JP2699557B2 - Ｔａｂ形式半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｔａｂ形式半導体装置の製造方法Info
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- JP2699557B2 JP2699557B2 JP1157677A JP15767789A JP2699557B2 JP 2699557 B2 JP2699557 B2 JP 2699557B2 JP 1157677 A JP1157677 A JP 1157677A JP 15767789 A JP15767789 A JP 15767789A JP 2699557 B2 JP2699557 B2 JP 2699557B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、いわゆるTAB（Tape Automated Bonding）
法によって製造される半導体装置の製造方法に関する。
法によって製造される半導体装置の製造方法に関する。
TAB法は、例えば第２図（ａ）に示す様に、絶縁性フ
ィルム１に設けられた開孔部２に支持体３に支えられた
リード４を突出させ、このリードの先端に半導体チップ
５を接続するものである。半導体チップとリードとの接
続は、通常、金で突起状に形成したチップ側の電極と銅
に金または錫をメッキすることにより形成されたリード
とを、Au/Auの熱圧着法またはAu/Suの共晶合金法で接着
することにより行なわれる。以上のようにして接続され
たチップを支持体３を一体のまま第２図（ｂ）のように
切断し、これを、例えば第３図の様に、プリント基板６
に設けられた貫通孔７に挿入してリード４の末端を配線
８に接続する。
ィルム１に設けられた開孔部２に支持体３に支えられた
リード４を突出させ、このリードの先端に半導体チップ
５を接続するものである。半導体チップとリードとの接
続は、通常、金で突起状に形成したチップ側の電極と銅
に金または錫をメッキすることにより形成されたリード
とを、Au/Auの熱圧着法またはAu/Suの共晶合金法で接着
することにより行なわれる。以上のようにして接続され
たチップを支持体３を一体のまま第２図（ｂ）のように
切断し、これを、例えば第３図の様に、プリント基板６
に設けられた貫通孔７に挿入してリード４の末端を配線
８に接続する。
この例では、半導体チップ５は、リード４に支えられ
て宙吊りになるが、例えば第４図に断面図で示した様
に、セラミック基板９に半導体チップ５を固着し、リー
ド４の末端を導伝層10に接続してもよい。導伝層10はピ
ン11に接続され、プリント基板やソケットに挿入して使
用される。
て宙吊りになるが、例えば第４図に断面図で示した様
に、セラミック基板９に半導体チップ５を固着し、リー
ド４の末端を導伝層10に接続してもよい。導伝層10はピ
ン11に接続され、プリント基板やソケットに挿入して使
用される。
以上の説明から明らかな様に、支持体３は半導体チッ
プの接続や、リードの切断の際のリードの不整列防止の
為に有効である。しかし、従来は、第３図や第４図の様
に、リードの末端を配線８や導伝層10に接続した後もこ
の支持体をリードに付着したままであったので、これが
半導体装置の信頼性を低下させる原因となっていた。即
ち、支持体は、ポリイミド樹脂等の有機物であることが
多く、これは吸湿性があるのでリード間に電気的にリー
クが生じるなどの問題があった。
プの接続や、リードの切断の際のリードの不整列防止の
為に有効である。しかし、従来は、第３図や第４図の様
に、リードの末端を配線８や導伝層10に接続した後もこ
の支持体をリードに付着したままであったので、これが
半導体装置の信頼性を低下させる原因となっていた。即
ち、支持体は、ポリイミド樹脂等の有機物であることが
多く、これは吸湿性があるのでリード間に電気的にリー
クが生じるなどの問題があった。
この問題の対策の一つとして、第５図（ａ）の様に、
リード４の先端に接続した半導体チップ５を、図中に示
した破線の部分を切断して、第５図（ｂ）の様に、支持
体３を残し、しかる後に支持体３を切断除去し、例えば
第５図（ｃ）の様に、リードを成形して、外部端子に接
続する方法がある。この方法によれば支持体が残らない
ので上記の様な問題はなくなる。
リード４の先端に接続した半導体チップ５を、図中に示
した破線の部分を切断して、第５図（ｂ）の様に、支持
体３を残し、しかる後に支持体３を切断除去し、例えば
第５図（ｃ）の様に、リードを成形して、外部端子に接
続する方法がある。この方法によれば支持体が残らない
ので上記の様な問題はなくなる。
しかし、リードの末端を外部端子に接続する前に支持
体を切断除去してしまうので、リードの曲りなどが生
じ、外部端子との接続が困難になる場合があった。
体を切断除去してしまうので、リードの曲りなどが生
じ、外部端子との接続が困難になる場合があった。
本発明では、この切断の手段として、エキシマレーザ
を用いる事を特徴としている。
を用いる事を特徴としている。
エキシマレーザは一般に短波長可視域又は紫外域の波
長域で、対象物を熱的に焼き切るというより、光化学的
に分解するため、焼き切った後に炭火物は残らず、かつ
微細加工が可能である。
長域で、対象物を熱的に焼き切るというより、光化学的
に分解するため、焼き切った後に炭火物は残らず、かつ
微細加工が可能である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
まず、前述の第２図（ａ）のように、ポリイミドなど
の絶縁性フィルム１に設けられた開孔部２に支持体３に
支えられたリード４を突出させる。次いでこのリード４
の先端に半導体チップ５の突起状電極（バンプ）を接続
する。
の絶縁性フィルム１に設けられた開孔部２に支持体３に
支えられたリード４を突出させる。次いでこのリード４
の先端に半導体チップ５の突起状電極（バンプ）を接続
する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、リード４に支持体
３を一体につけたままで、該リード及び絶縁フィルムを
切断して、リードの付いた個別のチップにする。このと
