるワイヤ４と、これらを封止
するエポキシ樹脂等の熱硬化型の樹脂モールド５とから
形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、詳し
くはヒューズ機能を付き半導体装置の構造に関する。
くはヒューズ機能を付き半導体装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製品を構成する基板に設置
して実使用しているときに、静電気等の外乱によって半
導体装置の内部でラッチアップを生じたり、また、リー
ド端子間が塵等によりショートして半導体装置に過電流
が流れてしまうことがある。更に、バーイン装置等によ
り半導体装置の信頼性等の特性を評価しているときに、
半導体装置に作り込まれた半導体素子が劣化して過電流
が流れるよになってしまうことがある。
して実使用しているときに、静電気等の外乱によって半
導体装置の内部でラッチアップを生じたり、また、リー
ド端子間が塵等によりショートして半導体装置に過電流
が流れてしまうことがある。更に、バーイン装置等によ
り半導体装置の信頼性等の特性を評価しているときに、
半導体装置に作り込まれた半導体素子が劣化して過電流
が流れるよになってしまうことがある。
【０００３】このような過電流が半導体装置に流れる
と、過電流のジュール熱により半導体装置が異常加熱し
て暴走するようになり、最悪の場合には半導体装置が破
壊する等して正常な動作に復帰できなくなってしまうこ
とがある。製品基板に使用している半導体装置が暴走ま
たは破壊した場合、製品基板中には半導体装置が多数使
用されていることが多いので、不良になった半導体装置
の特定が難しいと共に、誤動作により製品から出火する
など更に重大な問題を引き起こす可能性がある。また、
半導体装置がバーイン装置等で暴走または破壊した場
合、高価なバーイン装置が破壊されてその後の評価がで
きなくなってしまうので、過電流が流れないように個別
抵抗を予め外付けする等の対応が必要になっていた。
と、過電流のジュール熱により半導体装置が異常加熱し
て暴走するようになり、最悪の場合には半導体装置が破
壊する等して正常な動作に復帰できなくなってしまうこ
とがある。製品基板に使用している半導体装置が暴走ま
たは破壊した場合、製品基板中には半導体装置が多数使
用されていることが多いので、不良になった半導体装置
の特定が難しいと共に、誤動作により製品から出火する
など更に重大な問題を引き起こす可能性がある。また、
半導体装置がバーイン装置等で暴走または破壊した場
合、高価なバーイン装置が破壊されてその後の評価がで
きなくなってしまうので、過電流が流れないように個別
抵抗を予め外付けする等の対応が必要になっていた。
【０００４】従来、これらの問題を解決するために、個
別のヒューズ素子を半導体装置の外部に接続するか、特
開昭６４−４０５３に開示されるように半導体チップの
リードと外部端子とを接続する経路にヒューズ機能を設
けるか、特開平６−４５２０８に開示されるようにコン
デンサ素子とそのリード端子とを接続する金属細線（以
下「ワイヤ」と称す）をヒューズ機能をもった半田ワイ
ヤにする等の方法により対応していた。
別のヒューズ素子を半導体装置の外部に接続するか、特
開昭６４−４０５３に開示されるように半導体チップの
リードと外部端子とを接続する経路にヒューズ機能を設
けるか、特開平６−４５２０８に開示されるようにコン
デンサ素子とそのリード端子とを接続する金属細線（以
下「ワイヤ」と称す）をヒューズ機能をもった半田ワイ
ヤにする等の方法により対応していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような解決方法では、個別のヒューズ素子を半導体装置
の外部に接続する場合は、破壊したヒューズ素子を容易
に取り換えられるという利点はあるものの、ヒューズ素
子を外付けするための空間を確保する必要があると共
に、ヒューズ素子を新たに購入及び管理しなければなら
ないという問題があり、コストアップの要因となってい
た。
ような解決方法では、個別のヒューズ素子を半導体装置
の外部に接続する場合は、破壊したヒューズ素子を容易
に取り換えられるという利点はあるものの、ヒューズ素
子を外付けするための空間を確保する必要があると共
に、ヒューズ素子を新たに購入及び管理しなければなら
ないという問題があり、コストアップの要因となってい
た。
【０００６】また、半導体チップのリードと外部端子と
を接続する経路にヒューズ機能を設ける場合は、セラミ
ック封止型の半導体装置ではリードを搭載用基板に接着
すれば良いので容易に実現できるが、樹脂モールド型の
半導体装置では外部端子と分離されたリードをモールド
樹脂内の所定の位置に固定することができなかった。更
