KR880002324A - 스위칭 회로 - Google Patents

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KR880002324A
KR880002324A KR1019870008112A KR870008112A KR880002324A KR 880002324 A KR880002324 A KR 880002324A KR 1019870008112 A KR1019870008112 A KR 1019870008112A KR 870008112 A KR870008112 A KR 870008112A KR 880002324 A KR880002324 A KR 880002324A
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KR
South Korea
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circuit
transition
electrode
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current
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Application number
KR1019870008112A
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English (en)
Inventor
알랜 브러스 챠일드 로버트
토이 에드몬드
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔·브이· 필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/3565Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

스위칭 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 히스테리시스로 스위치하는 회로의 블록/회로 다이어그램,
제5도는 제3도의 회로의 양호한 실시예의 다이어그램.

Claims (14)

  1. 한쌍의 회로 전류 차가 입력 전압을 나타내는 상기 한쌍의 회로 전류를 발생시키기 위하여 차동 입력전압을 증폭하는 제1차동 수단, 한쌍의 회로 전류 차가 제어 전압을 나타내는 상기 한쌍의 회로 전류를 발생시키기 위해 차동 제어 전압을 증폭하는 제2차동수단, 및 회로 전류에 응답하여 크기가 제어 전압에 의존하는 히스테리시스를 갖는 입력 전압의 함수로서 회로가 양 상태 사이에 전이를 일으키도록 하는 수단을 포함하는 회로에 있어서, 회로 전이 발생 수단이, 제1수단의 회로 전류 사이의 차(1)와·제2수단의 회로전류 사이의 차(2)의 선형 조합에 주로 비례하여 변화하는 값에서 콤포넌트 신호를 발생시키는 산술 콤포넌트, 및 콤포넌트 신호의 전이와 거의 동시성의 회로 전이에 응답하여 제2수단의 초전도를 조정하므로써 히스테리시스를 발생시키는 피드백 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 입력 전압이 하이 임계를 벗어나 상승할때 회로가 그것의 상태중 하나를 다른 상태로 스위치하는 제1형의 전이(1), 입력 전압이 하이 임계보다 적은 로우 임계 아래로 떨어질때는 제1형에 반대인 제2형의 전이(2)를 포함하는 히스테리시스에서, 피드백 수단(1)은 회로가 제1형의 전이를 만들때 제2수단의 초전도를 감소시키며(1), 회로가 제2형의 전이를 만들때 제2수단의 초전도를 증가시키는 (2)것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  3. 제2항에 있어서, 각각의 차동 수단은 전류원과 한쌍의 동일 형태 증폭기를 포함하고, 각각의 증폭기는 흐름 전극 사이에 흐르는 전류를 제어하는 제1흐름 전극, 제2흐름 전극, 및 제어 전극을 갖고 있고, 입력 전압은 제1수단 증폭기의 제어 전극에 다르게 공급되며, 각각의 차동 수단의 전류원은 전류를 제공하기 위하여 그것의 증폭기의 제1전극에 결합되어 있으며, 각 차동 수단의 증폭기의 제2전극은 그것의 회로전류를 제공하는 스위칭 회로에서, 피드백 수단은 한쌍의 제2수단의 전류원을 그것의 증폭기의 제1전극으로부터 선택적으로 분리시키는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  4. 제3항에 있어서, 제2수단의 전류원은 메인 및 스위치 가능 부분을 포함하며, 스위치는 스위치 가능부분과 제2수단 증폭기의 제1전극 사이에 위치해 있는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  5. 제4항에 있어서, 스위치는 회로가 제1형의 전이를 만들때 개방되고(1), 회로가 제2형의 전이를 만들때 폐쇄되는 (2)것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  6. 제4항에 있어서, 스위치의 부분은 회로의 상태를 나타내는 출력 신호에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  7. 제6항에 있어서 전이를 발생시키는 수단은 출력 신호를 발생시키기 위해 콤포넌트 신호를 발생시키는 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  8. 제5항에 있어서, 각 증폭기의 흐름 전극 사이를 이동하는 전하 캐리어는 그것의 제1전극에서 발생되어 그것의 제2전극에서 종료되는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로에서, 각각의 차동 수단내의 증폭기는 실제로 동일한 전계-효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  9. 제5항에 있어서, 각각의 증폭기는 각각이 그것의 제1, 제2 및 제어 전극인 소스, 드레인, 및 게이트를 갖고 있는 전계 효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  10. 제5항에 있어서, 전압 분압기는 제어 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  11. 제10항에 있어서, 전압 분압기를 직렬로 결합된 적어도 3개의 저항 소자를 포함하며, 제어 전압은 중앙 소자를 지나 제공되는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  12. 제2항에 있어서, 선형 조합은 제1논-디멘젼 인수와 제1수단의 회로 전류 사이의 차의 적과, 제2논-디멘젼 인수와 제2수단의 회로 전류 사이의 차의 적 사이의 차이인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  13. 제12항에 있어서, 각각의 논-디멘젼 인수는 실제로 1인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  14. 한쌍의 회로 전류 차가 입력 전압을 나타내는 상기 한쌍의 회로 전류를 발생시키기 위해 차동 입력 전압을 증폭하는 제1차동 수단, 한쌍의 회로 전류차가 제어 전압을 나타내는 상기 한쌍의 회로 전류를 발생시키기 위해 차동 제어 전압을 증폭하는 제2차동수단, 및 회로 전류에 응답하여 크기가 제어 전압에 의존하는 히스테리시스를 갖는 입력 전압의 함수로서 회로가 양 상태 사이에 전이를 일으키도록 하는 수단을 포함하는 회로에 있어서, 상기 전이를 발생시키는 수단은, 회로 전류의 선형 조합에 주로 비례하여 변화하는 값으로 콤포넌트 신호를 발생시키는 산술 콤포넌트 신호의 전이와 거의 동시성인 회로의 전이에 응답하여 제2수단의 초전도를 조정하므로써 히스테리시스를 발생시키는 피드백 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870008112A 1986-07-28 1987-07-25 스위칭 회로 KR880002324A (ko)

