KR930022547A - 정전방전보호 및 전압기준용 다이오드를 제조하는 방법 - Google Patents

정전방전보호 및 전압기준용 다이오드를 제조하는 방법

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Abstract

전형적인 선행기술의 Ldd MOS 디바이스를 형성함과 동시에 다이오드를 형성하는 신규한 제조방법이 교습되어 있다. 결과적으로 형성된 다이오드는 낮은 브레이크 다운(breakdown) 전압을 지님으로써, 전압기준 다이오드로서나 ESD 보호용 다이오드로서 사용하기에 적합하다.

Description

정전방전보호 및 전압기준용 다이오드를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 교습에 따라 N형 영역내에 제조된 다이오드의 한 실시예를 도시한 단면도.
제5도는 본 발명의 교습에 따라 P형 영역내에 제조된 다이오드의 한 실시예를 도시한 단면도.

Claims (21)

  1. a) 제1도전성 형태(p)의 제1벌크영역(1103)내에 상기 제1 도전성 형태와 반대인 제2 도전성 형태(N)의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역(1111)을 형성하는 단계, b) 상의 제2 도전성 형태의 제2 벌크영역(1102)내에 제1다이오드 영역의 제2도전성 형태의 엷게 도우핑된 부분(1110)을 형성하는 단계, c) 상기 제2벌크영역(1102)내에 상기 제1 도전성 형태의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역(1120)을 형성하는 단계, d) 상기 제1 벌크영역(1103)내에 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 엷게 도우핑된 부분(1121)을 형성하는 단계, e) 상기 제1 벌크영역(1103)내에 상기 제1 다이오드 영역의 제2 도전성 형태의 부분(1114)을 형성하는 단계, f) 상기 제1 벌크영역(1103)내에 상기 제2 도전성 형태의 제2 다이오드 영역(1119)을 형성하는단계, g) 상기 제2 벌크영역(1102)내에 상기 제2 도전형 형태의 제2 다이오드 영역(1116)을 형성하는 단계, h) 상기 제1 벌크영역(1103)내에 상기 제1 도전성 형태의 소오스/드레인 영역(1118)을 형성하는 단계, i)상기 제2벌크여역(1102)내에 상기 제1도전성 형태의 소오스/드레인 영역(1118)을 형성하는 단계, 및j) 상기 제2 벌크영역(1102)내에 상기 제1 다이오드영역의 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 부분(1117)을 형성하는 단계를 포함하여, 반도체 구조를 제조하는 방법으로서, 상기 제1 벌크영역은 엷게 도우핑된 소오스/드레인 MOS 디바이스 및 다이오드를 포함하되, 상기 다이오드는 상기 제1 벌크영역내에 형성되어 있으며 상기 다이오드의 제1 단자로서 사용되는 제1 다이오드의 제2 도전성 형태의 부분을 지니고, 상기 제1 벌크영역내에 형성되어 있는 상기 제2 다이오드 영역은 상기 다이오드의 제2 단자로서 사용되며, 상기 제2 벌크영역은 엷게 도우핑된 소오스/드레인 MOS 디바이스 및 다이오드를 포함하되, 상기 다이오드는 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있으면 상기 다이오드의 제1 단자로서 사용되는 상기 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 부분을 지니고, 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있는 상기 제2 다이오드 영역은 상기 다이오드의 제2 단자로서 사용되는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 단계(a,b)는 동시에 이행되는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 단계(a,b)는 블랭킷 주입을 사용하여 동시에 이행되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 단계(c,b)는 동시에 이행되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 단계(e,f,g)는 동시에 이행되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 단계(h,i,j)는 동시에 이행되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 벌크영역내에 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계중 한 단계나 두가지 단계모두가 마스크의 일부로서 게이트 전극을 사용하고, 상기 벌크영역내에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계는 마스크의 일부로서 게이트 전극측벽 스페이서를 사용함으로써, 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역에 의해 상기 게이트 전극과 수평으로 이격되어 있는 상기 소오스/드레인 영역을 제공하는 방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 블랭킷 주입에 의해 주입된 영역은 다음의 반대 도전성 형태의 도우핑 단계에서 과보상되는 방법.
  9. 제1도전성 형태(P)의 제1 벌크영역(1103), 상기 제1 도전성 형태와 반대이며 상기 제1 벌크영역내에 형성되어 있는 제2 도전성 형태(N)의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역(1111), 상기제2 도전성 형태의 제2 벌크영역(1102), 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있는 제1 다이오드 영역의 제2 도전성 형태의 엷게 도우핑된 부분(1110), 상기 제2벌킁영역(1102)내에 형성되어 있는 상기 제1도전성 형태의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역(1120), 상기 제1 벌크영역(1102)내에 형성되어 있는 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 엷게 도우핑된 부분(1121), 상기 제1 벌크영역(1103)내에 형성되어 있는 상기 제1 다이오드 영역의 제2 도전성 형태의 부분(1114), 상기 제1벌크영역(1103)내에 형성되어 있는 상기 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 엷게 로우핑된 부분(1121), 상기 제2도전성 형태의부분(1114), 상기 제1 벌크영역(1103)내에 형성되어 있는 상기 제2 도전성 형태의 소오스/드레인 영역(1115), 상기 제2 벌크영역(1102)내에 형성되어 있는 상기 제2 도전형 형태의 제2 다이오드 영역(1116), 상기 제1 벌크영역(1103)내에 형성되어 있는 상기 제1 도전성 형태의 제2 