JPH10162715A - チップヒューズ - Google Patents
チップヒューズInfo
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- JPH10162715A JPH10162715A JP31810196A JP31810196A JPH10162715A JP H10162715 A JPH10162715 A JP H10162715A JP 31810196 A JP31810196 A JP 31810196A JP 31810196 A JP31810196 A JP 31810196A JP H10162715 A JPH10162715 A JP H10162715A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ０．５秒〜１．０秒程度持続する異常電流に
対しては、安定的に溶断し、電源投入時の突入電流に対
して溶断しない実用性の高いチップヒューズを提供する
ことである。 【解決手段】表面にダイアモンド膜２を形成したガラス
−セラミック基板１に、両端部が端子電極５、５と接続
し、且つ溶断極細部３ａを有するヒューズ素子膜３を被
着形成した。
対しては、安定的に溶断し、電源投入時の突入電流に対
して溶断しない実用性の高いチップヒューズを提供する
ことである。 【解決手段】表面にダイアモンド膜２を形成したガラス
−セラミック基板１に、両端部が端子電極５、５と接続
し、且つ溶断極細部３ａを有するヒューズ素子膜３を被
着形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源投入時に瞬時
に発生する大電流（以下、突入電流という）に対しては
溶断しにくく、且つ、１／１０〜１秒程度持続する過電
流（以下、異常電流という）に対して安定的に溶断する
チップヒューズに関するものである。
に発生する大電流（以下、突入電流という）に対しては
溶断しにくく、且つ、１／１０〜１秒程度持続する過電
流（以下、異常電流という）に対して安定的に溶断する
チップヒューズに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来のチップヒューズは、アルミナセラミ
ックス等の絶縁体基板の表面にガラスグレーズ層を形成
し、このガラスグレーズ層上に、アルミニウム、Ａｇな
どから成り、その中央部に溶断極細部を有するヒューズ
素子膜を形成していた。このヒューズ素子膜の両端は、
端子電極が接続し、また、このヒューズ素子膜の表面に
は、低融点ガラスからなるオードコート層が形成されて
いた。
ックス等の絶縁体基板の表面にガラスグレーズ層を形成
し、このガラスグレーズ層上に、アルミニウム、Ａｇな
どから成り、その中央部に溶断極細部を有するヒューズ
素子膜を形成していた。このヒューズ素子膜の両端は、
端子電極が接続し、また、このヒューズ素子膜の表面に
は、低融点ガラスからなるオードコート層が形成されて
いた。
【０００３】チップヒューズは、電子回路の電源回路部
に用いられ、異常電流が供給された時に、その電流を遮
断して電子回路を構成する種々の素子を保護していた。
に用いられ、異常電流が供給された時に、その電流を遮
断して電子回路を構成する種々の素子を保護していた。
【０００４】具体的な動作は、異常電流がチップヒュー
ズに流れると、ヒューズ素子膜が発熱し、ヒューズ素子
材料の融点以上となると、特に導体層の幅の狭い溶断極
細部で溶断するものである。
ズに流れると、ヒューズ素子膜が発熱し、ヒューズ素子
材料の融点以上となると、特に導体層の幅の狭い溶断極
細部で溶断するものである。
【０００５】チップヒューズは、一定値以上、例えば４
Ａの異常電流が流れるとと、図４に示すように、０．１
秒程度で５００℃間で急峻に上昇する。これは、瞬時に
異常電流を遮断できることを示している。