き、支持体が付いているためにリードの曲りなどの不整
列は発生しない。
３を一体につけたままで、該リード及び絶縁フィルムを
切断して、リードの付いた個別のチップにする。このと
き、支持体が付いているためにリードの曲りなどの不整
列は発生しない。
次に、チップ５を第３図におけるプリント基板６の配
線８に接続する。
線８に接続する。
次に、支持体を各リードの間で切断する。
第１図は第３図のようにチップをプリント基板に接続
した場合の部分拡大平面図である。
した場合の部分拡大平面図である。
支持体３を各リード４の間でエキシマレーザにより切
断して（12,12′は切断部を示す）、各リード間に支持
体を通してリーク電流が流れないようにする。
断して（12,12′は切断部を示す）、各リード間に支持
体を通してリーク電流が流れないようにする。
通常、前記支持体にはポリイミド系樹脂を用いてお
り、リードはその上にエポキシ系樹脂で接着されてい
る。この場合は、XeClエキシマレーザをリード間隔より
も狭いスポット径に収束し（例えば５〜10τ/cm2）、リ
ード間を連続的に走査していく事により、支持体（ポリ
イミド樹脂）を容易に焼き切る事が出来る。この際、雰
囲気ガスとしてはO2が適切である。
り、リードはその上にエポキシ系樹脂で接着されてい
る。この場合は、XeClエキシマレーザをリード間隔より
も狭いスポット径に収束し（例えば５〜10τ/cm2）、リ
ード間を連続的に走査していく事により、支持体（ポリ
イミド樹脂）を容易に焼き切る事が出来る。この際、雰
囲気ガスとしてはO2が適切である。
第４図のように、セラミック基板にチップを接続した
場合も、前記と同様に各リード間の支持体を切断して電
気的なリークを防止することができる。
場合も、前記と同様に各リード間の支持体を切断して電
気的なリークを防止することができる。
以上説明したように、本発明は、リードの端部を外部
端子に接続した後、エキシマレーザを用いて支持体を切
断することにより使用時における電気的リークやショー
トの懸念のないTAB形式半導体装置を製造できるという
効果がある。
端子に接続した後、エキシマレーザを用いて支持体を切
断することにより使用時における電気的リークやショー
トの懸念のないTAB形式半導体装置を製造できるという
効果がある。
第１図は本発明により製造されたTAB形式半導体装置の
一実施例のリード支持部付近の拡大図、第２図は従来の
TAB形式半導体装置の製造方法を説明するための工程順
に示した斜視図、第３図は従来の半導体装置における外
部端子との接続の一例を示す斜視図、第４図は従来の半
導体装置における外部端子との接続の他の例を示す断面
図、第５図は従来のTAB形式半導体装置における外部端
子との接続方法を説明するための平面図、平面図及び断
面図である。 １……絶縁性フィルム、２……開孔部、３……支持体、
４……リード、５……半導体チップ、６……プリント基
板、７……貫通孔、８……配線、９……セラミック基
板、10……導伝層、11……ピン、12,12′……支持体の
切断部。
一実施例のリード支持部付近の拡大図、第２図は従来の
TAB形式半導体装置の製造方法を説明するための工程順
に示した斜視図、第３図は従来の半導体装置における外
部端子との接続の一例を示す斜視図、第４図は従来の半
導体装置における外部端子との接続の他の例を示す断面
図、第５図は従来のTAB形式半導体装置における外部端
子との接続方法を説明するための平面図、平面図及び断
面図である。 １……絶縁性フィルム、２……開孔部、３……支持体、
４……リード、５……半導体チップ、６……プリント基
板、７……貫通孔、８……配線、９……セラミック基
板、10……導伝層、11……ピン、12,12′……支持体の
切断部。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性フィルム表面に接着されかつ前記フ
ィルムの中央の開孔部に突出した複数のリードに半導体
チップの電極を接続する工程と、前記絶縁性フィルムの
一部を各リードの支持体として一体に残したままリード
を切断する工程と、前記リードの末端を外部端子に接続
する工程と、前記支持体を各リードの間でエキシマレー
ザを用いて切断する工程を含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157677A JP2699557B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | Ｔａｂ形式半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157677A JP2699557B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | Ｔａｂ形式半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322447A JPH0322447A (ja) | 1991-01-30 |
| JP2699557B2 true JP2699557B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=15654971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1157677A Expired - Lifetime JP2699557B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | Ｔａｂ形式半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699557B2 (ja) |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1157677A patent/JP2699557B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322447A (ja) | 1991-01-30 |
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