KR940018964A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR940018964A
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글로어 다니엘
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
필립스 일렉트로닉스 엔. 브이.
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
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Abstract

본 발명은 다수의 회로 요소(T1,T2)와 외부 장치사이에서 정보를 전송하는 여러개의 정보 단자(3)를 포함하는 집적회로에 관한 것으로서, 회로 요소에는 과전압 보호 장치(D1,D2,D3)가 마련된다. 회로 요소(T1,T2)는 제1의 공급단자(1)와 제2의 공급단자(2)사이에 접속된다. 보호 장치는 제1의 공급 단자(1)과 정보 단자(3)사이에 접속된 제1의 보호 장치(D1)와 정보 단자(3)와 제2의 공급 단자(3)사이에 접속된 제2의 보호 장치(D3)를 포함한다. 보호 장치는 제1의 공급 단자(1)와 제2의 공급단자(2)사이에 접속되고, 제1 및 제2의 보호 장치(D1,D2)보다 낮은 역파괴 전압을 갖는 제3의 보호 장치(D3)를 포함한다. 제3의 보호장치(D3)가 정보단자(3)에 의해 공유될때, 그러한 보호 장치에 의해 칩 면적이 절약된다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 다른 보호 수단을 포함하는 집적 회로의 일부의 회로도, 제2도는 제1도의 회로에 적용된 다른 보호 장치의 역 전류 전압 특성을 도시한 도면.

Claims (6)

  1. 다수의 회로 요소와 외부 장치사이에서 정보를 전송하는 다수의 정보 단자를 포함하는 집적 회로를 갖고, 상기 회로 요소가 제1의 공급단자 및 제2의 공급 단자에 결합되고, 상기 정보 단장 상기 제1의 공급 단자와 상기 정보 단자사이에 접속된 제1의 보호 장치 및 상기 정보 단자와 상기 제2의 공급 단자사이에 접속된 제2의 보호 장치를 포함하는 과전압 보호 수단이 마련된 반도체 장치에 있어서, 상기 보호 수단은 상기 제1의 공급 단자와 상기 제2의 공급 단자사이에 접속된 제3의 보호 장치를 포함하고, 상기 제3의 보호장치는 상기 제1 및 제2의 보호 장치보다 낮은 역 파괴 전압을 가지며, 상기 정보 단자는 상기 제3의 보호 장치를 공통으로 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 동작시, 상기 제1의 공급 단자는 제2의 공급 단자에 대하여 정의 동작 전압을 전달하고, 상기 제1의 보호 장치는 상기 제1의 공급 단자에 캐소드 영역에 의해 그리고 상기 정보 단자에 애노드 영역에 의해 접속된 제1의 다이오드를 포함하고, 상기 제2의 보호장치는 상기 정보 단자에 캐소드 영역에 의해 그리고 상기 제2의 공급 단자에 애노드 영역에 의해 접속된 제2의 다이오드를 포함하며, 상기 제3의 보호 장치는 공급 단자에 이미터 영역 및 컬렉터 영역에 의해 접속된 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 집적 회로는 반대 도전형의 채널 영역에 의해 서로 분리된 도프된 소스 및 도프된 드레인 영역을 갖는 여러개의 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함하고, 상기 제3의 보호 장치는 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 소스 및 드레인 영역과 동시에 이미터 영역 및 컬렉터 영역이 형성된 횡평 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제3의 보호 장치는 n형 이미터 영역 및 n형 컬렉터 영역이 P형 베이스 영역에 의해 서로 분리된 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 베이스 영역에는 비교적 강하게 도프된 베이스 접점 영역이 마련되고, 상기 컬렉터 영역은 컬렉터 전극을 거쳐 상기 제1의 공급단자에 결합되고, 상기 이미터 영역 및 베이스 접점 영역에는 상기 제2의 공급 단자에 결합된 공통 베이스/이미터 전극이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 보호 장치 중의 적어도 하나는 애노드 영역 또는 캐소스 영역이 전계 효과 트랜지스터의 소스 및 드레인과 동시에 형성되고 상기 애노드 영역 및 캐소드 영역중의 나머지 영역은 상기 제3의 보호 장치의 이미터 및 컬렉터 영역보다 덜 강하게 도포된 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 보호 장치중의 적어도 하나는 상기 제3의 보호 장치의 이미터 영역 및 컬렉터 영역보다 덜 강하게 도포된 애노드 영역 및 캐소드 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940000405A 1993-01-13 1994-01-12 반도체 장치 KR940018964A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
EP93200076A EP0606667A1 (en) 1993-01-13 1993-01-13 Semiconductor device with an integrated circuit provided with over voltage protection means
EP93200076.3 1993-01-13

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KR940018964A true KR940018964A (ko) 1994-08-19

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ID=8213566

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JP (1) JPH06236965A (ko)
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JPH06236965A (ja) 1994-08-23
TW280038B (ko) 1996-07-01
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