Ａの異常電流が流れるとと、図４に示すように、０．１
秒程度で５００℃間で急峻に上昇する。これは、瞬時に
異常電流を遮断できることを示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、通常の電子回
路において、電源投入時などには瞬時、０〜０．１秒ま
での間で突入電流が発生してましう。従来の上述の構造
では、この突入電流をも遮断してしまうことになる。
路において、電源投入時などには瞬時、０〜０．１秒ま
での間で突入電流が発生してましう。従来の上述の構造
では、この突入電流をも遮断してしまうことになる。
【０００７】このため、異常電流に対しては瞬時に溶断
し、且つ突入電流に対する感度が鈍くするために、昇温
特性において、突入電流が発生する０〜０．１秒までの
間のヒューズ素子膜での昇温曲線を実質的に下に凸の曲
線、例えば、一般的な２次曲線の第１象限での曲線を描
くように、ガラスグレーズ層の材料、膜厚、チップヒュ
ーズ素子素子の材料、形状、膜厚を種々組み合わせて適
正に制御する必要があった。
し、且つ突入電流に対する感度が鈍くするために、昇温
特性において、突入電流が発生する０〜０．１秒までの
間のヒューズ素子膜での昇温曲線を実質的に下に凸の曲
線、例えば、一般的な２次曲線の第１象限での曲線を描
くように、ガラスグレーズ層の材料、膜厚、チップヒュ
ーズ素子素子の材料、形状、膜厚を種々組み合わせて適
正に制御する必要があった。
【０００８】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、０．５秒〜１．０秒程度持続
する異常電流に対しては、安定的に溶断し、突入電流に
対して溶断しない実用性の高いチップヒューズを提供す
ることである。
ものであり、その目的は、０．５秒〜１．０秒程度持続
する異常電流に対しては、安定的に溶断し、突入電流に
対して溶断しない実用性の高いチップヒューズを提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面にダイア
モンド膜を形成したガラス−セラミック基板に、両端部
が端子電極と接続し、且つ溶断極細部を有するヒューズ
素子膜を被着形成したことを特徴とするチップヒューズ
である。
モンド膜を形成したガラス−セラミック基板に、両端部
が端子電極と接続し、且つ溶断極細部を有するヒューズ
素子膜を被着形成したことを特徴とするチップヒューズ
である。
【００１０】
【作用】本発明によれば、基板材料にガラス−セラミッ
クと比較的熱伝導率が小さい材料を用いている。また、
ヒューズ素子膜と基板材料との間には、高い熱伝導性で
あり、且つ蓄熱性に優れた（高熱容量）ダイアモンド膜
を用いている。
クと比較的熱伝導率が小さい材料を用いている。また、
ヒューズ素子膜と基板材料との間には、高い熱伝導性で
あり、且つ蓄熱性に優れた（高熱容量）ダイアモンド膜
を用いている。
【００１１】従って、突入電流や異常電流などがヒュー
ズ素子膜に流れた時に、ヒューズ素子膜に発熱が発生す
るが、この熱は高い熱伝導性を有するダイアモンド膜側
に効率的に分散されることになる。従って、ヒューズ素
子膜の昇温は、初期状態で緩やかな昇温曲線となる。
尚、ダイアモンド膜に伝わった熱は、基板材料が比較的
伝導率が小さいガラス−セラミック基板であるため、基
板側に分散されにくく、主にこのダイアモンド膜に蓄熱
されることになる。
ズ素子膜に流れた時に、ヒューズ素子膜に発熱が発生す
るが、この熱は高い熱伝導性を有するダイアモンド膜側
に効率的に分散されることになる。従って、ヒューズ素
子膜の昇温は、初期状態で緩やかな昇温曲線となる。
尚、ダイアモンド膜に伝わった熱は、基板材料が比較的
伝導率が小さいガラス−セラミック基板であるため、基
板側に分散されにくく、主にこのダイアモンド膜に蓄熱
されることになる。
【００１２】そして、この電流がある一定の時間持続す
