KR920015549A - 반도체소자의 정전방전 보호장치 - Google Patents

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KR920015549A
KR920015549A KR1019910001128A KR910001128A KR920015549A KR 920015549 A KR920015549 A KR 920015549A KR 1019910001128 A KR1019910001128 A KR 1019910001128A KR 910001128 A KR910001128 A KR 910001128A KR 920015549 A KR920015549 A KR 920015549A
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power supply
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유제환
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract

내용 없음

Description

반도체소자의 정전방전 보호장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3(A)도는 본 발명에 따른 실시예, 제3(B)도는 제3(A)도의 절취선 X-Y에 따른 단면구조도, 제3(C)도는 본 발명의 또다른 실시예.

Claims (9)

  1. 입출력 패드와 전원 전압단 및 접지 전압단을 가지는 고집적 반도체 장치의 정전 방전보호 장치에 있어서, 상기 입출력 패드에 접촉된 제1도전형의 제1확산영역과, 상기 제1확산 영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 전원 전압단 또는 접지 전압단에 접촉된 제1도전형의 제2확산영역과, 상기 제2확산영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 접지 전압단 또는 전원 전압단에 접촉된 제1도전형의 제3확산영역을 구비하고, 상기 제1,2 및 제3확산 영역이 제2도선형의 반도체 기판 또는 제2도전형의 웰내에 형성됨을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3확산 영역이 고농도로 형성됨을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  3. 입출력 패드와 전원 전압단 또는 접지 전압단을 가지는 고집적 반도체 장치의 정전 방전보호 장치에 있어서, 상기 전원 전압단 또는 접지 전압단에 접촉된 제1도전형의 제1확산 영역과, 상기 제1확산영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 입출력 패드에 접촉된 제1도전형의 제2확산 영역과, 상기 제2확산 영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 접지 전압단 또는 전원 접압단에 접촉된 제2도전형의 제3확산 영역을 구비하고, 상기 제1, 제2 및 제3확산 영역이 제2도전형의 반도체 기판 또는 제2도전형의 웰내에 형성됨을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  4. 입출력 패드와 전원 전압단 및 접지 전압단을 가지는 고집적 반도체 장치의 정전방전 보호장치에 있어서, 상기 입출력 패드에 접촉된 제1도전형의 제1확산영역과, 상기 제1확산 영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 전원 전압단 또는 접지 전압단에 접촉된 제1도전형의 제2확산영역과, 상기 제2확산영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 접지 전압단 또는 전원 전압단에 접촉된 제1도전형의 제3확산 영역과, 상기 제1, 제2 및 제3확산영역의 각 하부에 형성되고 서로 이격된 제1도전형의 제1, 제2 및 제3웰로 구성됨을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3웰이 상기 제1, 제2 제3확산영역 보다 낮은 농도로 이루어짐을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3확산 영역이 소정치 이하의 깊이를 가짐을 특징으로 하는 방전보호 장치.
  7. 입출력 패드와 전원 전압단 및 접지 전압단을 가지는 고집적 반도체 장치의 정전 방전보호 장치에 있어서, 상기 전원 접압단 또는 접지 전압단에 접촉된 제1도 전형의 제1확산 영역과, 상기 제1확산 영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 입출력 패드에 접촉된 제1도전형의 제2확산영역과, 상기 제2확산영역과는 필드 산화막에 의하여 소정거리 이격되고 상기 상기 접지 전압단 또는 전원 전압단에 접촉된 제1도전형의 제3확산 영역과, 상기 제1, 제2 및 제3확산 영역의 각 하부에 형성되고 서로 이격된 제1도전형의 제1, 제2 및 제3웰로 구성됨을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3웰이 상기 제1, 제2 및 제3확산영역 보다 낮은 농도로 이루어져 있음을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3확산영역이 소정치 이하의 깊이를 가짐을 특징으로 하는 정전 방전보호 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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