KR910003800A - 반도체장치 - Google Patents

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KR910003800A
KR910003800A KR1019900010720A KR900010720A KR910003800A KR 910003800 A KR910003800 A KR 910003800A KR 1019900010720 A KR1019900010720 A KR 1019900010720A KR 900010720 A KR900010720 A KR 900010720A KR 910003800 A KR910003800 A KR 910003800A
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KR
South Korea
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semiconductor device
redundant circuit
flat plate
plate shape
predetermined
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Application number
KR1019900010720A
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English (en)
Inventor
게이이치 아베
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • G—PHYSICS
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    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
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    • G11C29/787—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes using a fuse hierarchy
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 실시예에 따른 용착형 퓨즈의 평면도,
제2도 제1도의 퓨즈가 조립된 반도체장치의 단면도,
제3도는 용장회로로의 절환을 위한 스위치회로도.

Claims (4)

  1. 용장회로와 ; 소정의 간격을 두고 배치된 2개의 부분(101, 102)으로 구성되고, 그중 한쪽 부분은 상기 용장회로의 단자와 접속되며, 다른쪽 부분은 상기 용장회로를 동작시키기 위한 소정의 단자에 접속되고, 상기 한쪽 부분과 다른쪽 부분을 도통시킴으로써 상기 용장회로를 동작시키는 용장회로 절환부재(100) 및 ; 이 용장회로 절환부재(100)를 밀폐시키도록 형성된 절연층(106, 107, 109)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 한쪽 부분(101)이 凹형의 평판형상으로 형성되고, 다른쪽 부분(102)이 장방형의 평판 형상으로구성되며, 상기 한쪽 부분(101)의 凹부내에 상기 다른쪽 부분(102)이 소정의 간격(C)을 두고 배치되어 있는 것을 특징으로하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 한쪽 부분 및 다른쪽 부분이 빗살형의 평판형상으로 형성되고, 상기 한쪽 부분 및 다른쪽 부분은 서로 소정의 간격을 두고 빗살부분이 맞물리도록 배치된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 한쪽 부분 및 다른쪽 부분이 평판형상으로 형성되고, 상기 한쪽 부분은 다른쪽 부분의 상부에 대해 서로 소정의 간격을 두고 배치된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900010720A 1989-07-14 1990-07-14 반도체장치 KR910003800A (ko)

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JP1180511A JPH0346256A (ja) 1989-07-14 1989-07-14 半導体装置
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180034219A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 가부시끼가이샤 도시바 경수로용 연료 집합체, 경수로 노심, 경수로용 연료 집합체 제조 방법 및 mox 연료 집합체 제조 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59195843A (ja) * 1983-04-21 1984-11-07 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0760853B2 (ja) * 1984-07-18 1995-06-28 テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド レ−ザ・ビ−ムでプログラムし得る半導体装置と半導体装置の製法
JPH0196954A (ja) * 1987-10-08 1989-04-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の抵抗トリミング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180034219A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 가부시끼가이샤 도시바 경수로용 연료 집합체, 경수로 노심, 경수로용 연료 집합체 제조 방법 및 mox 연료 집합체 제조 방법

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JPH0346256A (ja) 1991-02-27

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