ると、ダイアモンド膜での熱容量が飽和になり、その結
果、ヒューズ素子膜で昇温が急峻に上がることになる。
従って、ヒューズ素子膜で発熱した熱が、十分に分散さ
れず、ヒューズ素子膜を構成する金属材料融点を達し、
溶断してしまうことになる。
ると、ダイアモンド膜での熱容量が飽和になり、その結
果、ヒューズ素子膜で昇温が急峻に上がることになる。
従って、ヒューズ素子膜で発熱した熱が、十分に分散さ
れず、ヒューズ素子膜を構成する金属材料融点を達し、
溶断してしまうことになる。
【００１３】即ち、突入電流や異常電流が発生した時に
は、ダイアモンド層の高い熱伝導性及び蓄熱性によっ
て、ヒューズ素子膜での発熱温度の上昇を遅くらせるこ
とができ、ヒューズ素子膜での昇温曲線を実質的に下に
凸の曲線とすることができる。
は、ダイアモンド層の高い熱伝導性及び蓄熱性によっ
て、ヒューズ素子膜での発熱温度の上昇を遅くらせるこ
とができ、ヒューズ素子膜での昇温曲線を実質的に下に
凸の曲線とすることができる。
【００１４】結局、０．５秒〜１．０秒程度持続する異
常電流に対しては安定的に溶断し、突入電流に対して溶
断しない実用性の高いチップヒューズとなる。
常電流に対しては安定的に溶断し、突入電流に対して溶
断しない実用性の高いチップヒューズとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて詳
説する。
説する。
【００１６】図１は、本発明のチップヒューズの断面図
であり、図２は、ヒューズ素子膜を形成した平面図であ
る。
であり、図２は、ヒューズ素子膜を形成した平面図であ
る。
【００１７】図１において、１はガラス−セラミック基
板、２はダイアモンド膜、３はヒューズ素子膜であり、
４は保護用オーバーコート層、５、５は端子電極であ
る。
板、２はダイアモンド膜、３はヒューズ素子膜であり、
４は保護用オーバーコート層、５、５は端子電極であ
る。
【００１８】ガラス−セラミック基板１は、結晶化ガラ
スとセラミックフィラーとからなる基板であり、ガラス
成分は全体の３０〜７０重量％、セラミック成分が７０
〜３０重量％からなっている。このような基板は、結晶
化可能な低融点ガラス粉末とアルミナ、シリカなどのセ
ラミック粉末とを比較的低温で焼成して成られるもので
ある。これよって得られる基板の特性の一例として、熱
伝導率λ1 が５Ｗ／ｍ・Ｋ、比熱１．０Ｊ／ｇ・Ｋ、密
度２．８ｇ／ｃｍ3 となる。尚、従来に一般に用いられ
ていたアルミナセラミック基板は、熱伝導率が１６Ｗ／
ｍ・Ｋ、比熱１．２Ｊ／ｇ・Ｋ、密度３．六ｇ／ｃｍ3
であり、特に、熱伝導率が低いものである。
スとセラミックフィラーとからなる基板であり、ガラス
成分は全体の３０〜７０重量％、セラミック成分が７０
〜３０重量％からなっている。このような基板は、結晶
化可能な低融点ガラス粉末とアルミナ、シリカなどのセ
ラミック粉末とを比較的低温で焼成して成られるもので
ある。これよって得られる基板の特性の一例として、熱
伝導率λ1 が５Ｗ／ｍ・Ｋ、比熱１．０Ｊ／ｇ・Ｋ、密
度２．８ｇ／ｃｍ3 となる。尚、従来に一般に用いられ
ていたアルミナセラミック基板は、熱伝導率が１６Ｗ／
ｍ・Ｋ、比熱１．２Ｊ／ｇ・Ｋ、密度３．六ｇ／ｃｍ3
であり、特に、熱伝導率が低いものである。
【００１９】ガラス−セラミック基板１の表面には、ダ
イアモンド膜２が被着形成されている。ダイアモンド膜
２は、５〜１００μｍの厚みで薄膜技法によって被着さ
れる。尚、ダイアモンド膜２は、少なくともヒューズ素
子膜３を形成する領域には形成する必要がある。このダ
イアモンドまく２は、熱伝導率λ2 が１３８０Ｗ／ｍ・
Ｋ、比熱０．５０Ｊ／ｇ・Ｋ、密度３．５１ｇ／ｃｍ3
であり、特に、ガラス−セラミック基板１の熱伝導率λ
1 に比較して、非常に高い熱伝導率を有している。
イアモンド膜２が被着形成されている。ダイアモンド膜
