KR900701049A - 파워 mosfet - Google Patents

파워 mosfet

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Abstract

내용 없음

Description

파워 MOSFET
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 2개의 전류 및 전압 감시용 전류미러를 갖는 MOSFET칩의 평면도,
제 2도는 제 1도의 칩의 회로도,
제 3도는 선행전류미러의 단면도.
제 4도는 본 발명에 따른 격리 셀의 이용을 나타내는 단면도,
제 5도는 본 발명에 따른 가드링의 이용을 나타내는 평면도.

Claims (11)

  1. 반도체볼륨, 상기 반도체의 각각 제 1, 제 2 및 제 3의 영역에 형성되는 제 1, 제 2 및 제 3세트의 MOSFET 셀, 그리고 공통으로 연결되는 드레인과 공통으로 연결되는 소오스를 갖는 각 세트의 셀로 구성되고 ; 각 셀은 전류 흐름이 확립될 수 있는 소오스와 드레인을 갖고, 상기 제 1세트의 셀은 비교적 많은 수의 셀을 갖고, 상기 제 2 및 제 3세트의 셀은 각각 매우 적은 수의 셀을 갖고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3세트의 셀의 공통으로 연결되는 드레인은 공통 연결부를 갖고, 그리고 상기 제 1세트, 제 2세트 및 제 3세트의 셀의 공통으로 연결되는 소오스는 서로로부터 전기적으로 격리되어 분리된 소오스 노드를 제공하는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  2. 제 1의 도전타입으로 도핑된 반도체볼륨. 상기 반도체의 각각 제 1 및 제 2의 영역에 형성되는 제 1 및 제 2의 다수의 MOSFET 셀. 그리고 상기 제 1 및 제 2의 영역 사이에 배치되는 상기 반도체의 제 3의 영역에 형성되는 다수의 격리셀로 구성되고 ; 각 MOSFET 셀은 상기 제 1의 도전타입과 반대되는 제 2의 도전타입으로 도핑된 영역과 상기 제 1의 도전타입의 반도체에 형성되는 소오스 영역을 갖고, 그리고 상기 격리셀들은 각각 상기 제 2의 도전타입 영역을 갖지만 소오스 영역은 갖지 않는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  3. 제 1의 도전타입으로 도핑된 반도체 볼륨. 상기 반도체의 각각 제 1 및 제 2의 영역에 형성되는 제 1 및 제 2의 다수의 MOSFET 셀. 그리고 상기 제 1 및 제 2의 영역 사이에 배치되는 상기 반도체의 제 3의 영역에 형성되는 상기 제 2의 도전타입의 가드링으로 구성되고 ; 각 MOSFET 셀은 상기 제 1의 도전타입과 반대되는 제 2의 도전타입으로 도핑된 영역과 상기 제 1의 도전타입의 반도체에 형성되는 소오스 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  4. 반도체볼륨. 상기 반도체의 각각 제 1 및 제 2의 영역에 형성되는 제 1 및 제 2세트의 MOSFET 셀, 공통으로 연결되는 드레인과 공통으로 연결되는 소오스를 갖는 각 세트의 셀, 상기 제 2세트의 셀의 온-저항보다 사실상 더 큰 저항을 갖고 상기 제 2세트의 소오스노드와 접지 사이에 접속되어 공통 드레인 연결부에서의 전압레벨에 매우 근사한 전압레벨을 제공하는 제 1의 저항기, 상기 제 2세트의 셀의 온-저항보다 사실상 더 적은 저항을 갖고 중간 노드와 접지 사이에 접속되는 제 2의 저항기, 그리고 상기 제 2세트의 셀과 상기 중간 노드 사이에 접속되는 스위치로 구성되고 ; 상기 각 셀은 전류 흐름이 확립될 수 있는 소오스와 드레인을 갖고, 상기 제 1세트의 셀은 비교적 많은 수의 셀을 갖고, 상기 제 2세트의 셀은 매우 적은 수의 셀을 갖고, 상기 제 1, 제 2세트의 셀의 공통으로 연결되는 드레인은 공통 연결부를 갖고, 상기 제 1세트 및 상기 제 2세트의 셀의 공통으로 연결되는 소오스는 서로 전기적으로 격리되어 분리된 소오스 노드를 제공하고 상기 제 2세트의 소오스 노드는 상기 스위치가 열려있을 때 공통 드레인 연결부의 전압에 근사하고 상기 스위치가 닫혀있을 때 상기 제 2세트의 셀을 통해 흐르는 전류를 나타내는 것을 특징으로 하는 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 저항기는 상기 반도체의 외부에 있는 것을 특징으로 하는 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 저항기는 상기 반도체에 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  7. 