KR950028013A - 보호회로를 내장한 절연게이트형 반도체장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 과전류를 고정도로 검출하고, 보호회로가 오동작 및 시간지연없이 확실히 보호 동작하는 고신뢰 및 고정도의 보호회로내장형의 절연게이트 반도체 장치를 실현하는 것을 목적으로 한다. 반도체기체를 주 IGBT영역(1)과 보호회로영역(2)로 나누고 양자의 사이에 차단영역으로 에미터전극과 접촉하는 p형 웰층(20)을 설치하며 검출 IGBT(30)와 보호회로소자를 함께 보호회로영역(2)에 형성한다.
상기 구성의 의해 주 IGBT에서 보호회로영역으로 유입하는 과잉의 캐리어를 p형 웰층에서 배출할 수 있기 때문에 고정도로 과전류를 검출하고 보호회로가 오동작 및 시간지연없이 동작하는 고신뢰 및 고정도의 보호회로내장형의 절연게이트 반도체 장치를 실현할 수 있다.

Description

보호회로를 내장한 절연게이트형 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 한쌍의 주표면과 일방의 주표면에 인접하는 일방도전형의 제1층을 가지는 반도체기체를 구비하고, 이 반도체기체는 서로 인접하는 제1영역과 제2영역을 가지며, 제1영역 및 제2영역의 타방의 주표면에는 제1전극을 설치하고, 제1영역에는 그 제1층내에 일방의 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 타방도전형의 제2층과, 제2층내에 일방의 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 일방도전형의 제3층과, 일방의 주표면에 있어서 제3층에 인접하는 제2전극과, 일방의 주표면의 제2층의 노출부분에 절연막을 통하여 형성된 제1제어전극을 설치하며, 제1영역과 제2영역의 사이에는 제1층내에 형성된 제2전극과 접촉하는 타방도전형의 반도체층을 설치하고, 제2영역에는 그 제1층내에 일방의 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 타방도전형의 제4층과, 제4층내에 일방이 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 일방도전형의 제5층과 일방의 주표면에 있어서, 제4층에 접촉하는 제3전극과, 일방의 주표면의 제4층의 노출부분에 절연막을 통하여 형성되고 제1제어전극과 접속된 제2제어전극을 설치하며, 제2영역에는 제1층내에 일방의 주표면에 인접하여 형성된 반도체 소자를 포함하는 회로가 형성되고 그 회로에 제3전극이 접속된 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2영역에 형성된 회로가 보호회로인 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1영역과 제2영역 사이에 설치된 상기 타방도전형의 반도체층이 제2영역에 형성된 상기 제4층 및 반도체소자를 포위하도록 설치된 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  4. 제1항 또는 제3항의 어느 1항에 있어서, 상기 타방의 주표면과 상기 제1층에 인접하여 타방도전형의 제6층이 설치된 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  5. 한쌍의 주표면과 일방의 주표면에 인접하는 일방도전형의 제1층을 가지는 반도체기체를 구비하고, 이 반도체기체는 서로 인접하는 제1영역과 제2영역을 가지며, 제1영역 및 제2영역의 타방의 주표면에는 제1전극을 설치하고, 제1영역에는 그 제1층내에 일방의 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 타방도전형의 제2층과, 제2층내에일방의 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 일방도전형의 제3층과, 일방의 주표면의 제3층에 접촉하는 제2전극과, 일방의 주표면의 제2층의 노출부분에 절연막을 통하여 형성된 제1제어전극을 설치하며, 제2영역에는 그 제1층내에 일방의 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 타방도전형의 제4층과, 제4층내에 일방이 주표면에 인접하여 선택적으로 형성된 일방도전형의 제5층과, 일방의 주표면의 제4층에 접촉하는 제3전극과, 일방의 주표면의 제4층의 노출부분에 절연막을 통하여 형성되고 제1제어전극과 접속된 제2제어전극을 설치하고, 제2영역에는 일방의 주표면에 인접하는 제1층내에 제1영역에 인접하여 형성된 타방도전형의 베이스층을 가지는 반도체소자를 포함하는 회로가 형성되고 그회로에 제3전극이 접속되며, 반도체소자의 베이스층이 제2전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2영역에 형성된 회로가 보호회로인 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  7. 제5항 내지 제6항에 있어서, 제2영역의 상기 반도체소자의 베이스층이 제2영역에 형성된 상기 제4층을 포위하도록 설치된 것을 특징으로 하는 절연 게이트형 반도체장치.
  8. 제5항 내지 제7항의 어느 1항에 있어서, 상기 타방의 주면과 상기 제1층과에 인접하여 타방도전형의 제6층이 설치된 것을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  9. 제1항 내지 제8항의 어느 1항에 있어서, 한쌍의 직류단자와, 교류출력의 상수와 동수의 교류단자와, 한쌍의 직류단자 사이에 접속되고 각각 스위칭 소자와 역극성의 다이오드의 병렬회로를 2개 직렬접속한 구성으로 되며 병렬회로의 상호접속점이 다른 교류단자에 접속되니 교류출력의 상수와 동수의 인버터단위를 구비하는 전력변환장치에 있어서, 스위칭소자가 절연게이트반도체 장치인 것을 특징으로 하는 전력변환장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940031522A 1994-03-17 1994-11-28 보호회로를내장한절연게이트형반도체장치 KR100314703B1 (ko)

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