KR940007968A - 플레이너 접합을 가지는 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
(목적) 본 발명은 간단한 수단에 의하여 하전립자 등의 외부인자에 의한 영향을 억제한 고신뢰의 고내압 플레이너 접합을 가지는 반도체 장치를 제공하는 데 있다.
(구성) 주접합의 주위를 복수개의 전계제한 링영역(1301~1305)으로 포위한 구성의 반도체장치에 있어서, 주접합과 그것에 가장 가까운 전게제한링 영역(1301)과의 사이의 n-층(100)의 표면을 완전하게 덮도록 절연막 (15)을 거쳐 전기적으로 플로우팅한 도전층(18)을 설치한 것이다.
(효과) 본 발명에 의하면, 주접합을 역바이어스하도록 하는 전압인가 시에 도전층(18)의 전위는 주접합과 그것에 가장 가까운 전계제한 링영역(1301)의 중간전위에 고정되어 시일드 효과의 역할을 다하기 때문에, 가동이동등 외부인자의 영향을 전혀 받지 않게 된다. 따라서, 소자를 레진 밀봉한 패키지에 조립하여 신뢰성시험(고온직류 역바이어스 시험)을 실시하여도 내압변동은 전혀 발생하지 않고, 극히 신뢰성이 높은 고내압의 반도체장치를 실현할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예로서의 다이오드의 터미네이터션 영역을 나타낸 개략단면도,
제2도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 개략단면도,
제3도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 개략단면도,
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 개략단면도.
Claims (6)
- 반도체 기체의 한쪽의 주표면에 제1도전형의 제1의 반도체 영역이 노출하고, 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고 제1의 반도체 영역과의 사이에 pn 접합을 형성하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역이 설치되고, 또한 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고, 제2의 반도체 영역을 그것으로부터 떨어져 포위하는 제2도전형의 환상의 제3의 반도체 영역이 복수개 설치되어 이루어지는 반도체장치에 있어서, 제2의 반도체 영역과 이것에 가장 근접하는 제3의 반도체 영역과의 사이에 역저지 저압의 저하를 억제하는 수단을 설치한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체 기체의 한쪽의 주표면에 제1도전형의 제1의 반도체 영역이 노출하고, 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고 제1의 반도체 영역과의 사이에 pn 접합을 형성하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역이 설치되고, 또한 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고, 제2의 반도체 영역을 그것으로부터 떨어져 포위하는 제2도전형의 환상의 제3의 반도체 영역이 복수개 설치되어 있는 반도체장치에 있어서, 제3의 반도체 영역과의 사이의 간격을 제3의 반도체 영역 상호간의 간격보다 작게 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체 기체의 한쪽의 주표면에 제1도전형의 제1의 반도체 영역이 노출하고, 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고 제1의 반도체 영역과의 사이에 pn 접합을 형성하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역이 설치되고, 또한 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고, 제2의 반도체 영역을 그것으로부터 떨어져 포위하는 제2도전형의 환상의 제3의 반도체 영역이 복수개 설치되고, 제2의 반도체 영역의 주연으로부터 최외주의 제3의 반도체 영역에 달하는 한쪽의 주표면 상에 절연막이 설치되어 이루어지는 반도체장치에 있어서, 제2의 반도체 영역과 이것에 가장 근접하는 제3의 반도체 영역과의 사이에 대응하는 절연막 상에 전기적으로 부동상태의 도전성막을 설치한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체 기체의 한쪽의 주표면에 제1도전형의 제1의 반도체 영역이 노출하고, 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고 제1의 반도체 영역과의 사이에 pn 접합을 형성하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역이 설치되고, 또한 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고, 제2의 반도체 영역을 그것으로부터 떨어져 포위하는 제2도전형의 환상의 제3의 반도체 영역이 복수개 설치되어 이루어지는 반도체장치에 있어서, 제2의 반도체 영역과 이것에 가장 근접하는 제3의 반도체 영역과의 사이에 제1의 반도체 영역의 표면에 제1의 반도체 영역과 동일 도전형이고 그것보다 고불순물 농도를 가지는 제4의 반도체 영역을 설치한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체 기체의 한쪽의 주표면에 제1도전형의 제1의 반도체 영역이 노출하고, 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고 제1의 반도체 영역과의 사이에 pn 접합을 형성하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역이 설치되고, 또한 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고, 제2의 반도체 영역을 그것으로부터 떨어져 포위하는 제2도전형의 환상의 제3의 반도체 영역이 복수개 설치되어 이루어지는 반도체장치에 있어서, 제2의 반도체 영역과 그것에 가장 근접하는 제3의 영역과의 사이의 간격이 한쪽의 주표면보다도 내부에 있어서 작아지도록 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체 기체의 한쪽의 주표면에 제1도전형의 제1의 반도체 영역이 노출하고, 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고 제1의 반도체 영역과의 사이에 pn 접합을 형성하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역이 설치되고, 또한 한쪽의 주표면으로부터 제1의 반도체 영역내로 뻗고, 제2의 반도체 영역을 그것으로부터 떨어져 포위하는 제2도전형의 환상의 제3의 반도체 영역이 복수개 설치되어 이루어지는 반도체장치에 있어서, 제2의 반도체 영역과 이것에 가장 근접하는 제3의 영역과의 사이의 제1의 반도체 영역을 절연막을 거쳐 도전성막으로 덮고, 이 도전성막을 제2의 반도체 영역에 가장 근접하는 제3의 반도체 영역에 전기적으로 접속한 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3111827B2 (ja) | 1994-09-20 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びそれを使った電力変換装置 |
DE19606983C2 (de) * | 1996-02-24 | 2000-01-20 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleiterbauelement mit planarem Aufbau |
JPH1032313A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
KR100415189B1 (ko) * | 1997-01-10 | 2004-03-19 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전계제한환을 가지는 바이폴라트랜지스터 |
FR2784801B1 (fr) * | 1998-10-19 | 2000-12-22 | St Microelectronics Sa | Composant de puissance portant des interconnexions |
FR2785090B1 (fr) | 1998-10-23 | 2001-01-19 | St Microelectronics Sa | Composant de puissance portant des interconnexions |
GB2373634B (en) * | 2000-10-31 | 2004-12-08 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
US6927988B2 (en) * | 2002-05-28 | 2005-08-09 | Ballard Power Systems Corporation | Method and apparatus for measuring fault diagnostics on insulated gate bipolar transistor converter circuits |
