JPH01128532A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01128532A JPH01128532A JP62285317A JP28531787A JPH01128532A JP H01128532 A JPH01128532 A JP H01128532A JP 62285317 A JP62285317 A JP 62285317A JP 28531787 A JP28531787 A JP 28531787A JP H01128532 A JPH01128532 A JP H01128532A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ＴＡＢ
（テープ オートメーテツド ボンディング）法で半導
体チップをリードに接続する半導体装置の製造方法に関
するものである。
（テープ オートメーテツド ボンディング）法で半導
体チップをリードに接続する半導体装置の製造方法に関
するものである。
ＴＡＩＩ法に用いる樹脂テープは、例えば、半導体チッ
プの周囲に配置される内側支持リングと、樹脂テープ本
体と、この内側支持リングを樹脂テープ本体に繋ぐ支持
梁と、半導体チップに接続されるリードと実装基板の配
線とを接続させるため内側支持リングと樹脂テープ本体
との間に設けられるスリットホール等からなっている。
プの周囲に配置される内側支持リングと、樹脂テープ本
体と、この内側支持リングを樹脂テープ本体に繋ぐ支持
梁と、半導体チップに接続されるリードと実装基板の配
線とを接続させるため内側支持リングと樹脂テープ本体
との間に設けられるスリットホール等からなっている。
ＴＡＢ法によって半導体チップとリードを接続する方法
は、まずリードを前記スリットホールの外側から内側支
持リングまでＡ１？＜ように樹脂テープに接着する。
は、まずリードを前記スリットホールの外側から内側支
持リングまでＡ１？＜ように樹脂テープに接着する。
そして、半導体チップを内側支持リングの中に配置し、
半導体チップのバンプ電極とリードの端部を接続する。
半導体チップのバンプ電極とリードの端部を接続する。
この後、リード及び支持梁をスリットホールの部分から
切断することによって１個の半導体装置が完成する。こ
の後、前記半導体装置とプリント基板等の実装基板の位
置合せをして、半導体装置のリードと実装基板上の配線
を半田付けする。
切断することによって１個の半導体装置が完成する。こ
の後、前記半導体装置とプリント基板等の実装基板の位
置合せをして、半導体装置のリードと実装基板上の配線
を半田付けする。
本発明者は、前記ＴＡＢ法による半導体装置の製造方法
を検討した結果、次の問題点を見出した。
を検討した結果、次の問題点を見出した。
リードをスリットホールの部分で切断すると、リードの
切断した端部が固定されていない状態となり、外力に対
して弱くなる。このため、リードの端部が変形し易く、
リードと実装基板上の配線との半［１付は作業を困難に
する。またリードと配線の接続不良を生じることがあっ
た。
切断した端部が固定されていない状態となり、外力に対
して弱くなる。このため、リードの端部が変形し易く、
リードと実装基板上の配線との半［１付は作業を困難に
する。またリードと配線の接続不良を生じることがあっ
た。
本発明の目的は、半導体装１ｄと実装基板の接続の信頼
性を高める技術を提供することにある。
性を高める技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、水
門１Ｂ書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
門１Ｂ書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、リード及び支持梁の切断を前記スリットホー
ルの少し外側で行うようにして、樹脂テープ本体がスリ
ットホールの外側にリング状に残るようにし、かつ前記
支持梁を切断しないようにしたものである。
ルの少し外側で行うようにして、樹脂テープ本体がスリ
ットホールの外側にリング状に残るようにし、かつ前記
支持梁を切断しないようにしたものである。
上述した手段によれば、リードの外側の先端が樹脂テー
プ本体の残存した部分に固定され、また樹脂テープ本体
の一部によて保護されるので、外力に対して強くなり変
形しにくくなる。これから、実装基板上の配線とリード
の半［口付けが行い易くなる。また、リードと配線の接
続の信頼性が高くなる。
プ本体の残存した部分に固定され、また樹脂テープ本体
の一部によて保護されるので、外力に対して強くなり変
形しにくくなる。これから、実装基板上の配線とリード
の半［口付けが行い易くなる。また、リードと配線の接
続の信頼性が高くなる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図乃至第６図は１本発明の一実施例の半導体装置の
製造方法を説明するための半導体装置の平面図又は断面
図である。
製造方法を説明するための半導体装置の平面図又は断面
図である。
本実施例の半導体装置の製造方法で使用する樹脂テープ
１は、第１図及び第２図に示すように、樹脂テープ本体
ＩＡ、内側支持リング５、支持梁６、デバイスホール７
、スリットホール３、スプロケットホール８からなって
いる。内側支持リング５はリード４を固定して支持する
ためのものであり、また内側支持リング５は支持梁６で
樹脂テープ本体ＩＡに固定して支持されている。内側支
持リング５と支持梁６は、樹脂テープ本体ＩＡと一体に
形成したものであり、例えばポリイミドからなっている
。内側支持リング５で囲まれた内側がデバイスホール７
であり、内側支持リング５と樹脂テープＩＡの間がスリ
ットホール３である。
１は、第１図及び第２図に示すように、樹脂テープ本体
ＩＡ、内側支持リング５、支持梁６、デバイスホール７
、スリットホール３、スプロケットホール８からなって
いる。内側支持リング５はリード４を固定して支持する
ためのものであり、また内側支持リング５は支持梁６で
樹脂テープ本体ＩＡに固定して支持されている。内側支
持リング５と支持梁６は、樹脂テープ本体ＩＡと一体に
形成したものであり、例えばポリイミドからなっている
。内側支持リング５で囲まれた内側がデバイスホール７
であり、内側支持リング５と樹脂テープＩＡの間がスリ
ットホール３である。
このデバイスホール７及びスリットホール３のそれぞれ
は、樹脂テープ１の上面から裏面まで貫通した穴となっ
ている。スリットホール３は、り一部４と実装基板の配
線とを接続させるための穴である。
は、樹脂テープ１の上面から裏面まで貫通した穴となっ
ている。スリットホール３は、り一部４と実装基板の配
線とを接続させるための穴である。
本実施例の半導体装置の製造方法では、第１図及び第２
図に示したように、まず、樹脂テープ本体ＩＡから内側
支持リング５の少し内側まで届く長さを有するリード４
を、樹脂テープ本体ＩＡ及び内側支持リング５に例えば
樹脂等からなる接続剤を使って接着して固定する。リー
ド４は、例えば基体−を銅箔で構成し、この表面にスズ
（Ｓｎ）メツキを形成したものからなっている。リード
４の樹脂テープ本体ＩＡ上の端部には、テスターのプロ
ーブを接触させるための電極４Ａが設けである。
図に示したように、まず、樹脂テープ本体ＩＡから内側
支持リング５の少し内側まで届く長さを有するリード４
を、樹脂テープ本体ＩＡ及び内側支持リング５に例えば
樹脂等からなる接続剤を使って接着して固定する。リー
ド４は、例えば基体−を銅箔で構成し、この表面にスズ
（Ｓｎ）メツキを形成したものからなっている。リード
４の樹脂テープ本体ＩＡ上の端部には、テスターのプロ
ーブを接触させるための電極４Ａが設けである。
リード４を樹脂テープ１に接着した後、半導体チップ２
をデバイスホール７の中に位置合せし、リード４の端部
と半導体チップ２のバンブ電（４１（例えばＡｕからな
る）の間に熱圧着によってＡｕ−５ｎ共品を形成させて
接続する。なお、半導体チップ２の上面は、リード４に
接続する以前にポリイミド樹脂で封止しである。次に、
第２図のスリットホール３より少し外側の部分■を打ち
貫き機によって切断して、第３図及びそのＩＶ −ＩＶ
切断線における断面図である第４図に示したように゛ト
導体装置を形成する。樹脂テープ本体ＩＡのスリットホ
ール３に残存したリング状の部分９が、ぞれぞれのリー
ド４を固定して支持するための外側支持リング９として
機能し、またリード４は、樹脂からなる接着剤１０で外
側支持リング９に接着されているので、それぞれのリー
ド４は曲げ等の外力に対して強くなっている。この後、
第５図に示したように、リード４を整形し、このリード
４を実装基板１１の配線１２に半田１５で接続する。
をデバイスホール７の中に位置合せし、リード４の端部
と半導体チップ２のバンブ電（４１（例えばＡｕからな
る）の間に熱圧着によってＡｕ−５ｎ共品を形成させて
接続する。なお、半導体チップ２の上面は、リード４に
接続する以前にポリイミド樹脂で封止しである。次に、
第２図のスリットホール３より少し外側の部分■を打ち
貫き機によって切断して、第３図及びそのＩＶ −ＩＶ
切断線における断面図である第４図に示したように゛ト
導体装置を形成する。樹脂テープ本体ＩＡのスリットホ
ール３に残存したリング状の部分９が、ぞれぞれのリー
ド４を固定して支持するための外側支持リング９として
機能し、またリード４は、樹脂からなる接着剤１０で外
側支持リング９に接着されているので、それぞれのリー
ド４は曲げ等の外力に対して強くなっている。この後、
第５図に示したように、リード４を整形し、このリード
４を実装基板１１の配線１２に半田１５で接続する。
半田付けの温度は、２００〜２５０℃程度で行う。リー
ド４の先端が外側支持リング９で固定されて変形しにく
くなっていることにより、半ｒｌ付は時にリード４が変
形したり、異る配線１２に接触したり、あるいはリード
４と配線１２の間の接続不良を生じることがなくなる。
ド４の先端が外側支持リング９で固定されて変形しにく
くなっていることにより、半ｒｌ付は時にリード４が変
形したり、異る配線１２に接触したり、あるいはリード
４と配線１２の間の接続不良を生じることがなくなる。
また、ポリイミド樹脂は熱が加ると接着力が強くなる性
質があるので、前記半田付は時に内側支持リング５、支
持梁６及び外側支持リング９に加る熱によって実装基板
１１との間の接着力が強められる。実装基板１１は例え
ばプラスティック等の樹脂からなり、また配線１２はソ
ルダーレジスト１３によって覆っである。ただし、配線
１２のリード４が接続される部分は露出させである。半
導体チップ２の表面をポリイミド等樹脂封止材１７が保
護している。１４はＡｕバンプである。
質があるので、前記半田付は時に内側支持リング５、支
持梁６及び外側支持リング９に加る熱によって実装基板
１１との間の接着力が強められる。実装基板１１は例え
ばプラスティック等の樹脂からなり、また配線１２はソ
ルダーレジスト１３によって覆っである。ただし、配線
１２のリード４が接続される部分は露出させである。半
導体チップ２の表面をポリイミド等樹脂封止材１７が保
護している。１４はＡｕバンプである。
一方、半導体装置と実装基板１１の位置合せにおいて、
外側支持リング９に対応して、実装基板１１上にアライ
メントマーク１６を形成しておくことにより、まず、外
側支持リング９とアライメントマーク１６の間で簡易な
合せ（プリアライメント）をし、それから８０〜１００
μｍ程度に非常に細いリード４と配）ｊＡ１２の位置合
せをすることができるので、位置合せに要する時間を短
縮することができる。すなわち、外側支持リング９を半
導体装置側のアライメントマークとして使用できる。
外側支持リング９に対応して、実装基板１１上にアライ
メントマーク１６を形成しておくことにより、まず、外
側支持リング９とアライメントマーク１６の間で簡易な
合せ（プリアライメント）をし、それから８０〜１００
μｍ程度に非常に細いリード４と配）ｊＡ１２の位置合
せをすることができるので、位置合せに要する時間を短
縮することができる。すなわち、外側支持リング９を半
導体装置側のアライメントマークとして使用できる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
リード及び支持梁の切断を前記スリットホールの少し外
側で行うようにして、樹脂テープ本体の一部がスリット
ホールの外側にリング状に残るようにし、かつｉ″ｒＸ
記支持梁を切断しないようにしたことにより、リードの
外側の先端が固定され、また樹脂テープ本体の一部によ
て保護されるので、変形しにくくなり、実装基板上の配
線とリードの半田付けが行い易くなる。また、リードと
配線の接続の信頼性が高くなる。
側で行うようにして、樹脂テープ本体の一部がスリット
ホールの外側にリング状に残るようにし、かつｉ″ｒＸ
記支持梁を切断しないようにしたことにより、リードの
外側の先端が固定され、また樹脂テープ本体の一部によ
て保護されるので、変形しにくくなり、実装基板上の配
線とリードの半田付けが行い易くなる。また、リードと
配線の接続の信頼性が高くなる。
第１図乃至第６図は、本発明の一実施例の半導体装置の
製造方法を説明するための半導体装置の平面図又は断面
図である。 図中、１・・・樹脂テープ、ＩＡ・・・樹脂テープ本体
、２・・・半導体チップ、３・・・スリットホール、４
・・・リード、Ｓ・・・内側支持リング、６・・・支持
梁、７・・・デバイスホール、８・・・スプロケットホ
ール、９・・・外側支持リング、１１・・・実装基板、
１２・・・配線、１３・・・ソルダーレジスト、１４・
・・バンプ電極、１５・・・内側支持リング、１６・・
・アライメントマーク、１７・・・ポリイミド等樹脂封
止材。 【 □ 代理人 弁理士 小川勝馬・１、 第２図 第３図 第４図 第６図
製造方法を説明するための半導体装置の平面図又は断面
図である。 図中、１・・・樹脂テープ、ＩＡ・・・樹脂テープ本体
、２・・・半導体チップ、３・・・スリットホール、４
・・・リード、Ｓ・・・内側支持リング、６・・・支持
梁、７・・・デバイスホール、８・・・スプロケットホ
ール、９・・・外側支持リング、１１・・・実装基板、
１２・・・配線、１３・・・ソルダーレジスト、１４・
・・バンプ電極、１５・・・内側支持リング、１６・・
・アライメントマーク、１７・・・ポリイミド等樹脂封
止材。 【 □ 代理人 弁理士 小川勝馬・１、 第２図 第３図 第４図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップの周囲を囲むように設けられた内側支
持リングと、該内側支持リングと樹脂テープ本体の間を
繋でいる支持梁と、実装基板の配線とリードを接続させ
るために前記内側支持リングと樹脂テープ本体の間に設
けられたスリットホールとを有する樹脂テープに、前記
スリットホールの外側から内側支持リングの少し内側ま
で届くように複数のリードを接着した後、前記内側支持
リング内に半導体チップを配置し前記リードの内側の端
部と半導体チップを接続し、この後、前記リードと支持
梁を前記スリットホールの部分から切断して半導体装置
を形成する半導体装置の製造方法であって、前記リード
及び支持梁の切断を前記スリットホールの少し外側で行
うようにして、樹脂テープ本体がスリットホールの外側
にリング状に残るようにし、かつ前記支持梁を切断しな
いようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、前記内側支持リング及び支持梁は、前記樹脂テープ