に、コンデンサ素子とリード端子とを接続するワイヤに
ヒューズ機能をもった半田ワイヤにする場合は、従来の
金線やアルミニウム線によるワイヤのようにワイヤ径を
３０μｍ以下の太さにするのが難しいと共に、細いワイ
ヤでは十分な電流容量を持たせることができなかった。
更に、マイクロコンピュータやゲートアレイ等のように
多数の端子を有する半導体装置の一部のワイヤのみにヒ
ューズ機能を持たせようとすれば、ワイヤボンディング
装置を途中で取り換える必要があり、ワイヤボンディン
グ及びそのセットアップに時間がかかっていた。また、
ワイヤボンディング装置の取り換え時に、既に接続して
いたワイヤに装置が接触して、ワイヤを変形または切断
してしまうこともあった。
を接続する経路にヒューズ機能を設ける場合は、セラミ
ック封止型の半導体装置ではリードを搭載用基板に接着
すれば良いので容易に実現できるが、樹脂モールド型の
半導体装置では外部端子と分離されたリードをモールド
樹脂内の所定の位置に固定することができなかった。更
に、コンデンサ素子とリード端子とを接続するワイヤに
ヒューズ機能をもった半田ワイヤにする場合は、従来の
金線やアルミニウム線によるワイヤのようにワイヤ径を
３０μｍ以下の太さにするのが難しいと共に、細いワイ
ヤでは十分な電流容量を持たせることができなかった。
更に、マイクロコンピュータやゲートアレイ等のように
多数の端子を有する半導体装置の一部のワイヤのみにヒ
ューズ機能を持たせようとすれば、ワイヤボンディング
装置を途中で取り換える必要があり、ワイヤボンディン
グ及びそのセットアップに時間がかかっていた。また、
ワイヤボンディング装置の取り換え時に、既に接続して
いたワイヤに装置が接触して、ワイヤを変形または切断
してしまうこともあった。
【０００７】従って、樹脂モールド型の半導体装置で、
端子数が多い場合やドライバのように大電流を流す場
合、更には、一部の端子のみにヒューズ機能を持たせる
ような場合には、前述のような方法を使用することはで
きないという問題があった。そこで本発明はこれらの問
題を解決し、樹脂モールド内にヒューズ機能を容易に内
蔵できるようにして、信頼性を高めた半導体装置を提供
することを目的とする。
端子数が多い場合やドライバのように大電流を流す場
合、更には、一部の端子のみにヒューズ機能を持たせる
ような場合には、前述のような方法を使用することはで
きないという問題があった。そこで本発明はこれらの問
題を解決し、樹脂モールド内にヒューズ機能を容易に内
蔵できるようにして、信頼性を高めた半導体装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の問題を解決するた
めに、請求項１の記載に係わる半導体装置は、集積回路
が形成された半導体素子と、半導体素子を包囲するよう
に形成された複数のリード端子と、半導体素子と前記リ
ード端子とを電気的に接続するワイヤと、これらを封止
する樹脂モールドとからなる半導体装置において、リー
ド端子の一部の半導体素子側の端部にヒューズ機能を有
するヒューズ部が設けられ、半導体素子とヒューズ部と
をワイヤにて接続して形成されていることを特徴とす
る。
めに、請求項１の記載に係わる半導体装置は、集積回路
が形成された半導体素子と、半導体素子を包囲するよう
に形成された複数のリード端子と、半導体素子と前記リ
ード端子とを電気的に接続するワイヤと、これらを封止
する樹脂モールドとからなる半導体装置において、リー
ド端子の一部の半導体素子側の端部にヒューズ機能を有
するヒューズ部が設けられ、半導体素子とヒューズ部と
をワイヤにて接続して形成されていることを特徴とす
る。
【０００９】また、請求項２に記載の半導体装置は、請
求項１の記載に係わる半導体装置において、ヒューズ部
の周りには、シリコン樹脂が塗布されていることを特徴
とする。請求項３に記載の半導体装置は、請求項２の記
載に係わる半導体装置において、ヒューズ部が設けられ
るリード端子は、半導体集積回路の電源端子または基準
電位端子又は及び出力端子であることを特徴とする。
求項１の記載に係わる半導体装置において、ヒューズ部
の周りには、シリコン樹脂が塗布されていることを特徴
とする。請求項３に記載の半導体装置は、請求項２の記
載に係わる半導体装置において、ヒューズ部が設けられ
るリード端子は、半導体集積回路の電源端子または基準
電位端子又は及び出力端子であることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明のような半導体装置の構成をとることに
より、樹脂モールド型の半導体装置の信頼性を向上する
ことができるようになる。
より、樹脂モールド型の半導体装置の信頼性を向上する
