KR970053970A - 반도체 장치의 보호 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 보호 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 정전기 따위의 과전압으로부터 반도체 장치를 보호하는 보호 소자에 관한 것이다. 본 발명에서는 종래의 SCR(silicon controlled rectifier) 구조에서 기판과 n 영역의 접합면에 n+드레인 탭(drain-tap)을 두어 트리거 전압을 낮춘 LVTSCR(low voltage trigger SCR)에서 캐소드(cathode)를 깊게 형성한다. 이렇게 함으로써 (-) 전압에 대해서도 효율적으로 방전할 수 있다.

Description

반도체 장치의 보호 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 실시예에 따른 보호 소자의 단면도이다.

Claims (9)

  1. 제1도전형의 반도체 기판, 상기 기판에 형성되어 있는 제2도전형의 제1영역, 상기 제1영역 안에 형성되어 있는 제1도전형의 제2영역, 상기 제1영역 안에 상기 제1영역보다 고농도로 형성되어 있으며 상기 제2영역과 접하고 있는 제2도전형의 제3영역, 그리고 상기 제1영역과 떨어져 상기 제2 및 제3영역보다 깊은 접합 깊이를 가지며 상기 기판에 형성되어 있는 제2도전형의 제4영역을 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  2. 제1항에서, 상기 제4영역에 형성되어 있으며 상기 제4영역보다 고농도인 제5영역을 더 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  3. 제1항에서, 상기 기판과 상기 제1영역의 경계면에 형성되어 있으며 상기 제1영역보다 고농도인 제2도전형의 제6영역을 더 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  4. 제3항에서, 상기 기판의 표면에 상기 제5영역과 상기 제6영역 사이에 형성되어 있는 게이트 구조를 더 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  5. 제4항에서, 상기 제4영역의 접합 깊이는 상기 제1영역의 접합 깊이와 동일한 반도체 장치의 보호 소자.
  6. 제5항에서, 상기 제1도전형은 p형이고, 상기 제2도전형은 n형인 반도체 장치의 보호 소자.
  7. 반도체 장치의 보호 소자로서, 제1도전형의 반도체 기판, 상기 기판에 형성되어 있는 제2도전형의 제1영역, 상기 제1영역 안에 형성되어 있으며 상기 반도체 장치의 단자와 연결되어 있는 제1도전형의 제2영역, 상기 제1영역 안에 상기 제1영역보다 고농도로 상기 제2영역과 접하도록 형성되어 있으며 상기 반도체 장치의 상기 단자와 연결되어 있는 제2도전형의 제3영역, 상기 제1영역과 떨어져 상기 제2 및 제3영역보다 깊은 접합 깊이를 가지며 상기 기판에 형성되어 있는 제2도전형의 제4영역, 상기 제4영역에 형성되어 있고 접지되어 있으며 상기 제4영역보다 고농도인 제5영역, 상기 기판과 상기 제1영역의 경계면에 형성되어 있으며 상기 제1영역보다 고농도인 제2도전형의 제6영역, 그리고 상기 기판의 표면에 상기 제5영역과 상기 제6영역 사이에 형성되어 있으며 접지되어 있는 게이트 구조를 포함하는 반도체 장치의 보호 소자.
  8. 제7항에서, 상기 제4영역의 접합 깊이는 상기 제1영역의 접합 깊이와 동일한 반도체 장치의 보호 소자.
  9. 제7항에서, 상기 제1도전형은 p형이고, 상기 제2도전형은 n형인 반도체 장치의 보호 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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