KR950021462A - 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950021462A
KR950021462A KR1019940038134A KR19940038134A KR950021462A KR 950021462 A KR950021462 A KR 950021462A KR 1019940038134 A KR1019940038134 A KR 1019940038134A KR 19940038134 A KR19940038134 A KR 19940038134A KR 950021462 A KR950021462 A KR 950021462A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
directional
semiconductor element
integrated device
diode
circuit
Prior art date
Application number
KR1019940038134A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0145640B1 (ko
Inventor
가즈미 야마구찌
마사미 사와다
마나부 야마다
게이죠 하기모또
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR950021462A publication Critical patent/KR950021462A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0145640B1 publication Critical patent/KR0145640B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
    • H01L29/7804—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
    • H01L29/7804—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode
    • H01L29/7805—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode in antiparallel, e.g. freewheel diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

절연 필름에 의하여 반도체 소자에서 분리된 다결정질 실리콘층내에 형성된 두 방향 도전성 방향 회로는 한 방향으로 바이어스되어 상기 반도체 소자의 온도를 검출한다. 상기 방향성 회로는, 상기 반도체 소자의 온도를 검출하기 위하여 다른 도전 방향으로 바이어스되게 하기전에, 상기 반도체 소자의 온도를 검출하기 위하여 양쪽의 도전 방향으로 바이어스되게 제공된다.

Description

온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 반도체 장치의 단면도.
제4a도는 제3도 반도체 장치의 주요 부분의 등가회로를 도시하는 회로도.
제4b도는 제4a도의 주요 부분의 수정된 예를 도시하는 회로도.
제5도는 각기 연관된 온도 계수를 갖는 다양한 순방향 전류에 대한 단일 다이오드의 전압 대 온도의 관계를 도시하는 그래프.
제6도는 각기 연관된 온도 계수를 갖는 다양한 순방향 전류에 대한 서로 반대로 병렬 연결된 한쌍의 다이오드의 전압 대 온도의 관계를 도시하는 그래프.

Claims (4)

  1. 반도체 집적 장치에 있어서, 반도체 집적 장치내에 형성된 반도체 소자와, 상기 반도체 소자상에 형성된 절연막과, 상기 절연막상에 형성된 다결정질 실리콘막과, 상기 실리콘막 내에 형성된 두 방향 도전성 방향 회로와, 상기 반도체 소자의 온도 검출용으로서 한 방향으로 바이어스된 상기 방향 회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두 방향 도전성 방향 회로는, 상기 반도체 소자의 온도를 검출하는 제1다이오드와 축적된 정전하를 중성화하기 위한 제2다이오드를 갖는 한 쌍의 다이오드 회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두 방향 도전성 방향 회로는, 상기 방향 회로의 한 방향으로 바이어스된 방향과 일치하여 그 순방향으로 형성된 제1다이오드를 갖는 한쌍의 다이오드 회로와, 상기 방향 회로의 상기 한 방향으로 바이어스된 방향에 역 방향을 순방향으로 하여 형성된 제2다이오드를 갖는 다른 한 쌍의 다이오드 회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  4. 반도체 소자와 두 방향 도전성 방향 회로를 포함하는 반도체 집적장치 동작 방법에 있어서, 상기 반도체 소자의 온도 검출을 위하여 양 쪽의 도전 방향으로 바이어스되는 상기 방향 회로를 제공하는 단계와, 상기 반도체 소자의 온도 검출을 위하여 다른 도전 방향으로 바이어스되는 상기 방향 회로를 제공하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적 장치 동작 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940038134A 1993-12-28 1994-12-28 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 KR0145640B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-335188 1993-12-28
JP5335188A JP2630242B2 (ja) 1993-12-28 1993-12-28 温度検出用ダイオード付パワーｍｏｓｆｅｔ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021462A true KR950021462A (ko) 1995-07-26
KR0145640B1 KR0145640B1 (ko) 1998-08-01