ことができるようになる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照しながら
詳細に説明する。尚、本明細書では全図面を通して同一
または同様の回路要素には同一の符号を付して説明を簡
略化している。図１は本発明の半導体装置の構造例を示
す説明図で、図１（ａ）はその上面図を示し、図１
（ｂ）は図１（ａ）の線I−Iにおける部分断面図、図１
（ｃ）は図１（ｂ）のヒューズ素子が溶断した後の状態
を示す断面図である。図１の半導体装置１は、ＤＩＰ(D
ual In-line Package)といわれる挿入実装型の半導体装
置を示し、集積回路が形成された半導体素子３と、半導
体素子３を包囲するように形成された複数の従来と同様
なリード部２ｂ並びにヒューズ機能を有するリード部２
ｃと、リード部２ｃの半導体素子側の端部に設けられた
ヒューズ機能を有するヒューズ部６と、半導体素子３と
リード部２ｂ並びにヒューズ部６とを電気的に接続する
金線等からなるワイヤ４と、これらを封止するエポキシ
樹脂等の熱硬化型の樹脂モールド５とから構成されてい
る。本実施例では、半導体素子３へ電源電力を供給する
ために大電流の流れ易い電源端子２ｃにヒューズ部６を
設けている。尚、図面を判り易くするため、図示してい
る以外のリード部２ｂのインナーリード並びにワイヤ４
は省略している。
詳細に説明する。尚、本明細書では全図面を通して同一
または同様の回路要素には同一の符号を付して説明を簡
略化している。図１は本発明の半導体装置の構造例を示
す説明図で、図１（ａ）はその上面図を示し、図１
（ｂ）は図１（ａ）の線I−Iにおける部分断面図、図１
（ｃ）は図１（ｂ）のヒューズ素子が溶断した後の状態
を示す断面図である。図１の半導体装置１は、ＤＩＰ(D
ual In-line Package)といわれる挿入実装型の半導体装
置を示し、集積回路が形成された半導体素子３と、半導
体素子３を包囲するように形成された複数の従来と同様
なリード部２ｂ並びにヒューズ機能を有するリード部２
ｃと、リード部２ｃの半導体素子側の端部に設けられた
ヒューズ機能を有するヒューズ部６と、半導体素子３と
リード部２ｂ並びにヒューズ部６とを電気的に接続する
金線等からなるワイヤ４と、これらを封止するエポキシ
樹脂等の熱硬化型の樹脂モールド５とから構成されてい
る。本実施例では、半導体素子３へ電源電力を供給する
ために大電流の流れ易い電源端子２ｃにヒューズ部６を
設けている。尚、図面を判り易くするため、図示してい
る以外のリード部２ｂのインナーリード並びにワイヤ４
は省略している。
【００１２】図１（ａ）乃至図１（ｃ）に基づいて更に
詳細に説明する。リードフレーム２は、鉄とニッケルの
合金等を組成とした厚さが０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍ程
度の金属薄板で、半導体素子３をダイボンディングして
搭載するアイランド部２ａと半導体装置のリード端子と
なるリード部２ｂ及び２ｃを含むフレームパターンが形
成され、アイランド部２ａはリード部２ｂ及び２ｃの高
さに比べて半導体チップの厚さに応じた分だけ低位置に
設置されている。（「ダウンセット」という）また、樹
脂モールド５の外側のリード部２ｂ及び２ｃは半田等で
メッキされている。リード部２ｂ及び２ｃは、エポキシ
等の樹脂で封止される点線で示す部分（以下「インナー
リード」と称す）と樹脂の外側の実線で示す部分（以下
「アウターリード」と称す）とに分けられる。
詳細に説明する。リードフレーム２は、鉄とニッケルの
合金等を組成とした厚さが０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍ程
度の金属薄板で、半導体素子３をダイボンディングして
搭載するアイランド部２ａと半導体装置のリード端子と
なるリード部２ｂ及び２ｃを含むフレームパターンが形
成され、アイランド部２ａはリード部２ｂ及び２ｃの高
さに比べて半導体チップの厚さに応じた分だけ低位置に
設置されている。（「ダウンセット」という）また、樹
脂モールド５の外側のリード部２ｂ及び２ｃは半田等で
メッキされている。リード部２ｂ及び２ｃは、エポキシ
等の樹脂で封止される点線で示す部分（以下「インナー
リード」と称す）と樹脂の外側の実線で示す部分（以下
「アウターリード」と称す）とに分けられる。
【００１３】ヒューズ部６は、半田を主成分とする合金
で形成され、他のリード端子の先端部と同様な形状に形
成された板状の金属で、一端はリードフレーム２のリー
ド部２ｃに一部重なるように接続され、他端のワイヤボ
ンディングされる部分はリード部２ｃのインナーリード
と同一の高さになるようにクランク状に折り曲げられた
形状に形成され、他のリード部２ｂと同様にワイヤボン