US8093652B2 (en) * | 2002-08-28 | 2012-01-10 | Ixys Corporation | Breakdown voltage for power devices |
DE102004017723B4 (de) | 2003-04-10 | 2011-12-08 | Fuji Electric Co., Ltd | In Rückwärtsrichtung sperrendes Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4469584B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4202970B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2008-12-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の欠陥検出方法 |
EP1722423B1 (en) * | 2005-05-12 | 2016-07-06 | Ixys Corporation | Stable diodes for low and high frequency applications |
JP5225549B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2013-07-03 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子 |
US8110888B2 (en) | 2007-09-18 | 2012-02-07 | Microsemi Corporation | Edge termination for high voltage semiconductor device |
JP5381420B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2014-01-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5477681B2 (ja) | 2008-07-29 | 2014-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5195186B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2013-05-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8350352B2 (en) * | 2009-11-02 | 2013-01-08 | Analog Devices, Inc. | Bipolar transistor |
JP5543758B2 (ja) | 2009-11-19 | 2014-07-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5719167B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5660959B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-01-28 | 本田技研工業株式会社 | 受光装置 |
JP5829036B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-12-09 | 本田技研工業株式会社 | 単位画素の信号加算方法 |
JP5635938B2 (ja) | 2011-03-31 | 2014-12-03 | 本田技研工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5635937B2 (ja) | 2011-03-31 | 2014-12-03 | 本田技研工業株式会社 | 固体撮像装置 |
CN102956685B (zh) * | 2011-10-19 | 2015-05-20 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片 |
CN102354703B (zh) * | 2011-10-19 | 2013-01-23 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种平面结构型超高压二极管芯片 |
CN102610635B (zh) * | 2012-03-26 | 2014-04-02 | 大连理工大学 | 一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺 |
JP6089733B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2017-03-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2014125626A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
CN104332403A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体功率器件及其制造方法 |
DE102016120300A1 (de) * | 2016-10-25 | 2018-04-26 | Infineon Technologies Austria Ag | Hochspannungsabschlussstruktur einer Leistungshalbleitervorrichtung |
JP6637012B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2020-01-29 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6816278B2 (ja) * | 2016-11-24 | 2021-01-20 | アーベーベー・シュバイツ・アーゲーABB Schweiz AG | フローティングフィールドリング終端を有するパワー半導体装置 |
CN107579057A (zh) * | 2017-09-14 | 2018-01-12 | 全球能源互联网研究院 | 能进行终端横向耐压测试的igbt版图 |
JP7271724B2 (ja) | 2019-05-14 | 2023-05-11 | プリズマティック、センサーズ、アクチボラグ | フィールドリミッティングリング構成を有するx線センサ |
WO2023120715A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6904619A (ko) * | 1969-03-25 | 1970-09-29 | ||
JPS5227032A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-01 | Kurita Industrial Co Ltd | Anticorrosive for metals |
JPS553826A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Filter element |
JPS5521339A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Quaywall freight handling facility |
DE2834724A1 (de) * | 1978-08-08 | 1980-02-14 | Siemens Ag | Mos-feldeffekttransistoren fuer hoehere spannungen |
JPS56103463A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor device of high withstand voltage planar type |
JPS57160159A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Toshiba Corp | High breakdown voltage planar type semiconductor device |
GB2131603B (en) * | 1982-12-03 | 1985-12-18 | Philips Electronic Associated | Semiconductor devices |
JPS61135158A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-23 | Nec Corp | 高耐圧半導体装置 |
JPS61158177A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS63164362A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0358185A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Tamura Electric Works Ltd | カードリーダのカード搬送機構 |
US5032878A (en) * | 1990-01-02 | 1991-07-16 | Motorola, Inc. | High voltage planar edge termination using a punch-through retarding implant |
JPH03222475A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JPH04127540A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Nec Corp | 絶縁ゲート電界効果トランジスタ |
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