Family

ID=18285752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940038134A KR0145640B1 (ko) 1993-12-28 1994-12-28 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5500547A (ko)
JP (1) JP2630242B2 (ko)
KR (1) KR0145640B1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3752796B2 (ja) * 1997-03-26 2006-03-08 日産自動車株式会社 温度検知回路
DE19904575C1 (de) * 1999-02-04 2000-03-30 Siemens Ag Temperaturgeschützter Halbleiterschalter mit Temperatursensor und zusätzlichem Ladungsträger-Detektor, der eine echte Übertemperatur von einer vermeintlichen unterscheidbar macht
US6233190B1 (en) * 1999-08-30 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Method of storing a temperature threshold in an integrated circuit, method of modifying operation of dynamic random access memory in response to temperature, programmable temperature sensing circuit and memory integrated circuit
JP2002009284A (ja) * 2000-06-19 2002-01-11 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体素子及び電力用半導体装置
JP4620889B2 (ja) * 2001-03-22 2011-01-26 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US7018095B2 (en) * 2002-06-27 2006-03-28 Intel Corporation Circuit for sensing on-die temperature at multiple locations
US6990030B2 (en) * 2003-10-21 2006-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory having a calibration system
JP4765252B2 (ja) * 2004-01-13 2011-09-07 株式会社豊田自動織機 温度検出機能付き半導体装置
JP2006186249A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体装置
US7544545B2 (en) 2005-12-28 2009-06-09 Vishay-Siliconix Trench polysilicon diode
KR101139438B1 (ko) 2006-01-18 2012-04-27 비쉐이-실리코닉스 고성능 정전 방전 수행용 부동 게이트 구조
JP4929860B2 (ja) * 2006-06-12 2012-05-09 株式会社デンソー 半導体装置
JP5125106B2 (ja) * 2007-01-15 2013-01-23 株式会社デンソー 半導体装置
DE102014222214A1 (de) * 2014-10-30 2016-05-04 Robert Bosch Gmbh Integrierte Halbleiterschaltung
JP6512025B2 (ja) * 2015-08-11 2019-05-15 富士電機株式会社 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JP7243845B2 (ja) * 2019-09-25 2023-03-22 富士電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0693485B2 (ja) * 1985-11-29 1994-11-16 日本電装株式会社 半導体装置
JPS62156850A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Nec Corp 半導体装置
US5025298A (en) * 1989-08-22 1991-06-18 Motorola, Inc. Semiconductor structure with closely coupled substrate temperature sense element
US5237481A (en) * 1991-05-29 1993-08-17 Ixys Corporation Temperature sensing device for use in a power transistor

Also Published As

Publication number Publication date
US5500547A (en) 1996-03-19
JPH07202129A (ja) 1995-08-04
KR0145640B1 (ko) 1998-08-01
JP2630242B2 (ja) 1997-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950021462A (ko) 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법
KR950004452A (ko) 반도체 집적회로장치
KR880004580A (ko) 전력 mosfet와 제어회로가 통합된 반도체소자
KR880700468A (ko) 반도체 장치
KR920013780A (ko) 고전압 용도에 적합한 직접 회로 장치
KR970705834A (ko) 전원 반도체 장치(Power semiconductor devices)
KR910020872A (ko) 소자분리구조 및 배선구조의 개량된 반도체 장치
KR920022564A (ko) 반도체장치
KR850008052A (ko) 반도체 장치
KR20020075197A (ko) 전력용 반도체장치
KR870003578A (ko) Mos 트랜지스터 회로
KR960026941A (ko) 반도체장치
KR940017202A (ko) 정류성 전송 게이트와 그 응용회로
KR950015755A (ko) 반도체 집적 회로장치
KR840002162A (ko) 반도체 장치(半導體裝置)
KR900013654A (ko) 반도체 장치
KR900008658A (ko) 반도체 장치
KR880004589A (ko) 기판바이어스 전압발생기를 구비한 상보형 집적회로 배열
KR970018753A (ko) 수광소자
KR950028013A (ko) 보호회로를 내장한 절연게이트형 반도체장치
KR890016626A (ko) 반도체장치
KR950012714A (ko) 상보형 금속 산화물 반도체(cmos) 기술의 집적 전자 회로용 극성 반전 보호장치
KR900019259A (ko) 쌍방향제어정류 반도체장치
KR910019248A (ko) 반도체 가변용량소자
KR930022523A (ko) 반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050422

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee