KR830004730A - 풀다운 트랜지스터를 이용한 고전압 솔리드 스레이트 스위치용 제어회로 - Google Patents

풀다운 트랜지스터를 이용한 고전압 솔리드 스레이트 스위치용 제어회로 Download PDF

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KR830004730A
KR830004730A KR1019800005008A KR800005008A KR830004730A KR 830004730 A KR830004730 A KR 830004730A KR 1019800005008 A KR1019800005008 A KR 1019800005008A KR 800005008 A KR800005008 A KR 800005008A KR 830004730 A KR830004730 A KR 830004730A
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gdsl
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circuit
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Application number
KR1019800005008A
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Inventor
알빈 데이비스 제임스
프레드릭 맥퍼슨 윌리엄
윌리엄 샤클 피터
Original Assignee
알. 씨. 윈터
웨스턴 이렉트릭 컴패니, 인코퍼레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

풀다운 트랜지스터를 이용한 고전압 솔리드 스레이트 스위치용 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 솔리드 스테이트 양방향 스위치의 수직 단면도. 제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 제어회로.

Claims (1)

  1. 체적부분이 비교적 높은 저향성을 갖는 반도체 몸체(16)를 포함하는 형태의 제1 스위칭 장치와, 제1 도전성 형태 및 비교적 낮은 저항성을 갖는 제1영역(18)과, 제1도전성 형태와 반대인 제2도전성 형태의 제2영역(24)과, 스위칭 장치의 출력단자들에 접속되는 제1(18) 및 제2(24)영역들과, 제2도전성 형태의 게이트 영역(20)과, 스위칭장치(GDSL 1)의 제어 단자에 접속되는 게이트영역(20)과, 반도체 몸체 체적 부분(16)의 부분들에 의하여 상호 분리되는 제1(18), 제2(24), 및 제3(20)영역들 및 제1스위칭 장치(GDSL 1)의 제어 단자에 인가된 제1전압에 의하여 제1(18) 및 제2(24)영역들의 전위와 실제로 다르며 제1(18) 및 제2(24) 영역들 사이의 전류흐름을 차단하는 전위가 반도체 몸체(16) 체적의 횡단면 부분내에 만들어지며 제1 스위칭 장치(GDSL 1)의 제어단자에 인가된 제2 전압 및 제1 스위칭 장치의 출력단자들(XO,YO)에 인가된 적당한 전압에 의하여 비교적 낮은 저항성 전류 통로가 2중 캐리어 주입에 의하여 제1(18) 및 제2(24)영역들 사이에 만들어지도록 하는 장치의 매개변수들을 사용하는 회로에 있어서, 제2 스위칭 장치(GDSC)와, 제1 스위칭 장치(GDSL 1)의 제어단자에 접속되는 제2 스위칭 장치의 출력단자와, 제어단자(332)와 제1 스위칭장치(GDSL 1)의 출력단자들 중의 하나(XO)에 접속되며 제1 브랜치 회로(310A)의 입력단자에 접속된 제어단자(320)를 갖는 제2 스위칭 회로장치(T1)을 제어하기 위한 제1브랜치회로(310A) 및 제1 스위칭장치(GDSL 1)의 제어단자(332)를 제1스위칭 장치 출력단자(XO)의 전위에 전위적으로 가깝도록 선택적으로 만드는데 사용되는 회로장치(T1)를 특징으로 하는 풀다운 트랜지스터를 이용한 고전압 솔리드 스테이트 스위치용 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019800005008A 1979-12-28 1980-12-29 풀다운 트랜지스터를 이용한 고전압 솔리드 스레이트 스위치용 제어회로 KR830004730A (ko)

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US107778 1979-12-28
US06/107,778 US4250409A (en) 1979-12-28 1979-12-28 Control circuitry using a pull-down transistor for high voltage field terminated diode solid-state switches

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KR830004730A true KR830004730A (ko) 1983-07-16

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ID=22318426

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KR1019800005008A KR830004730A (ko) 1979-12-28 1980-12-29 풀다운 트랜지스터를 이용한 고전압 솔리드 스레이트 스위치용 제어회로

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JP (1) JPS56501863A (ko)
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DE (1) DE3071713D1 (ko)
IT (1) IT1134897B (ko)
WO (1) WO1981001925A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4516037A (en) * 1978-12-20 1985-05-07 At&T Bell Laboratories Control circuitry for high voltage solid-state switches
US4349751A (en) * 1980-02-11 1982-09-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Control circuitry using a pull-down transistor for high voltage solid-state switches
US4345163A (en) * 1980-05-15 1982-08-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Control circuitry for high voltage solid-state switches
US4447744A (en) * 1981-12-22 1984-05-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Control circuitry for high voltage solid-state switches
US5278076A (en) * 1990-02-28 1994-01-11 At&T Bell Laboratories Method of marking a lateral mos controlled thyristor
US6020222A (en) * 1997-12-16 2000-02-01 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon oxide insulator (SOI) semiconductor having selectively linked body
JP4712934B2 (ja) * 2000-03-06 2011-06-29 ソニー株式会社 情報信号再生装置
US6777484B2 (en) * 2001-08-08 2004-08-17 Basell Poliolefine Italia S.P.A. Polypropylene graft copolymer/fluorinated polyolefin blends

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3737721A (en) * 1971-01-22 1973-06-05 Honeywell Inc Computer flash with remote sensor and two-wire control of flash firing and quench
JPS5224379B2 (ko) * 1973-05-17 1977-06-30
JPS5629458B2 (ko) * 1973-07-02 1981-07-08
SE392783B (sv) * 1975-06-19 1977-04-18 Asea Ab Halvledaranordning innefattande en tyristor och en felteffekttransistordel
JPS5858900B2 (ja) * 1975-12-11 1983-12-27 株式会社東芝 ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
US4060821A (en) * 1976-06-21 1977-11-29 General Electric Co. Field controlled thyristor with buried grid
US4132996A (en) * 1976-11-08 1979-01-02 General Electric Company Electric field-controlled semiconductor device
US4117350A (en) * 1977-03-31 1978-09-26 Rca Corporation Switching circuit
US4242697A (en) * 1979-03-14 1980-12-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Dielectrically isolated high voltage semiconductor devices

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Publication number Publication date
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EP0045310A4 (en) 1982-04-29
US4250409A (en) 1981-02-10
IT8026949A0 (it) 1980-12-24
JPS56501863A (ko) 1981-12-17
EP0045310B1 (en) 1986-08-20
DE3071713D1 (en) 1986-09-25
WO1981001925A1 (en) 1981-07-09
IT1134897B (it) 1986-08-20
CA1146639A (en) 1983-05-17

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