KR960009159A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR960009159A
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이꾸오 구라찌
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진구지 준
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Abstract

반도체 장치에 있어서, 출력버퍼회로가 갖는 MOSFET의 정전파괴를 보다 효과적으로 방지한다.
LDD 구조의 MOSFET(14)를 사용하여 출력버퍼회로를 구성하고, MOSFET(14)의 정전파괴를 방지하기 위한 보호소자(16)를 옵셋 게이트 구조의 MOSFET로 한다. 그리고 이들 MOSFET 14의 N+층(18)과 보호소자(16) N+층(20)을 분리하여 이간시켜서 기판에 설치한다. 출력단자 TOUT로부터 주입된 정전차아지는 보호소자(16)를 통하여 기판중에 유입한다. 그러나 N+층(18, 20)의 사이에 개재하는 기판 이 필드산화막의 저항성분에 의해 전압강하가 발생한다. 따라서 기판중에 정전차아지가 유입되어도, 이 전압강하의 작용에 의해, 버퍼용 MOSFET(14)의 채널 및 그의 근방영역에 있어서의 기판전위의 변동을 감소시킬 수가 있고, 그 결과, 버퍼용 MOSFET(14)의 스냅백의 발생을 억제할 수 있다. 이 때문에 목적을 달성할 수 있다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예 1의 요부구성을 개략적으로 나타내는 단면도,
제2도는 실시예 1의 요부구성을 개략적으로 나타내는 단면도,
제3도는 실시예 1에 관하여 버퍼용 MOSFET 및 보호소자와 그 주변의 배선구조를 개략적으로 나타내는 평면도.

Claims (7)

  1. 제1도전형의 반도체 기판에 설치된 집적회로, 이 집적회로를 위한 출력버퍼회로, 이 출력버퍼회로를 위한 보호회로 및, 상기 반도체기판에 전압을 공급하기 위한 전압공급회로를 구비하고, 상기 출력버퍼회로는 버퍼용 MOSFET를 가지며, 상기 보호회로는 상기 버퍼용 MOSFET의 정전파괴를 방지하기 위한 보호소자를 가지며, 이들 버퍼용 MOSFET 및 보호소자는 상기 반도체 기판에 형성된 제2도전형의 불순물 확산층으로 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 상기 버퍼용 MOSFET의 불순물 확산층과 상기 보호소자의 불순물 확산층을 분리하여 이간 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 출력단자 및 접지단자의 사이에, 버퍼용 MOSFET와 보호소자를 병렬접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 출력단자 및 구동전원단자의 사이에, 버퍼용 MOSFET와 보호소자를 병렬접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 보호소자를 MOSFET 또는 pn 다이오드로 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 버퍼용 MOSFET의 불순물 확산층과 보호소자의 불순물 확산층과의 이간거리를 최저 5㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 반도체 기판에 설치된 접지단자에 접속되는 제2도전형의 가아드링을 구비하고, 이 가아드링의 내측에 보호소자의 불순물 확산층을 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 반도체 기판중에 매입된 제2도전형의 제1웰과, 이 제2월중에 매입된 제1도전형의 제2웰을 구비하고, 상기 제1 및 제2웰을 접지단자에 접속시키고, 제2웰에 보호소자의 불순물 확산층을 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950027756A 1994-08-31 1995-08-30 반도체장치 KR100301538B1 (ko)

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