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US06/890,251 US4677315A (en) 1986-07-28 1986-07-28 Switching circuit with hysteresis
US890251 1986-07-28

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JP (1) JPS6337709A (ko)
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4812676A (en) * 1987-12-21 1989-03-14 Digital Equipment Corporation Current mode logic switching circuit having a Schmitt trigger
US5039888A (en) * 1989-11-14 1991-08-13 Harris Corporation Method and circuit arrangement for providing programmable hysteresis to a differential comparator
DE59305021D1 (de) * 1992-05-15 1997-02-20 Thomson Brandt Gmbh Schaltungsanordnung zur Erzeugung rechteckförmiger Signale
DE4216022A1 (de) * 1992-05-18 1993-11-25 Thomson Brandt Gmbh Verfahren zur Erzeugung rechteckiger Signale
US5446396A (en) * 1992-10-22 1995-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Voltage comparator with hysteresis
EP0630113B1 (en) * 1993-06-16 2001-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated logic circuit with a single ended input logic gate
TW431067B (en) * 1994-06-22 2001-04-21 Ibm Single source differential circuit
US5610545A (en) * 1995-06-05 1997-03-11 Analog Devices, Inc. Method for providing programmable hysteresis levels
US5617050A (en) * 1995-06-05 1997-04-01 Analog Devices, Inc. Circuit for providing programmable hysteresis levels
WO1996039746A1 (en) * 1995-06-05 1996-12-12 Analog Devices, Inc. (Adi) Circuit and method for providing programmable hysteresis levels
DE19742576C1 (de) * 1997-09-26 1999-04-15 Siemens Ag Komparatoranordnung mit Schalthysterese
US5923024A (en) * 1997-10-02 1999-07-13 Angstrom Technologies, Inc. Apparatus and methods for controlling sensor signal hysteresis
US6020767A (en) * 1998-05-04 2000-02-01 International Business Machines Corporation CMOS chip to chip settable interface receiver cell
WO2004055968A2 (en) * 2002-12-17 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Temperature compensated r-c oscillator
JP3815738B2 (ja) * 2003-09-08 2006-08-30 本田技研工業株式会社 パワーウインドシステム
US7777553B2 (en) * 2008-04-08 2010-08-17 Infineon Technologies Austria Ag Simplified switching circuit
US20130099762A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Qualcomm Atheros, Inc. Systems and methods for counteracting overvoltage events
US20170163252A1 (en) * 2015-12-08 2017-06-08 Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Systems and methods for implementing hysteresis in a comparator

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3668538A (en) * 1970-02-19 1972-06-06 Signetics Corp Fast slewing operational amplifier
US3725673A (en) * 1971-08-16 1973-04-03 Motorola Inc Switching circuit with hysteresis
US4069431A (en) * 1976-12-22 1978-01-17 Rca Corporation Amplifier circuit
US4406955A (en) * 1981-06-01 1983-09-27 Motorola, Inc. Comparator circuit having hysteresis
JPS5887910A (ja) * 1981-11-19 1983-05-25 Nippon Denso Co Ltd コンパレ−タ回路
JPS5912661A (ja) * 1982-07-13 1984-01-23 Fujitsu Ltd 閾値可変型差動信号レシ−バ
JPS6026325A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Gakken Co Ltd 合成像映写装置

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JPS6337709A (ja) 1988-02-18
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US4677315A (en) 1987-06-30
EP0255172A2 (en) 1988-02-03
DE3785400D1 (de) 1993-05-19
DE3785400T2 (de) 1993-10-21

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