JPH0236248Y2 - - Google Patents
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- JPH0236248Y2 JPH0236248Y2 JP586182U JP586182U JPH0236248Y2 JP H0236248 Y2 JPH0236248 Y2 JP H0236248Y2 JP 586182 U JP586182 U JP 586182U JP 586182 U JP586182 U JP 586182U JP H0236248 Y2 JPH0236248 Y2 JP H0236248Y2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、過電流が通電されたとき発熱を生じ
て通電路が溶断されるヒユーズ抵抗器の改良に関
する。
て通電路が溶断されるヒユーズ抵抗器の改良に関
する。
従来この種ヒユーズ抵抗器として絶縁基体上に
ニツケル・リン抵抗皮膜を形成し、この皮膜を過
電流が通電されたとき溶断させる型式のものが提
案されている。然し乍らこの構成によると、ニツ
ケル・リン抵抗皮膜の抵抗温度係数が300PPM／
℃以下と小さい為、定電流的に過電流が流れたと
きには例えば抵抗値が4.7Ωである場合、抵抗皮
膜を溶断させるには1A以上の電流を必要とし、
それ以下の過電流によつて溶断させることはでき
ず、過電流に対する最小作動限界に制限がある欠
点を有していた。
ニツケル・リン抵抗皮膜を形成し、この皮膜を過
電流が通電されたとき溶断させる型式のものが提
案されている。然し乍らこの構成によると、ニツ
ケル・リン抵抗皮膜の抵抗温度係数が300PPM／
℃以下と小さい為、定電流的に過電流が流れたと
きには例えば抵抗値が4.7Ωである場合、抵抗皮
膜を溶断させるには1A以上の電流を必要とし、
それ以下の過電流によつて溶断させることはでき
ず、過電流に対する最小作動限界に制限がある欠
点を有していた。
本考案は、上記従来品における最小作動限界以
下の過電流に対して応動し得る新規なヒユーズ抵
抗器を提供するもので、その特徴とする所は絶縁
基体上に銅皮膜及びニツケル・リン皮膜をその順
に積層して抵抗皮膜を形成したことである。
下の過電流に対して応動し得る新規なヒユーズ抵
抗器を提供するもので、その特徴とする所は絶縁
基体上に銅皮膜及びニツケル・リン皮膜をその順
に積層して抵抗皮膜を形成したことである。
以下図面について本考案の好適な実施例を詳述
する。
する。
第１図は本考案によるヒユーズ抵抗器の断面図
を示し、１は抵抗器本体であつて、アルミナ磁
器、ムライト磁器、ホルステライト等の絶縁材で
形成された円柱状の絶縁基体２の外周面に銅皮膜
３及びニツケル・リン皮膜４がその順に積層され
て抵抗皮膜５が形成された構成を有する。この場
合各皮膜の形成は、先ず絶縁基体２上に化学的還
元反応によつて銅皮膜３を例えば抵抗値が0.05Ω
となるように形成し、次いで銅皮膜上に化学的還
元触媒反応によつてニツケル・リン皮膜４を例え
ば抵抗値が0.04Ωとなるように析出させる。その
後皮膜の安定化を図るために200℃で１時間熱処
理を行なう。抵抗器本体１の両端部には夫々キヤ
ツプ状電極６及び７が被冠され、これらキヤツプ
状電極６及び７の端面に外方に延長するリード線
８及び９が溶接等によつて固着され電気的に連結
されている。
を示し、１は抵抗器本体であつて、アルミナ磁
器、ムライト磁器、ホルステライト等の絶縁材で
形成された円柱状の絶縁基体２の外周面に銅皮膜
３及びニツケル・リン皮膜４がその順に積層され
て抵抗皮膜５が形成された構成を有する。この場
合各皮膜の形成は、先ず絶縁基体２上に化学的還
元反応によつて銅皮膜３を例えば抵抗値が0.05Ω
となるように形成し、次いで銅皮膜上に化学的還
元触媒反応によつてニツケル・リン皮膜４を例え
ば抵抗値が0.04Ωとなるように析出させる。その
後皮膜の安定化を図るために200℃で１時間熱処
理を行なう。抵抗器本体１の両端部には夫々キヤ
ツプ状電極６及び７が被冠され、これらキヤツプ
状電極６及び７の端面に外方に延長するリード線
８及び９が溶接等によつて固着され電気的に連結
されている。
１０は抵抗器本体１の皮膜抵抗５を螺旋状に切
除した螺旋切条であつて、抵抗器の抵抗値を設定
するためのものであり、例えば抵抗値が4.7Ωと
なるように形成されている。
除した螺旋切条であつて、抵抗器の抵抗値を設定
するためのものであり、例えば抵抗値が4.7Ωと
なるように形成されている。
キヤツプ状電極６及び７を被冠した抵抗器本体
１は、中空の耐熱性絶縁円筒体１１内に挿入され
両端を封止材１２によつて封止され円筒体１１内
に収納されている。
１は、中空の耐熱性絶縁円筒体１１内に挿入され
両端を封止材１２によつて封止され円筒体１１内
に収納されている。
以上が本考案の一例構成であるが、斯る構成に
依れば、絶縁基体２上に銅皮膜３及びニツケル・
リン皮膜４の２層でなる抵抗皮膜５が形成されて
おり、この場合銅皮膜３の抵抗温度係数が
3930PPM／℃と高いので、定電流的に過電流が
通電されたとき、特に銅皮膜の自己発熱により抵
抗値が増加し、さらにこれに応じて発熱量が増加
し、これらの相乗効果を加速度的に繰り返えすこ
とになる。而して発熱温度がニツケル・リン皮膜
４の融点（約890℃）に達するとこの皮膜４が溶
融して溶断され、次いで銅皮膜３の融点（約1083
℃）に達すると銅皮膜が溶融して溶断され、この
時点でキヤツプ状電極６及び７間の通電路が遮断
される。
依れば、絶縁基体２上に銅皮膜３及びニツケル・
リン皮膜４の２層でなる抵抗皮膜５が形成されて
おり、この場合銅皮膜３の抵抗温度係数が
3930PPM／℃と高いので、定電流的に過電流が
通電されたとき、特に銅皮膜の自己発熱により抵
