KR930015073A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치는 제어 트랜지스터(7,8,9,10)를 통해 베이스 전류를 공급받는 베이스 영역(13)을 포함한 바이폴라 트랜지스터를 구비한 프로그램가능한 메모리 셀을 갖는다.
바이폴라 트랜지스터는 제1공급선(151)에 에미터 영역(12)을 갖고 부하(16)를 통해 제2공급선(152)에 접속된 콜렉터 영역(14)을 갖는다. 동작동안 두 공급선(151,152)간에 일정한 전위차가 유지된다. 콜렉터 영역(14)은 어떤 전압 도메인내에서 동작동안 에미터 영역(12) 및 콜렉터 영역간의 전압차 변화가 제어 트랜지스터를 통해 도통시 대향적으로 변화시키는 방식으로 전기적으로 절연되고 제어 트랜지스터로 피드백된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 제1실시예의 단면도,
제2도는 제1도에 도시된 장치의 등가 회로도,
제3도는 제1도에 도시된 장치에서 다양한 게이트 전압에서 콜렉터 전압의 기능으로서의 콜렉터 전류를 도시한 도면,
제4도는 제1도에 도시된 장치의 게이트 전압의 기능으로서의 콜렉터 전류를 도시한 도면.
Claims (7)
- 제어 트랜지스터를 통해 연결되어 동작동안 적어도 일시적으로 제어가능한 베이스 전류를 바이폴라 트랜지스터에 제공하는 제2대향 도전형의 베이스 영역에 의해 상호 분리된 제1공급선에 연결된 제1도전형의 에미터 영역 및 제2공급선에 연결된 콜렉터 영역을 갖는 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치에 있어서, 콜렉터 영역은 부하를 통해 제2공급선에 연결되고 콜렉터 영역은 트랜지스터에 피드백되어, 소정 전압 도메인내에서 동작동안 에미터 영역 및 콜렉터 영역간의 전위차 변화가 제어 트랜지스터를 통해 도통시 대향적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터는 스위치가능한 부하와 직렬로 접속되고 부하는 비교적 고값 및 저값간의 부하를 스위칭하기 위한 스위칭 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제어 트랜지스터가 제어가능한 채널 영역에 의해 상호 분리된 제2도전형의 소스존 및 드레인 존을 갖는 전계효과 트랜지스터를 구비하고 콜렉터 영역이 전계효과 트랜지스터의 채널 영역으로 피드백되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 채널 영역이 유전체층에 의해 게이트 전극으로부터 분리되고 콜렉터 영역은 채널 영역에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서, 채널 영역 및 콜렉터 영역은 제1도전형의 제1반도체 존에 의해 모두 형성되고 베이스 영역과 더불어 소스 존 또는 드레인 존중 하나의 존이 제2도전형의 제2반도체 존에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 반도체 장치가 유사한 추가 메모리 셀을 구비하며, 두 메모리 셀은 제2도전형의 표면에 결합되고 매립된 층상에 위치한 콜렉터 영역을 구비하며, 매립된 층은 두 셀에 공통적인 제1도전형의 에미터 영역상에 위치되고 셀들은 적어도 표면으로부터 에미터 영역으로 확장되는 구르부에 의해 상호 분리되고 두 셀에 공통적으로 게이트 전극이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 선행항중 어느 한 항에 있어서, 콜렉터 영역은 동작동안 콜렉터 영역 및 기준 전위간의 전위차를 판독하기 위한 판독 출력 수단에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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