ディングができるようになっている。また、ヒューズ部
６が設置される場所は、樹脂モールドに入射したリード
部２ｃがアイランド部２ａに向けて折れ曲がった後の半
導体素子３側の端部に形成され、従来と同様の引っ張り
強度でリード端子が簡単に引き抜かれないようになって
いる。更に、ヒューズ部６は、図示するようにヒューズ
部６の厚みが部分的に薄くなるように形成され、ヒュー
ズ部６の任意の場所で電流集中を生じさせて溶断させる
ことができるようになっている。ヒューズ部６の溶断す
る場所の周りには、絶縁性のシリコン樹脂等の絶縁材７
が塗布されている。
で形成され、他のリード端子の先端部と同様な形状に形
成された板状の金属で、一端はリードフレーム２のリー
ド部２ｃに一部重なるように接続され、他端のワイヤボ
ンディングされる部分はリード部２ｃのインナーリード
と同一の高さになるようにクランク状に折り曲げられた
形状に形成され、他のリード部２ｂと同様にワイヤボン
ディングができるようになっている。また、ヒューズ部
６が設置される場所は、樹脂モールドに入射したリード
部２ｃがアイランド部２ａに向けて折れ曲がった後の半
導体素子３側の端部に形成され、従来と同様の引っ張り
強度でリード端子が簡単に引き抜かれないようになって
いる。更に、ヒューズ部６は、図示するようにヒューズ
部６の厚みが部分的に薄くなるように形成され、ヒュー
ズ部６の任意の場所で電流集中を生じさせて溶断させる
ことができるようになっている。ヒューズ部６の溶断す
る場所の周りには、絶縁性のシリコン樹脂等の絶縁材７
が塗布されている。
【００１４】次に、ヒューズ素子の形成方法及び動作に
ついて簡単に説明する。パンチング法により複数個の半
導体装置分まとめて帯状に形成されたリードフレーム２
のアイランド部２ａ上に半導体素子３をダイボンディン
グし、板状のヒューズ部６を予め他のリード部２ｂより
も短めに形成されているリード部２ｃの端部に一部重な
るように圧着すると共に、パルスヒート半田付け法等に
より電気的に接続し、ヒューズ部６のワイヤボンディン
グされる部分をリード部２ｃのインナーリードと同一の
高さになるようにクランク状に折り曲げるプレス加工を
行う。その後、図示しない半導体素子３のパッドと各リ
ード部２ｂ及び２ｃの間をワイヤボンディング装置によ
り電気的に接続し、半導体素子３、インナーリード部及
びワイヤ４とを絵歩岸樹脂等で樹脂モールドする。最後
に、パンチ等でアウタリードの端部を打ち抜き、フォー
ミング装置で端子形状を形成することにより、個別の半
導体装置となる。
ついて簡単に説明する。パンチング法により複数個の半
導体装置分まとめて帯状に形成されたリードフレーム２
のアイランド部２ａ上に半導体素子３をダイボンディン
グし、板状のヒューズ部６を予め他のリード部２ｂより
も短めに形成されているリード部２ｃの端部に一部重な
るように圧着すると共に、パルスヒート半田付け法等に
より電気的に接続し、ヒューズ部６のワイヤボンディン
グされる部分をリード部２ｃのインナーリードと同一の
高さになるようにクランク状に折り曲げるプレス加工を
行う。その後、図示しない半導体素子３のパッドと各リ
ード部２ｂ及び２ｃの間をワイヤボンディング装置によ
り電気的に接続し、半導体素子３、インナーリード部及
びワイヤ４とを絵歩岸樹脂等で樹脂モールドする。最後
に、パンチ等でアウタリードの端部を打ち抜き、フォー
ミング装置で端子形状を形成することにより、個別の半
導体装置となる。
【００１５】このようにして形成した半導体装置を製品
の基板に実装またはバーイン装置に取り付けて電源電圧
を供給して製品動作をしているとき、半導体装置に静電
気等が印加されて、ヒューズ部６が設置された電源端子
に所定値以上の電流が流れたり、半導体装置の発熱また
は周囲の温度の上昇によりヒューズ部６が所定値以上の
温度になれば、ヒューズ部６が溶断すると共に溶断部分
の隙間にシリコン樹脂７が入り込んで、ヒューズ部６が
再び接続しないように絶縁する。従って、カーブトレー
サ等の測定器でリード部２ｃの端子特性を測定すれば、
比較的容易にリード部２ｃのヒューズ部６の切断を確認
することができる。
の基板に実装またはバーイン装置に取り付けて電源電圧
を供給して製品動作をしているとき、半導体装置に静電
気等が印加されて、ヒューズ部６が設置された電源端子
に所定値以上の電流が流れたり、半導体装置の発熱また
は周囲の温度の上昇によりヒューズ部６が所定値以上の
温度になれば、ヒューズ部６が溶断すると共に溶断部分
の隙間にシリコン樹脂７が入り込んで、ヒューズ部６が
再び接続しないように絶縁する。従って、カーブトレー
サ等の測定器でリード部２ｃの端子特性を測定すれば、
比較的容易にリード部２ｃのヒューズ部６の切断を確認
することができる。
【００１６】尚、ヒューズ部６は、上述の電源端子の