抗値が増加し、さらにこれに応じて発熱量が増加
し、これらの相乗効果を加速度的に繰り返えすこ
とになる。而して発熱温度がニツケル・リン皮膜
４の融点（約890℃）に達するとこの皮膜４が溶
融して溶断され、次いで銅皮膜３の融点（約1083
℃）に達すると銅皮膜が溶融して溶断され、この
時点でキヤツプ状電極６及び７間の通電路が遮断
される。
本案品及び従来品の通電電流に対する溶断時間
を実測した結果は第２図に示すようであつた。第
２図において曲線Ａは本案品、曲線Ｂは従来品の
特性曲線を夫々示す。この図から明らかなよう
に、本案品においては600mAの電流で20秒後に
溶断するものであるが、従来品の場合1.05Aの電
流で20秒後に溶断し、従つて本案品は従来品に比
較して約半分の電流値で溶断されることが実証さ
れた。
を実測した結果は第２図に示すようであつた。第
２図において曲線Ａは本案品、曲線Ｂは従来品の
特性曲線を夫々示す。この図から明らかなよう
に、本案品においては600mAの電流で20秒後に
溶断するものであるが、従来品の場合1.05Aの電
流で20秒後に溶断し、従つて本案品は従来品に比
較して約半分の電流値で溶断されることが実証さ
れた。
以上のように本考案によると、抵抗皮膜を銅皮
膜及びニツケル・リン皮膜の２層構造にすること
によつて従来品に比較して溶断特性を向上させる
ことができる。又抵抗器本体の抵抗値範囲が0.1
〜５Ω程度と低い範囲であるので、電子機器の電
源回路におけるヒユーズの代用品として使用する
ことが可能であり、ヒユーズに較べて小型化し得
ると共に基板への取付の容易性等の点で効果を発
揮することができる上、小型電子機器の安全対策
として格別の効果を奏することができる等の実用
上優れた特徴を有する。
膜及びニツケル・リン皮膜の２層構造にすること
によつて従来品に比較して溶断特性を向上させる
ことができる。又抵抗器本体の抵抗値範囲が0.1
〜５Ω程度と低い範囲であるので、電子機器の電
源回路におけるヒユーズの代用品として使用する
ことが可能であり、ヒユーズに較べて小型化し得
ると共に基板への取付の容易性等の点で効果を発
揮することができる上、小型電子機器の安全対策
として格別の効果を奏することができる等の実用
上優れた特徴を有する。
尚上例においては抵抗器本体１を耐熱性絶縁円
筒体１１内に収納する場合について説明したが、
キヤツプ状電極６及び７を装着した状態でこれを
不燃性絶縁塗膜で覆うようにしても良いこと勿論
である。
筒体１１内に収納する場合について説明したが、
キヤツプ状電極６及び７を装着した状態でこれを
不燃性絶縁塗膜で覆うようにしても良いこと勿論
である。
第１図は本考案に依るヒユーズ抵抗器の一例を
示す断面図、第２図は本案品及び従来品の電流に
対する溶断時間の関係を示すグラフである。 ２……絶縁基体、３……銅皮膜、４……ニツケ
ル・リン皮膜、５……抵抗皮膜、１１……耐熱性
絶縁円筒体。
示す断面図、第２図は本案品及び従来品の電流に
対する溶断時間の関係を示すグラフである。 ２……絶縁基体、３……銅皮膜、４……ニツケ
ル・リン皮膜、５……抵抗皮膜、１１……耐熱性
絶縁円筒体。
Claims (1)
- 絶縁基体上に銅皮膜及びニツケル・リン皮膜を
その順に積層した溶断可能な抵抗皮膜が形成さ
れ、該絶縁基体が絶縁性覆体によつて覆われてい
ることを特徴とするヒユーズ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP586182U JPS58109202U (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | ヒユ−ズ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP586182U JPS58109202U (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | ヒユ−ズ抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58109202U JPS58109202U (ja) | 1983-07-25 |
| JPH0236248Y2 true JPH0236248Y2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=30018655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP586182U Granted JPS58109202U (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | ヒユ−ズ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58109202U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002318492A1 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-23 | Smart Electronics Inc. | Fusible resistor and method of fabricating the same |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP586182U patent/JPS58109202U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58109202U (ja) | 1983-07-25 |
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