반도체볼륨. 상기 반도체의 각각 제 1, 제 2 및 제 3의 영역에 형성되는 제 1, 제 2 및 제 3세트의 MOSFET 셀, 공통으로 연결되는 드레인과 공통으로 연결되는 소오스를 갖는 각 세트의 셀, 상기 제 2세트의 셀의 온-저항보다 사실상 더 적은 저항을 갖고 상기 제 1세트의 셀에 흐르는 전류를 나타내는 전압을 제공하기 위해 상기 제 2의 소오스 노드와 접지 사이에 접속되는 제 1의 저항기, 그리고 상기 제 3세트의 셀의 온-저항보다 사실상 더 큰 저항을 갖고 상기 공통 드레인 연결부의 전압 레벨에 매우 근사한 전압 레벨을 제공하기 위해 상기 제 3의 소오스 노드와 접지 사이에 접속되는 저항기로 구성되고 ; 각 셀은 전류 흐름이 확립될 수 있는 소오스와 드레인을 갖고, 상기 제 1 세트의 셀을 비교적 많은 수의 셀을 갖고, 상기 제 2세트와 제 3세트의 셀은 각각 매우 적은 수의 셀을 갖고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3세트의 셀의 공통으로 연결되는 드레인은 공통 연결부를 갖고, 상기 제 2세트와 상기 제 3세트의 셀은 서로 전기적으로 격리되어 분리된 제 1, 제 2 및 제 3의 소오스 노드를 제공하는 것을 특징으로 하는 전류 및 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 제 3세트의 셀은 상기 제 2세트의 셀보다 더 적은 셀을 갖는 것을 특징으로 하는 전류 및 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 저항기들 중 적어도 하나는 상기 반도체의 외부에 있는 것을 특징으로 하는 전류 및 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 저항기들 중 적어도 하나는 상기 반도체 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전류 및 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
  11. 반도체볼륨. 상기 반도체의 각각 제 1 및 제 2의 영역에 형성되는 제 1 및 제 2세트의 MOSFET 셀, 공통으로 연결되는 드레인과 공통으로 연결되는 소오스를 갖는 각 세트의 셀, 상기 제 2세트의 셀의 온-저항보다 사실상 더 큰 저항을 갖고 공통 드레인 연결부의 전압 레벨에 매우 근사한 전압 레벨을 제공하기 위해 상기 제 2세트의 셀의 소오스 노드와 접지 사이에 접속되는 제 1의 저항기, 상기 제 2세트의 셀의 온-저항보다 사실상 더 적은 저항을 갖고 중간 노드와 접지 사이에 접속되는 제 2의 저항기, 그리고 상기 제 2세트의 셀의 소오스 노드와 상기 중간 노드 사이에 접속되는 스위치로 구성되고 ; 각 셀은 전류 흐름이 확립될 수 있는 소오스와 드레인을 갖고, 상기 제 1세트의 셀은 비교적 많은 수의 셀을 갖고, 상기 제 2세의 셀은 비교적 적은 수의 셀을 갖고, 상기 제 1 및 제 2세트의 셀의 공통으로 연결된 드레인은 공통 연결부를 갖고, 상기 제 1세트와 상기 제 2세트의 셀의 공통으로 연결된 소오스는 서로 전기적으로 격리되어 분리된 소오스 노드를 제공하고, 그리고 상기 제 2 세트의 상기 소오스 노드에서의 전압은 상기 스위치가 열려있을 때 공통 드레인 연결부에서의 전압에 근사하고 상기 스위치가 닫혀있을 때 상기 제 2 세트의 셀을 통해 흐르는 전류를 나타내는 것을 특징으로 하는 전압 감지회로와 결합한 파워 MOSFET.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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