他、大電流が流れ易い基準電位端子や出力端子に内蔵す
るのが効果的である。更に、ヒューズ部６の溶断する条
件としては、例えば、１Ａ乃至２Ａ程度の電流が流れた
とき、またはダイボンディング時の温度（約１５０℃乃
至２５０℃）やサーマルシャットダウン回路が動作する
温度（約１５０℃）よりも高く、基板が発煙する温度
（約８００℃）よりも低い３００℃乃至４００℃程度の
温度で溶断するように形成するのが効果的である。ま
た、ヒューズ部６が溶断したとき、ヒューズ機能を有し
ない通常のリード端子２ｂの状態は他の半導体装置及び
回路に誤動作を生じさせないように回路設計をしておく
必要がある。
他、大電流が流れ易い基準電位端子や出力端子に内蔵す
るのが効果的である。更に、ヒューズ部６の溶断する条
件としては、例えば、１Ａ乃至２Ａ程度の電流が流れた
とき、またはダイボンディング時の温度（約１５０℃乃
至２５０℃）やサーマルシャットダウン回路が動作する
温度（約１５０℃）よりも高く、基板が発煙する温度
（約８００℃）よりも低い３００℃乃至４００℃程度の
温度で溶断するように形成するのが効果的である。ま
た、ヒューズ部６が溶断したとき、ヒューズ機能を有し
ない通常のリード端子２ｂの状態は他の半導体装置及び
回路に誤動作を生じさせないように回路設計をしておく
必要がある。
【００１７】図２は、リード部２ｃとヒューズ部６との
他の接合例を示す説明図で、リード部２ｃはＳＯＰ(Sma
ll Outline Package) やＳＭＤ(Surface Mount Device
)といわれる表面実装用の端子形状を示している。図２
（ａ）は、図１（ｂ）と同様に、リード部２ｃにヒュー
ズ部６を一部重なるように圧着するとともに、一部を半
田付けして補強している。この場合、ヒューズ部６の半
導体素子３側のワイヤボンディング位置が、他のリード
部２ｂよりも高くなるが、ヒューズ部６の弾性により従
来通りのワイヤボンディングを行うことができる。
他の接合例を示す説明図で、リード部２ｃはＳＯＰ(Sma
ll Outline Package) やＳＭＤ(Surface Mount Device
)といわれる表面実装用の端子形状を示している。図２
（ａ）は、図１（ｂ）と同様に、リード部２ｃにヒュー
ズ部６を一部重なるように圧着するとともに、一部を半
田付けして補強している。この場合、ヒューズ部６の半
導体素子３側のワイヤボンディング位置が、他のリード
部２ｂよりも高くなるが、ヒューズ部６の弾性により従
来通りのワイヤボンディングを行うことができる。
【００１８】また、図２（ｂ）は、リード部２ｃとヒュ
ーズ部６とを平行に配置して、その接触部分を半田付け
または導電性接着剤等により補強するように接続してい
る。この場合、接合部の強度はあまり強くないが、樹脂
モールド後は樹脂により接続部が固定されているので、
電気的接続は可能になっている。尚、本発明は上述の実
施例のみに限定されるものではなく、以下の例を含めて
応用することができる。例えば、ヒューズ部６は、設定
する電流や温度に応じてアルミニウムや金等の金属をは
じめとして各種の合金を使用することができ、ワイヤ４
はアルミニウム線でも構わない。また、リードフレーム
２は銅等の金属板でエッチング法によりフレームパター
ンが形成されたダウンセットのないものも同様に使用す
ることができ、上述以外の樹脂モールド形状の半導体装
置においても同様に使用することができる。
ーズ部６とを平行に配置して、その接触部分を半田付け
または導電性接着剤等により補強するように接続してい
る。この場合、接合部の強度はあまり強くないが、樹脂
モールド後は樹脂により接続部が固定されているので、
電気的接続は可能になっている。尚、本発明は上述の実
施例のみに限定されるものではなく、以下の例を含めて
応用することができる。例えば、ヒューズ部６は、設定
する電流や温度に応じてアルミニウムや金等の金属をは
じめとして各種の合金を使用することができ、ワイヤ４
はアルミニウム線でも構わない。また、リードフレーム
２は銅等の金属板でエッチング法によりフレームパター
ンが形成されたダウンセットのないものも同様に使用す
ることができ、上述以外の樹脂モールド形状の半導体装
置においても同様に使用することができる。
【００１９】更に好ましくは、半導体装置の樹脂モール
ド５の表面に温度により変色するような標印またはシー
ルを貼着しておけば、カーブトレーサ等で測定しなくて
も、ヒューズ部６が断線して半導体装置１が不良になっ
ていることを確認することができる。
ド５の表面に温度により変色するような標印またはシー
ルを貼着しておけば、カーブトレーサ等で測定しなくて
も、ヒューズ部６が断線して半導体装置１が不良になっ
