JPS62246220A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62246220A JPS62246220A JP9090886A JP9090886A JPS62246220A JP S62246220 A JPS62246220 A JP S62246220A JP 9090886 A JP9090886 A JP 9090886A JP 9090886 A JP9090886 A JP 9090886A JP S62246220 A JPS62246220 A JP S62246220A
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- JP
- Japan
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- fuse
- semiconductor device
- blown
- sectional area
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に使用され１通電により溶断さ
れるヒユーズを備えた半導体装置に関するものである。
れるヒユーズを備えた半導体装置に関するものである。
現在、プログラム可能なＲＯＭや冗長回路を備えた半導
体装置においては、ヒユーズを必要に応じて電気的に、
つまり通電により溶断することが行われている。
体装置においては、ヒユーズを必要に応じて電気的に、
つまり通電により溶断することが行われている。
第６図は、例えばＲｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙ ５ｔｕｄｙ
ｏｆＰｏｌｙｇｉｌｉｃｏｎ Ｆｕｓｉｂｌｅ Ｌｉ
ｎｋ ＰＲＯＭ ’ Ｓ （Ｒ，Ｃ。
ｏｆＰｏｌｙｇｉｌｉｃｏｎ Ｆｕｓｉｂｌｅ Ｌｉ
ｎｋ ＰＲＯＭ ’ Ｓ （Ｒ，Ｃ。
Ｓｍ１ｔｈ他、 Ｉｎｔｅｌ ）に示された従来のヒユ
ーズを示す平面図である。この図において、１はポリシ
リコンヒユーズの溶断しようとする部分を示す。
ーズを示す平面図である。この図において、１はポリシ
リコンヒユーズの溶断しようとする部分を示す。
次に動作について説明する。
ヒユーズ部の両端に電圧が印加され、電流がヒユーズ中
を流れ、この電流とヒユーズ部の抵抗によりジュール熱
が発生する。一方で周囲温度差が発生し、ヒユーズ材料
と周囲との熱抵抗等により周囲部分への放電も行われる
が、発熱が十分大きい場合、ヒユーズ部の温度は上昇す
る。この関係は、 ここに、ｂｏｘ （Ｔ−Ｔｏ）は放熱、Ｊ２・ｐｔ＊生
ｒＪｃ’れる熱を示し、Ｐはシリコン密度、Ｘは距離、
ｃはシリコン熱容量、にはシリコン熱伝導率、ｂｏｘは
熱損失係数、Ｊは電流、ρは比抵抗、Ｔｏは周囲温度、
（Ｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ａｎｄ Ｒｅ１ｉａｂｉ
ｌｔｙ ｏｆ ｆｕｓｉｎｇｐｏ１２ｓｉ１ｉｃｏｎ、
ＩＥＥＥ、１９８４． Ａ、Ｉｔｏ他参照）を示す。
を流れ、この電流とヒユーズ部の抵抗によりジュール熱
が発生する。一方で周囲温度差が発生し、ヒユーズ材料
と周囲との熱抵抗等により周囲部分への放電も行われる
が、発熱が十分大きい場合、ヒユーズ部の温度は上昇す
る。この関係は、 ここに、ｂｏｘ （Ｔ−Ｔｏ）は放熱、Ｊ２・ｐｔ＊生
ｒＪｃ’れる熱を示し、Ｐはシリコン密度、Ｘは距離、
ｃはシリコン熱容量、にはシリコン熱伝導率、ｂｏｘは
熱損失係数、Ｊは電流、ρは比抵抗、Ｔｏは周囲温度、
（Ｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ａｎｄ Ｒｅ１ｉａｂｉ
ｌｔｙ ｏｆ ｆｕｓｉｎｇｐｏ１２ｓｉ１ｉｃｏｎ、
ＩＥＥＥ、１９８４． Ａ、Ｉｔｏ他参照）を示す。
（溶断しようとするヒユーズ部の両端の幅は溶断部に比
べ十分大きいため、この部分の温度上シ１を無視して考
える。） 第８図はヒユーズのブロー（気化に近い状態で発散する
）直前の温度分布を表示した図で、実線は第６図に示し
たヒユーズの距＠Ｘに対する温度Ｔの分布を示し、ｔは
ヒユーズの溶断する臨界温度を示している。
べ十分大きいため、この部分の温度上シ１を無視して考
える。） 第８図はヒユーズのブロー（気化に近い状態で発散する
）直前の温度分布を表示した図で、実線は第６図に示し
たヒユーズの距＠Ｘに対する温度Ｔの分布を示し、ｔは
ヒユーズの溶断する臨界温度を示している。
今、ヒユーズ表面が、空気などの気体である場合、この
臨界温度ｔを超えて、ある時間経過したところで、ヒユ
ーズ材料は周囲に対して発散できるほどの運動エネルギ
ーを持ち発散する。この結果、臨界温度を以上にあるヒ
ユーズ部分はブローされる。
臨界温度ｔを超えて、ある時間経過したところで、ヒユ
ーズ材料は周囲に対して発散できるほどの運動エネルギ
ーを持ち発散する。この結果、臨界温度を以上にあるヒ
ユーズ部分はブローされる。
また１７図に示すように、溶断しようとする部分１の両
端が太くなった形状のヒユーズもあるが、この場合の温
度分布は第８図の破線ようになり、その結果、ブローさ
れる部分はさらに小さくなる。
端が太くなった形状のヒユーズもあるが、この場合の温
度分布は第８図の破線ようになり、その結果、ブローさ
れる部分はさらに小さくなる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来のヒユーズは、電気ブローにより取り
除くことのできる領域の幅が、溶断しようとする部分１
の熱分布状態に強く影響を受け、常に広い領域を正確に
溶断することができないため、半導体装置の信頼性の面
で問題があった。
除くことのできる領域の幅が、溶断しようとする部分１
の熱分布状態に強く影響を受け、常に広い領域を正確に
溶断することができないため、半導体装置の信頼性の面
で問題があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、高い信頼性を持ち、より広い領域をブローでき、
またより小さな電気でブローすることのできるヒユーズ
を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
ので、高い信頼性を持ち、より広い領域をブローでき、
またより小さな電気でブローすることのできるヒユーズ
を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、溶断しようとする部分の
両端の断面積を、溶断しようとする部分の断面積より小
さくしたヒユーズを備えたものである。
両端の断面積を、溶断しようとする部分の断面積より小
さくしたヒユーズを備えたものである。
この発明においては、断面積の小さい部分で発熱量が増
して放８量が減り、溶断しようとする部分の温度分布が
フラットになる。
して放８量が減り、溶断しようとする部分の温度分布が
フラットになる。
第１図はこの発明の半導体装置におけるヒユーズの一実
施例を示す平面図である。この図において、１は溶断し
ようとする部分、２は前記溶断しようとする部分１より
も断面積の小さい部分を示す。
施例を示す平面図である。この図において、１は溶断し
ようとする部分、２は前記溶断しようとする部分１より
も断面積の小さい部分を示す。
また第２図は第１図に示したヒユーズのブロー直前の温
度力ｔ１ｊを示した図で、ｔはヒユーズの溶−断する臨
界温度を示している。
度力ｔ１ｊを示した図で、ｔはヒユーズの溶−断する臨
界温度を示している。
すなわち、この発明の半導体装置におけるヒユーズは、
溶断しようとする部分１の両端に断面積の小さい部分２
を形成したので、この部分では単位長当たりの抵抗値が
増して発熱量が増大すると同時に、両端への放熱量が減
少するため、第２図に示すように、従来に比べて両端の
温度が上昇し、その結果、より大きなブロー領域が得ら
れる。
溶断しようとする部分１の両端に断面積の小さい部分２
を形成したので、この部分では単位長当たりの抵抗値が
増して発熱量が増大すると同時に、両端への放熱量が減
少するため、第２図に示すように、従来に比べて両端の
温度が上昇し、その結果、より大きなブロー領域が得ら
れる。
なお、断面積の小さい部分２は第３図、第４図に示すよ
うな形状にしてもよく、また第５図の断面図に示すよう
に、厚みを薄くして断面積を小さくしてもよい。
うな形状にしてもよく、また第５図の断面図に示すよう
に、厚みを薄くして断面積を小さくしてもよい。
この発明は以上説明したとおり、溶断しようとする部分
の両端の断面積を溶断しようとする部分の断面積より小
さくしたヒユーズを備えたので、より正確に広いブロー
領域を得ることができ、またより小さい電流または電圧
で、同じ大きさのブロー領域を得ることができ、高い信
頼性を持つ半導体装置が得られるという効果がある。
の両端の断面積を溶断しようとする部分の断面積より小
さくしたヒユーズを備えたので、より正確に広いブロー
領域を得ることができ、またより小さい電流または電圧
で、同じ大きさのブロー領域を得ることができ、高い信
頼性を持つ半導体装置が得られるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体装置におけるヒユーズの一実
施例を示す平面図、第２図はそのブロー直前の温度分布
を示した図、第３図および第４図はこの発明の半導体装
置におけるヒユーズの他の実施例を示す平面図、第５図
は同じく断面図、第６図および第７図は従来のヒユーズ
を示す平面図、第８図はそのブロー直前の温度分布を示
した図である。 図において、１は溶断しようとする部分、２は断面積の
小さい部分である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 一距亀Ｘ 第３図 第４図 第５図
施例を示す平面図、第２図はそのブロー直前の温度分布
を示した図、第３図および第４図はこの発明の半導体装
置におけるヒユーズの他の実施例を示す平面図、第５図
は同じく断面図、第６図および第７図は従来のヒユーズ
を示す平面図、第８図はそのブロー直前の温度分布を示
した図である。 図において、１は溶断しようとする部分、２は断面積の
小さい部分である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 一距亀Ｘ 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 通電によって溶断されるヒューズを備えた半導体装置に
おいて、前記ヒューズの溶断しようとする部分の両端の
断面積を前記溶断しようとする部分の断面積より小さく
したことを特徴する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090886A JPS62246220A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090886A JPS62246220A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246220A true JPS62246220A (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=14011506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9090886A Pending JPS62246220A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62246220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039220A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2010098184A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2015510675A (ja) * | 2012-02-15 | 2015-04-09 | エム ティー エイ ソシエタ ペル アチオニＭｔａ Ｓ．Ｐ．Ａ． | ヒューズ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5989434A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP9090886A patent/JPS62246220A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5989434A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039220A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| US7795699B2 (en) | 2003-06-26 | 2010-09-14 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2010098184A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2015510675A (ja) * | 2012-02-15 | 2015-04-09 | エム ティー エイ ソシエタ ペル アチオニＭｔａ Ｓ．Ｐ．Ａ． | ヒューズ |
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