本体と一体に形成したものであり、ポリイミドからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の製造方法。 ３、前記スリットホールの外側にリング状に残される樹
脂テープ本体の一部は、半導体装置を実装基板の所定位
置に位置合せするときのアライメントマークとして使用
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285317A JPH01128532A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285317A JPH01128532A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128532A true JPH01128532A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17689971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285317A Pending JPH01128532A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128532A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5224264A (en) * | 1991-04-04 | 1993-07-06 | Chisso Corporation | Process for producing a film carrier having a superior lead strength |
| JPH0629348A (ja) * | 1992-05-12 | 1994-02-04 | Akira Kitahara | 表面実装部品及びその半製品 |
| JPH06124976A (ja) * | 1992-10-13 | 1994-05-06 | Nec Corp | 抜穴付ｔａｂ ｉｃ |
| US5661086A (en) * | 1995-03-28 | 1997-08-26 | Mitsui High-Tec, Inc. | Process for manufacturing a plurality of strip lead frame semiconductor devices |
| DE19802575B4 (de) * | 1997-01-25 | 2005-10-13 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Herstellen einer Einheit für ein Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteil und zum Herstellen eines Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteils |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP62285317A patent/JPH01128532A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5224264A (en) * | 1991-04-04 | 1993-07-06 | Chisso Corporation | Process for producing a film carrier having a superior lead strength |
| JPH0629348A (ja) * | 1992-05-12 | 1994-02-04 | Akira Kitahara | 表面実装部品及びその半製品 |
| JPH06124976A (ja) * | 1992-10-13 | 1994-05-06 | Nec Corp | 抜穴付ｔａｂ ｉｃ |
| US5661086A (en) * | 1995-03-28 | 1997-08-26 | Mitsui High-Tec, Inc. | Process for manufacturing a plurality of strip lead frame semiconductor devices |
| DE19802575B4 (de) * | 1997-01-25 | 2005-10-13 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Herstellen einer Einheit für ein Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteil und zum Herstellen eines Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteils |
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