ていることを確認することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、樹脂モー
ルド型の半導体装置に、ヒューズ機能を容易に内蔵でき
るようになるので、半導体装置に過電流が流れたときに
も暴走または破壊しなくなるという効果があるととも
に、半導体装置の信頼性を高めるとともに、これを用い
たセットの信頼性をも高められるという効果がある。
ルド型の半導体装置に、ヒューズ機能を容易に内蔵でき
るようになるので、半導体装置に過電流が流れたときに
も暴走または破壊しなくなるという効果があるととも
に、半導体装置の信頼性を高めるとともに、これを用い
たセットの信頼性をも高められるという効果がある。
【図１】本発明の半導体装置例を示す説明図、図１
（ａ）は半導体装置とリードフレームとの関係を示す上
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＺ１−Ｚ２における断
面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のヒューズ部が溶断した
様子を示す説明図、
（ａ）は半導体装置とリードフレームとの関係を示す上
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＺ１−Ｚ２における断
面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のヒューズ部が溶断した
様子を示す説明図、
【図２】本発明のリードフレームとヒューズ部との接合
方法例を示す説明図である。
方法例を示す説明図である。
１ ：半導体装置 ２ ：リードフレーム ２ａ：アイランド部 ２ｂ：リード部 ２ｃ：リード部（ヒューズ機能付き） ３ ：半導体素子（半導体チップ） ４ ：ワイヤ（金属細線） ５ ：樹脂モールド（パッケージ） ６ ：ヒューズ部
Claims (3)
- 【請求項１】 集積回路が形成された半導体素子と、前
記半導体素子を包囲するように形成された複数のリード
端子と、前記半導体素子と前記リード端子とを電気的に
接続するワイヤと、これらを封止する樹脂モールドとか
らなる半導体装置において、前記リード端子の一部の半
導体素子側の端部にヒューズ機能を有するヒューズ部が
設けられ、前記半導体素子と前記ヒューズ部とを前記ワ
イヤにて接続して形成されていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記ヒューズ部の周りには、シリコン樹
脂が塗布されていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記ヒューズ部が設けられるリード端子
は、前記半導体集積回路の電源端子または基準電位端子
又は及び出力端子であることを特徴とする請求項２に記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12685395A JPH08321578A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12685395A JPH08321578A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321578A true JPH08321578A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14945476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12685395A Pending JPH08321578A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321578A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101908586A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| US20110278639A1 (en) * | 2009-05-27 | 2011-11-17 | Everlight Electronics Co., Ltd. | LED Package Structure |
| WO2018079409A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP12685395A patent/JPH08321578A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110278639A1 (en) * | 2009-05-27 | 2011-11-17 | Everlight Electronics Co., Ltd. | LED Package Structure |