２は、５〜１００μｍの厚みで薄膜技法によって被着さ
れる。尚、ダイアモンド膜２は、少なくともヒューズ素
子膜３を形成する領域には形成する必要がある。このダ
イアモンドまく２は、熱伝導率λ2 が１３８０Ｗ／ｍ・
Ｋ、比熱０．５０Ｊ／ｇ・Ｋ、密度３．５１ｇ／ｃｍ3
であり、特に、ガラス−セラミック基板１の熱伝導率λ
1 に比較して、非常に高い熱伝導率を有している。
【００２０】このようなダイアモンド膜２の表面には、
基板１の長手方向に延び、且つ溶断極細部３ａを有する
ヒューズ素子膜３が形成されている。
基板１の長手方向に延び、且つ溶断極細部３ａを有する
ヒューズ素子膜３が形成されている。
【００２１】ヒューズ素子膜３は、アルミニウムなどの
比較的低い融点の金属材料からなり、フォトリソグラフ
ィ技術でもって所定形状に形成される。またヒューズ素
子膜３は、２〜５μｍ、例えば２．７μｍの膜厚を有し
ている。
比較的低い融点の金属材料からなり、フォトリソグラフ
ィ技術でもって所定形状に形成される。またヒューズ素
子膜３は、２〜５μｍ、例えば２．７μｍの膜厚を有し
ている。
【００２２】ガラス−セラミック基板１の両端部には、
端子電極５、５が形成されている。
端子電極５、５が形成されている。
【００２３】端子電極５、５は、Ａｇを主成分とする導
体膜からなり、例えばガラス−セラミック基板１の両端
部の表面、端面、裏面の３面に渡って形成されている。
そして、少なくとも端子電極５、５の表面側は、上述の
ヒューズ素子膜３の両端に重畳接続されている。端子電
極５、５は、Ａｇを主成分となる厚膜導体ペーストの焼
きつけによって形成さられ、さらにその表面にＮｉやＳ
ｎなどのメッキ層が被着形成されている。尚、端子電極
５、５の形成にあたり、特に、ヒューズ素子３の表面に
形成されてしまう数十Å程度の酸化被膜を留意し、端子
電極５、５とヒューズ素子膜３との安定な接続が達成さ
れるように考慮する必要がある。例えば、ヒューズ素子
膜３の重畳接続部分には、難酸化性金属薄膜をアルミニ
ウムの被着に続いて形成したり、また、アルミニウムの
被着前に、端子電極５、５の表面側導体膜の下地層とし
て難酸化性金属薄膜を形成し、この金属薄膜を介して、
ヒューズ素子膜３と端子電極５との接続を行うようにす
る。
体膜からなり、例えばガラス−セラミック基板１の両端
部の表面、端面、裏面の３面に渡って形成されている。
そして、少なくとも端子電極５、５の表面側は、上述の
ヒューズ素子膜３の両端に重畳接続されている。端子電
極５、５は、Ａｇを主成分となる厚膜導体ペーストの焼
きつけによって形成さられ、さらにその表面にＮｉやＳ
ｎなどのメッキ層が被着形成されている。尚、端子電極
５、５の形成にあたり、特に、ヒューズ素子３の表面に
形成されてしまう数十Å程度の酸化被膜を留意し、端子
電極５、５とヒューズ素子膜３との安定な接続が達成さ
れるように考慮する必要がある。例えば、ヒューズ素子
膜３の重畳接続部分には、難酸化性金属薄膜をアルミニ
ウムの被着に続いて形成したり、また、アルミニウムの
被着前に、端子電極５、５の表面側導体膜の下地層とし
て難酸化性金属薄膜を形成し、この金属薄膜を介して、
ヒューズ素子膜３と端子電極５との接続を行うようにす
る。
【００２４】ヒューズ素子膜３の表面に、保護用オーバ
ーコート層４が被着形成されている。保護用オーバーコ
ート層４は、例えば低融点ガラス層、樹脂層の多層構造
が望ましい。保護用オーバーコート層４の低融点ガラス
層は、ヒューズ素子膜３の発熱によって軟化して、ヒュ
ーズ素子膜３の溶断によって発生した溶断溝内に充填さ
れる。これによって、溶断後のチップヒューズの絶縁特
性が向上することになる。
ーコート層４が被着形成されている。保護用オーバーコ
ート層４は、例えば低融点ガラス層、樹脂層の多層構造
が望ましい。保護用オーバーコート層４の低融点ガラス
層は、ヒューズ素子膜３の発熱によって軟化して、ヒュ
