KR970053789A - 반도체 장치의 보호 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장ㅊ의 보호 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 정전기 따위의 과전압으로부터 반도체 장치를 보호하는 보호 소자에 관한 것이다. 본 발명에서는 P형 반도체 기판 위에 절연 게이트가 형성되어 있고, 게이트에대하여 대칭으로 기판 내 양 쪽에 n영역이 형성되어 있다. n영역 안에는 p+영역과 n+영역이 형성되어 있으며, 기판과 제1영역의 경계면에는 n+드레인 탭(drain-tap)이 형성되어 있다. 여기에서, 한 쪽의 n+영역과 p+영역은 반도체 장치의 단자와 연결되어 있고, 다른 쪽의 n+영역과 p+영역은 반도체 장치의 전원과 연결되어 있으며,게이트는 접지되어 있다. 이와 같이 대칭인 쌍방향 소자(bilateral device)를 보호 소자로 사용하여 (+)전압과 (-)전압 모두에 대하여 우수한 방전 효과를 줄 수 있다.

Description

반도체 장치의 보호 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 정전기 보호용 쌍방향 소자의 단면도이고,
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 정전기 보호용 쌍방향 소자의 특성곡선이다.

Claims (9)

  1. 제1도전형의 반도체 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 절연 게이트, 상기 기판에 상기 게이트에 대하여 양 쪽으로 형성되어 있는 제2도전형의 제1영역, 그리고 상기 제1영역 안에 각각 형성되어 있는 제1도전형의 제2영역을 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  2. 제1항에서, 상기 제1영역 중 하나와 그 안의 상기 제2영역은 상기 반도체 장치의 단자와 연결되어 있는 반도체 장치의 보호 소자.
  3. 제2항에서, 상기 반도체 장치의 단자와 연결되어 있지 않은 상기 제1영역과 그 안의 상기 제2영역은 상기 반도체 장치의 전원과 연결되어 있는 반도체 장치의 보호 소자.
  4. 제3항에서, 상기 게이트는 접지되어 있는 반도체 장치의 보호 소자.
  5. 제1항에서, 상기 제1영역 안에 상기 제1영역보다 고농도로 각각 형성되어 있는 제2도전형의 제3영역을 더 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  6. 제5항에서, 상기 기판과 상기 제1영역의 경계면에 각각 형성되어 있으며 상기 제1영역보다 고농도인 제2도전형의 제4영역을 더 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  7. 제6항에서, 상기 제1도전형은 p형이고, 상기 제2도전형은 n형인 반도체 장치의 보호 소자.
  8. 제6항에서, 상기 제1도전형은 n형이고, 상기 제2도전형은 p형인 반도체 장치의 보호 소자.
  9. 제1항에서, 상기 제1영역 및 제2영역은 상기 게이트에 대하여 대칭인 반도체 장치의 보호 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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