| US8222665B2 (en) | 2009-05-27 | 2012-07-17 | Everlight Electronics Co., Ltd. | LED package structure with fuse |
| US8552450B2 (en) | 2009-05-27 | 2013-10-08 | Everlight Electronics Co., Ltd. | LED package structure with a fuse for protection from high current |
| CN101908586A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| WO2018079409A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2018073899A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5272191B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US5338971A (en) | Electronic device structure with studs locating lead frame on backing plate | |
| JPH06283650A (ja) | 半導体装置 | |
| US5841183A (en) | Chip resistor having insulating body with a continuous resistance layer and semiconductor device | |
| US6365433B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| KR100372587B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| TWI292213B (ja) | ||
| JP3655069B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JPH07263611A (ja) | 半導体装置用のリードフレーム | |
| JP2002009217A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US8053285B2 (en) | Thermally enhanced single inline package (SIP) | |
| KR0185247B1 (ko) | 수지 밀봉형 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPH08321578A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0917910A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、検査方法、実装基板 | |
| JP2007027645A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6329413B2 (ja) | ||
| JP3211116B2 (ja) | 電子部品及びそのモジュール構造 | |
| JPH0778903A (ja) | 混成集積回路におけるバイアス電圧の供給方法 | |
| JPH065701B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH08139259A (ja) | リードフレームとリードフレーム部材、およびそれらを用いた表面実装型半導体装置 | |
| JP2007080889A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2663860B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100195511B1 (ko) | 리드 프레임을 이용한 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| JP3153185B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2975783B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 |