ーズ素子膜３の溶断によって発生した溶断溝内に充填さ
れる。これによって、溶断後のチップヒューズの絶縁特
性が向上することになる。
【００２５】本発明者らは、上述の構造のチップヒュー
ズにおける溶断特性、特に、突入電流、及び異常電流に
対する動作を確認した。
ズにおける溶断特性、特に、突入電流、及び異常電流に
対する動作を確認した。
【００２６】本発明品として、幅１．２５ｍｍ、長さ
２．０ｍｍ、厚さ０．４９ｍｍで、熱特性は上述したと
おりのガラス−セラミック基板１の表面中央部に、幅
１．００ｍｍ、長さ０．６ｍｍ、厚さ１３μｍで、熱特
性は上述したとおりのダイアモンド膜２を被着形成し、
さらに、幅０．２ｍｍ、長さ０．６ｍｍの溶断極細部３
ａを有し、厚さ２．７μｍのアルミニウムから成るヒュ
ーズ素子膜３を形成した。
２．０ｍｍ、厚さ０．４９ｍｍで、熱特性は上述したと
おりのガラス−セラミック基板１の表面中央部に、幅
１．００ｍｍ、長さ０．６ｍｍ、厚さ１３μｍで、熱特
性は上述したとおりのダイアモンド膜２を被着形成し、
さらに、幅０．２ｍｍ、長さ０．６ｍｍの溶断極細部３
ａを有し、厚さ２．７μｍのアルミニウムから成るヒュ
ーズ素子膜３を形成した。
【００２７】また、保護用オーバーコート層４の低融点
ガラス層として、熱伝導率０．５Ｗ／ｍ・Ｋ、比熱１．
２Ｊ／ｇ・Ｋ、密度４．０ｇ／ｃｍ3 のホウ珪酸系の低
融点ガラス膜被着した。
ガラス層として、熱伝導率０．５Ｗ／ｍ・Ｋ、比熱１．
２Ｊ／ｇ・Ｋ、密度４．０ｇ／ｃｍ3 のホウ珪酸系の低
融点ガラス膜被着した。
【００２８】また、比較品として、熱特性が上述したと
おりのアルミナセラミック基板上に、ホウ珪酸系の低融
点ガラスから成るガラスグレーズ層（熱伝導率０．５Ｗ
／ｍ・Ｋ、比熱１．２Ｊ／ｇ・Ｋ、密度４．０ｇ／ｃｍ
3 ）に代えたものを作成した。尚、形状は、本発明品と
同一形状である。
おりのアルミナセラミック基板上に、ホウ珪酸系の低融
点ガラスから成るガラスグレーズ層（熱伝導率０．５Ｗ
／ｍ・Ｋ、比熱１．２Ｊ／ｇ・Ｋ、密度４．０ｇ／ｃｍ
3 ）に代えたものを作成した。尚、形状は、本発明品と
同一形状である。
【００２９】このような本発明品、比較品の夫々のチッ
プヒューズ素子素子の両端に、４Ａの電流を印加して、
通電開始からのヒューズ素子膜の昇温特性を測定した。
プヒューズ素子素子の両端に、４Ａの電流を印加して、
通電開始からのヒューズ素子膜の昇温特性を測定した。
【００３０】本発明品の昇温特性を図３に、比較品の昇
温特性を図４に示す。図３から理解できるように本発明
品での昇温曲線は、概略下に凸の曲線を示し、図４から
理解できるように比較品での昇温曲線は、概略上に凸の
曲線を示示す。
温特性を図４に示す。図３から理解できるように本発明
品での昇温曲線は、概略下に凸の曲線を示し、図４から
理解できるように比較品での昇温曲線は、概略上に凸の
曲線を示示す。
【００３１】そして、アルミニウムから成るヒューズ素
子膜が溶断するアルミニウムの融点６６０℃に達するま
で時間は、本発明、比較品ともに、約０．６秒であり、
０．１〜１．０秒程度持続する異常電流に対しては、安
定的に溶断されることが判る。
子膜が溶断するアルミニウムの融点６６０℃に達するま
で時間は、本発明、比較品ともに、約０．６秒であり、
０．１〜１．０秒程度持続する異常電流に対しては、安
定的に溶断されることが判る。
【００３２】しかし、電源を投入下時に発生する突入電
流（０〜０．０５秒の間に発生する電流）を考察する
と、例えば、通電時間０．５秒で、図３に示す本発明品
では、ヒューズ素子膜３は約１００℃程度しか昇温しな
いのに対して、図４に示す比較品では、４５０℃にも達
しまう。
流（０〜０．０５秒の間に発生する電流）を考察する
と、例えば、通電時間０．５秒で、図３に示す本発明品
では、ヒューズ素子膜３は約１００℃程度しか昇温しな
いのに対して、図４に示す比較品では、４５０℃にも達