다이오드 영역(1119), 상기 제2 벌크영역(1102)내에 형성되어 있는 상기 제1 도전성 형태의 소오스 /드레인 영역(1118), 및 상기 제2 벌크영역(1102)내에 형성되어 있는 상기 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 부분(1117)을 포함하는 반도체 구조로서, 상기 제1 벌크영역은 엷게 도우핑된 소오스/드레인 MOS 디바이스 및 다이오드를 포함하되, 상기 다이오드는 상기 제1 벌크영역내에 형성되어 있으며 상기 다이오드의 제1 단자로서 사용되는 제1 다이오드 영역의 제2 도전성 형태의 부분을 지니고, 상기 제1 벌크영역내에 형성되어 있는 상기 제2 다이오드는 상기 다이오드의 제2 단자로서 사용되며, 상기 제2 벌크영역은 엷게 도우핑된 소오스/드레인 MOS 디바이스 및 다이오를 포함하되, 상기 다이오는 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있으며 상기 다이오드의 제1 단자로서 사용되는 상기 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 부분을 지니고, 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있는 상기 제2 다이오드영역은 상기 다이오드의 제2 단자로서 사용되는 반도체 구조.
  10. 집적회로의 주변을 따라 위치한 복수개의 본딩패드, 및 상기 본딩패드를 포함하는 영역내에 위치한 영역으로서, 적어도 한 벌크형태의 영역내에 위치하며 입력보호 다이오드로서 사용되는 하나 또는 그 이상의 다이오드를 형성하는 복수개의확산된 스트립을 포함하는 영역을 포함하는 반도체 디바이스.
  11. a) 제1 도전성 형태(P)의 제1 벌크영역(5103)내에 상기 제1 도전성 형태와 반대인 제2 도전성 형태(N)의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역(5111)을 형성하는 단계, b) 상기 제2 도전성 형태의 하나 또는 그 이상의 제2 벌크영역(5102)내에 제1 다이오드영역의 제2 도전성 형태의 엷게 도우핑된 부분(5110), c) 상기 제1 벌크영여(5103)내에 상기 제2 도전성 형태의 소오스/드레인 영역(5115)을 형성하는 단계, d) 상기 제2 벌크영역(5102)내에 상기 제2 도전성 형태의 제2 다이오드 영역(5116)을 형성하는 단계, 및 e) 상기 제2 벌크영역(5102)내에 상기 제1 도전성 형태의 소오스/드레인 영역(5118)을 형성하는 단계, 및 f) 상기 제2 벌크영역(5102)내에 상기 제1 다이오드 영역이 제1 도전성 형태의 부분(5117)을 형성하는 단계를 포함하여, 반도체 구조를 제조하는 방법으로서, 상기 제1 벌크영역을 엷게 도우핑된 소오스/드레인 MOS 디바이스를 포함하고, 상기 제2 벌크영역은 MOS 디바이스 및 다이오들 포함하되, 상기 다이오는 상기 제벌크영역내에 형성되어 있으며 상기 다이오드의 제1 단자로서 사용되는 제1 다이오드영여의 제1도전성 형태의 부분을 지니고, 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있는 상기 제2 다이오드 영역은 상기 다이오드의 제2 단자로서 사용되는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 단계(a,b)는 동시에 이행되는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 단계(a,b)는 블랭킷 주입을 사용하여 동시에 이행되는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 단계(c,b)는 동시에 이행되는 방법.
  15. 제11항에 있어서, 단계(e,f)는 동시에 이행되는 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제2 벌크영역(5102)내에 상기 제1 도전성 형태의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 벌크영역내에 상기 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 한 단계나 두가지 단계모두가 마스크의 일부로서 게이트 전극을 사용하며, 상기 벌크영역내에 상기 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계는 마스크의 일부로서 게이트 전극 측벽 스페이서를 사용함으로써, 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역에 의해 상기 게이트 전극과 수평으로 이격된 상기 소오스/드레인 영역을 제공하는 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 블랭킷 주입에 의해 주입되는 영역은 다음의 반대 도전성 형태의 도우핑단계에서 과보상되는 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 제1벌크영역(5103)내에 제1 도전성 형태의 웰접점을 형성하는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1도전성 웰 접점을 형성하는 단계는 상기 제2벌크영역내에 상기 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와 동시에 이행되는 방법.
  21. 제1도전성 형태(P)의 제1벌크영역(5103), 상기 제1 도전성 형태와 반대이며 상기 제1 벌크영역내에 형성되어 이쓴 제2 도전성 형태(N)의 엷게 도우핑된 소오스/드레인 영역(5111), 상기 제2 도전성 형태의 하나 또는 그 이상으 제2 벌크영역(5102),상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있는 제1 다이오드 영역의 제2 도전성 형태의 엷게 도우핑된부분(5110), 상기 제1 벌크영역(5103)내에 형성되어 있는 상기 제2 도전성 형태의 소오스/드레인영역(5115), 상기 제2 벌크영역(5102)내에 형성되어 있는 제2 도전성 형태의 제2 다이오드 영역(5116), 상기 제2 벌크영역(5102)내에 형성되어 있는 상기 제1 도전성 형태의 소오스/드레인 영역(5118), 및 제2 벌크영역(5102)내에 형성되어 있는 상기 제1다이오드 영역의 제1 도전성 형태부분(5117)을 포함하는 반도체 구조로서, 상기 제1 벌크영역은 엷게도우핑된 소오스/드레인 MOS 디바이스를 포함하되, 상기 제2 벌크영역은 MOS 디바이스 및 다이오드를 포함하되, 상기 다이오드는 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있으며 상기 다이오드의 제1 단자로서 사용되는 상기 제1 다이오드 영역의 제1 도전성 형태의 부분을 지니고, 상기 제2 벌크영역내에 형성되어 있는 상기 제2 다이오드영역은 상기 다이오드의 제2 단자로서 사용되는 반도체 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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