KR960009415A - 전계효과-제어 반도체장치용 구동회로 - Google Patents

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KR960009415A
KR960009415A KR1019950025353A KR19950025353A KR960009415A KR 960009415 A KR960009415 A KR 960009415A KR 1019950025353 A KR1019950025353 A KR 1019950025353A KR 19950025353 A KR19950025353 A KR 19950025353A KR 960009415 A KR960009415 A KR 960009415A
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power semiconductor
terminal
fet
gate terminal
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KR1019950025353A
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라인알트 잔더
예뇌 티하니
아담-이스트반 코론카이
Original Assignee
알베르트 발도르프, 롤프 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Publication date
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
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    • D06F—LAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
    • D06F23/00—Washing machines with receptacles, e.g. perforated, having a rotary movement, e.g. oscillatory movement, the receptacle serving both for washing and for centrifugally separating water from the laundry 

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Abstract

파워반도체장치를 제1, 소정 속도로 스위칭 온하기 위하여 전류원으로 접속되는 공핍형 FET(18)가 파워반도체장치의 게이트 리드에 배열한다. 공핍형 FET는 병렬로 접속되는 인헨스먼트 FET(19)를 가지며, 후자는 파워반도체장치용 제어신호가 0으로 설정될 때 활성화된다. 그러한 결과로써, 파워반도체장치는 제2의 더욱 높은 속도로서 스위칭 오프된다.

Description

전계효과-제어 반도체장치용 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래기술의 구동회로에서 제1도의 회로장치의 사용을 도시한 도.

Claims (3)

  1. 전계효과에 의하여 제어가능한 파워반도체장치를 구동하기 위한 회로장치에 있어서, 전류제한수단을 경유하여 파워반도체장치의 게이트단자와 소오스단자(에미터단자) 사이에 접속되는 제어가능 스위치를 포함하고, 상기 전류제한수단(14)은 게이트단자가 파워반도체장치(1)의 게이트단자에 접속되는 파워반도체장치의 게이트 리드에 놓이는 공핍형 FET(18)의 소오스-드레인 경로를 포함하며, 동일 채널타입의 인헨스먼트 FET(19)는 공핍형 FET(18)에 병렬로 접속되고, 인헨스먼트 FET의 게이트단자는 파워반도체장치의 게이트단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 공핍형 FET(18)와 인헨스먼트 FET(19) 각각은 기판단자(B)를 가지며, 기판단자는 파워반도체장치의 소오스단자(S)(에미터단자(E))에 접속되는 것을 특징으로 하는 회로장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 저항은 한쪽에서 공핍형 FET(18) 및 인헨스먼트 FET(19)의 게이트단자와 다른쪽에서의 파워반도체장치의 게이트단자 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950025353A 1994-08-18 1995-08-18 전계효과-제어 반도체장치용 구동회로 KR960009415A (ko)

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