しまう。
【００３３】即ち、図３、図４から明らなように、異常
電流に対しては本発明品、比較品ともに感度よく溶断さ
れるものの、電源投入時に発生する突入電流に対して
は、本発明品では、溶断される温度までは非常に余裕が
あり、比較品では、溶断はされないもの、溶断される温
度までは余裕がない状態である。
電流に対しては本発明品、比較品ともに感度よく溶断さ
れるものの、電源投入時に発生する突入電流に対して
は、本発明品では、溶断される温度までは非常に余裕が
あり、比較品では、溶断はされないもの、溶断される温
度までは余裕がない状態である。
【００３４】上述の印加電流は、４Ａで通電した時の結
果であり、実際の電子回路の電源回路部に発生する突入
電流の実際の電流値は把握しにくいこと、また、発熱温
度は電流に比例すると、比較品では４Ａで殆ど余裕がな
いことからすると、突入電流の実際の電流によって、直
に溶断してしまい、突入電流に対する信頼性が非常に低
いものと言える。
果であり、実際の電子回路の電源回路部に発生する突入
電流の実際の電流値は把握しにくいこと、また、発熱温
度は電流に比例すると、比較品では４Ａで殆ど余裕がな
いことからすると、突入電流の実際の電流によって、直
に溶断してしまい、突入電流に対する信頼性が非常に低
いものと言える。
【００３５】実際、本発明者らが印加電流を８Ａとして
流した場合、比較品では、０．０３秒で、アルミニウム
のヒューズ素子膜の融点に達してしまい、溶断が発生し
てしまい、また、印加電流を１０Ａとして流した場合に
は、本発明品では、０．１秒経過しても溶断することが
なっかったことを確認した。
流した場合、比較品では、０．０３秒で、アルミニウム
のヒューズ素子膜の融点に達してしまい、溶断が発生し
てしまい、また、印加電流を１０Ａとして流した場合に
は、本発明品では、０．１秒経過しても溶断することが
なっかったことを確認した。
【００３６】また、ダイアモンド膜２の膜厚が５μｍ以
上であれば、図３の特性に示すように、ヒューズ素子膜
３の昇温曲線を下に凸の曲線とすることができ、突入電
流に対して溶断しにくい（突入電流に対して信頼性の高
い）チップヒューズであることを確認した。尚、ダイア
モンド膜２の膜厚が１００μｍを越えると、ダイアモン
ド膜２の蓄熱効果による緩やかな温度上昇となり、（昇
温曲線を下に凸の曲線の曲率半径が大きくなりすぎ）、
異常電流に対する感度が鈍くなるとともに、コスト的に
みても不利なものとなってしまう。
上であれば、図３の特性に示すように、ヒューズ素子膜
３の昇温曲線を下に凸の曲線とすることができ、突入電
流に対して溶断しにくい（突入電流に対して信頼性の高
い）チップヒューズであることを確認した。尚、ダイア
モンド膜２の膜厚が１００μｍを越えると、ダイアモン
ド膜２の蓄熱効果による緩やかな温度上昇となり、（昇
温曲線を下に凸の曲線の曲率半径が大きくなりすぎ）、
異常電流に対する感度が鈍くなるとともに、コスト的に
みても不利なものとなってしまう。
【００３７】また、本発明者は、ダイアモンドに次いで
熱伝導性の良好な窒化アルミ膜を同一形状、同一厚みで
実験を行った。尚、窒化アルミ膜の熱伝導率２５０Ｗ／
ｍ・Ｋである。その結果、比較品の図４と同様に、ヒュ
ーズ素子膜３の昇温曲線が概略上に凸の曲線となってし
まうことを確認した。
熱伝導性の良好な窒化アルミ膜を同一形状、同一厚みで
実験を行った。尚、窒化アルミ膜の熱伝導率２５０Ｗ／
ｍ・Ｋである。その結果、比較品の図４と同様に、ヒュ
ーズ素子膜３の昇温曲線が概略上に凸の曲線となってし
まうことを確認した。
【００３８】以上のように、絶縁性があり、高い熱伝導
率を有する材料が、実質的にダイアモンドや窒化アルミ
ニウムしかない現状においては、低熱硬化伝導率のガラ
ス−セラミック基板の表面に形成する絶縁膜としての熱
伝導率は、５００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望まし
