KR970053924A - 정전기보호소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체장치의 정전기보호소자에 관한 것으로서, 그 구성은 드레인에 가해지는 제1전원전압원(Vout)과 소오스에 가해지는 제2전원전압원(VSS)사이에 있는 내부회로의 입출력단에 접속된 사다리구조를 갖되, 상기 내부회로의 입출력단에 접속되어 있고, 그리고 웰콘택부(26)와 소오스콘택부(24)사이의 거리차가 가장 큰 위치에 있는 드레인콘택부(20)와 게이트(12)와의 간격(Awidth)이 다른 위치에 있는 드레인콘택부와 게이트와의 간격(Bwidth)보다 크게 한 구조를 갖는다. 상술한 본 발명의 정전기보호소자에 의하면, N채널 MOS소자에 있어서 웰콘택부와 소오스콘택부사이의 거리차가 가장 큰 위치에 있는 드레인콘택부와 게이트와의 간격을 다른 위치에 있는 드레인콘택부와 게이트와의 간격보다 크게 하여서, 트리거전압 또는 트리거전류에 하등의 변화를 주지않고 과전류에 기인하여서 발생되는 드레인전압만을 증가되게 한다. 그 결과, 웰콘택부와 소오스콘택부사이의 거리차가 가장 큰 위치에 있는 드레인접합부에 전류가 집중적으로 축적되지 않고 다른 드레인접합부에도 병렬로 흐르기 때문에, 상기 드레인접합부의 전류밀집현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

정전기보호소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 정전기보호소자의 입출력 레이아웃을 보여주는 평면도.
제3도는 본 발명의 정전기보호소자와 종래의 정전기보호소자의 특성으로서 출력전압과 스트레스전류의 관계를 보여주는 곡선도.

Claims (4)

  1. 드레인에 가해지는 제1전원전압원(Vout)과 소오스에 가해지는 제2전원전압원(Vss)사이에 있는 내부회로의 입출력단에 접속된 사다리구조를 갖는 정전기보호소자에 있어서, 상기 내부회로의 입출력단에 접속되어 있고, 그리고 웰콘택부(26)와 소오스콘택부(24)사이의 거리차가 가장 큰 위치에 있는 드레인콘택부(20)와 게이트(12)와의 간격(Awidth)이 다른 위치에 있는 드레인콘택부(20)와 게이트(12)와의 간격(Bwidth)보다 크게 한 구조를 갖는 MOS 소자를 구비한 것을 특징으로 하는 정전기 보호소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 MOS 소자는 N채널 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전기보호소자.
  3. 제1전원전압원(Vout)과 제2전원전압원(Vss)사이에 있는 내부회로의 입력단에 접속되어 있고, 게이트(22)핑거들이 병렬로 배치되어 있으며 그리고 게이트(22)핑거들사이에서 소오스콘택부(24)와 드레인콘택부(20)가 교호적으로 병렬로 배치되어 있는 사다리구조를 갖는 정전기보호소자에 있어서, 웰콘택부(26)와 소오스콘택부(24)사이의 거리차가 가장 큰 위치에 있는 드레인콘택부와 게이트(22)와의 간격(Awidth)이 다른 위치에 있는 드레인콘택부와 게이트와의 간격(Bwidth)보다 비교적 크게 형성한 것을 특징으로 하는 정전기보호소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 정전기보소호자는 N채널 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전기보호소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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