JPH0793433B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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JPH0793433B2
JPH0793433B2 JP63282701A JP28270188A JPH0793433B2 JP H0793433 B2 JPH0793433 B2 JP H0793433B2 JP 63282701 A JP63282701 A JP 63282701A JP 28270188 A JP28270188 A JP 28270188A JP H0793433 B2 JPH0793433 B2 JP H0793433B2
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electrode
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洋 柳川
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は縦型電界効果トランジスタ（以下縦型MOSFETと
いう）に関し、特にドレイン・ソース間に流れる電流を
検出する機能の付いた縦型MOSFETに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の縦型MOSFETは第３図に示す様にＮチャネ
ル型を例にとると、セルの一部にミラー端子（電流検出
部）Ｍを、ソース電位と同電位のケルビン端子Ｋをそれ
ぞれ設けることにより、外付けにミラー端子とケルビン
端子間にセンス抵抗を設けてセル比で一部ミラー端子に
流れこんだ電流をケルビン端子Ｋとミラー端子Ｍの電位
差で検出する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の縦型MOSFETはセンス抵抗を外付けする構
造となっているので部品点数が増えること、又電流がド
レインからソースに素子の許容量を越えて流れ続くとオ
ーバーパワーによりその素子は破壊するという欠点があ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の縦型MOSFETはセンス抵抗と、ドレインソース間
に過電流が流れこんだ時ゲート電圧をしゃ断するゲート
電極のポリシリコンに設けたディプレッション型のMOSF
ETを有している。
すなわち、本発明はセンス抵抗を内蔵し、過電流時には
ゲート電極に設けたディプレッション型のMOSFETが作動
してゲート電圧をしゃ断しドレイン・ソース間を流れる
電流を止める保護回路を内蔵している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の等価回路である。第２図（Ｉ）は本発
明の一実施例の平面図であり、第２図（II）はＡ−Ａ′
の縦断面図である。
本実施例の電界効果トランジスタは、アルミ配線により
形成されているソース電極３の一部を切り離してミラー
端子２、言い換えると電流検出端子が形成されている。
図２に記載されている端子G1はゲート電極、D14はドレ
イン電極、S3はソース電極であり、図１に記載されてい
る端子G,D,Sにそれぞれ対応する。
ミラー端子２に含まれるセル数を全体のセル数の1/nと
し、ポリシリコンのセンス抵抗４はこの素子の許容電流
のＩ（Ａ）の時にミラー端子に流れこんだ電流I/n
［Ａ］でミラー端子がゲート電極１に設けたディプレッ
ション型のMOSFETのしきい値電圧（Vth［Ｖ］）となる
ように抵抗値（Vth/（I/n）［Ω］）を設定する。
ミラー端子２はアルミニウム配線によりゲート電極１に
あるディプレッション型MOSFETのゲートに接続されてい
る。ディプレッション型MOSFETはゲート電極のポリシリ
コンで形成され選択的にＰ型7N型8P型９と形成する。Ｐ
型ポリシリコン９はセル部のゲートポリシリコン10と接
続されている。Ｐ型ポリシリコン７はゲート電極１と接
続されている。Ｎ型ポリシリコン８は表面の浅いチャネ
ル領15のみＰ型に形成しディプレッション型とする。
以上の実施例はＰチャネル型に同様に適用することがで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はセンス抵抗を内蔵し、ゲー
ト電極にディプレッション型のMOSFETを内蔵することに
より、ドレイン・ソース間の過電流を検出し素子がオー
バーパワーで破壊する前にゲート電圧をしゃ断しドレイ
ン・ソース間の電流を止める。部品を外付けすることな
く素子を保護する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の等価回路図、第２図（Ｉ）
は本発明の一実施例の平面図、第２図（II）は第２図
（Ｉ）のＡ−Ａ′線縦断面図、第３図は従来の等価回路
である。 １……ゲート電極、２……ミラー端子、３……ソース電
極、４……センス抵抗、５……酸化膜、……酸化膜、７
……Ｐ型ポリシリコン、８……Ｎ型ポリシリコン、９…
…Ｐ型ポリシリコン、10……ゲートポリシリコン、11…
…Ｐ型拡散層、12……Ｎ型拡散層、13……Ｎ型半導体基
板、14……ドレイン電極、15……Ｐ型チャネル領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ソースの一部を切断して形成された電流検
    出電極を有し半導体基板に形成された第１の電界効果ト
    ランジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのソー
    スに接続されたソース電極と、前記第１の電界効果トラ
    ンジスタのドレインに接続されたドレイン電極と、ポリ
    シリコンで形成され、前記第１の電界効果トランジスタ
    の前記電流検出電極に接続されたゲート及び一方が前記
    第１の電界効果トランジスタのゲートに接続され他方が
    ゲート電極として引き出されるドレイン・ソース路を有
    するディプレッション型の第２の電界効果トランジスタ
    と、前記第１の電界効果トランジスタの前記電流検出電
    極と前記ソース電極間に接続された抵抗とを備えること
    を特徴とする電界効果トランジスタ。
JP63282701A 1988-11-08 1988-11-08 電界効果トランジスタ Expired - Lifetime JPH0793433B2 (ja)

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JPH02128475A JPH02128475A (ja) 1990-05-16
JPH0793433B2 true JPH0793433B2 (ja) 1995-10-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3884849B2 (ja) * 1996-12-25 2007-02-21 株式会社ルネサステクノロジ 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置
JP4830829B2 (ja) * 2006-12-06 2011-12-07 株式会社デンソー 絶縁ゲートトランジスタの駆動回路
JP5040387B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-03 株式会社デンソー 半導体装置
JP5541349B2 (ja) * 2012-11-27 2014-07-09 株式会社デンソー 半導体装置
JP6619522B1 (ja) * 2018-03-29 2019-12-11 新電元工業株式会社 ワイドギャップ半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130468A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Insulating gate protecting semiconductor device
JPH073854B2 (ja) * 1985-12-18 1995-01-18 株式会社日立製作所 複合半導体装置

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