い。
率を有する材料が、実質的にダイアモンドや窒化アルミ
ニウムしかない現状においては、低熱硬化伝導率のガラ
ス−セラミック基板の表面に形成する絶縁膜としての熱
伝導率は、５００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望まし
い。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、ガラス−セラミック基板
上に、ダイアモンド膜を被着形成し、その表面にヒュー
ズ素子膜を形成したため、ダイアモンド膜の高い熱伝導
性及び蓄熱性によって、ヒューズ素子膜での昇温曲線を
実質的に下に凸の曲線とすることができる。
上に、ダイアモンド膜を被着形成し、その表面にヒュー
ズ素子膜を形成したため、ダイアモンド膜の高い熱伝導
性及び蓄熱性によって、ヒューズ素子膜での昇温曲線を
実質的に下に凸の曲線とすることができる。
【００４０】これにより、異常電流に対しては確実に溶
断し、電源投入時に発生する突入電流に対しては溶断す
ることがない、実用性の高いチップヒューズとなる。
断し、電源投入時に発生する突入電流に対しては溶断す
ることがない、実用性の高いチップヒューズとなる。
【図１】本発明のチップヒューズの断面図である。
【図２】本発明のチップヒューズの基板の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明のチップヒューズのヒューズ素子膜の昇
温特性を示す特性図である。
温特性を示す特性図である。
【図４】従来のチップヒューズのヒューズ素子膜の昇温
特性を示す特性図である。
特性を示す特性図である。
１・・・ガラス−セラミック基板 ２・・・ダイアモンド膜 ３・・・ヒューズ素子膜 ４・・・保護用オーバーコート層である。 ５、５・・・端子電極
Claims (1)
- 【請求項１】表面にダイアモンド膜を形成したガラス−
セラミック基板に、両端部が端子電極と接続し、且つ溶
断極細部を有するヒューズ素子膜を被着形成したことを
特徴とするチップヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31810196A JPH10162715A (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | チップヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31810196A JPH10162715A (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | チップヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162715A true JPH10162715A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18095507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31810196A Pending JPH10162715A (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | チップヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10162715A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-11-28 JP JP31810196A patent/JPH10162715A/ja active Pending
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