JP2006186249A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、入出力端子V1と、基準電圧端子VSSと、サーマルダイオードのような対の電源線を必要としない半導体素子1と、入出力端子V1および基準電圧端子VSSの間にそれぞれ接続されるサイリスタSR1およびダイオードD1とを備えている。半導体素子1に接続される入出力端子V1と基準電圧端子VSSとの間に、互いに逆向きにダイオードD1とサイリスタSR1を接続するため、専用の基準電圧端子を設けなくても、半導体素子1の静電気放電による破壊を防止できる。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の回路図である。図1は半導体装置内の特徴的な一部の回路ブロックだけを取り出して示している。図1の半導体装置は、入出力端子V1と、基準電圧端子VSSと、サーマルダイオードのような対の電源線を必要としない半導体素子1と、入出力端子V1および基準電圧端子VSSの間にそれぞれ接続されるサイリスタSR1およびダイオードD1とを備えている。
第2の実施形態は、3端子の半導体素子1の静電気放電による破壊を防止するものである。
第3の実施形態は、図2の回路に新たにダイオードを追加したものである。
第4の実施形態は、図3の回路を簡略化したものである。
第5の実施形態も、図3の回路を簡略化したものである。
第6の実施形態は、図2の回路を簡略化したものである。
第7の実施形態は、図3の回路を簡略化したものである。
第8の実施形態は、図4の回路を簡略化したものである。
第9の実施形態は、図5の回路を簡略化したものである。
第10の実施形態は、図3の回路を簡略化したものである。
第11の実施形態は、図4の回路を簡略化したものである。
第12の実施形態は、図5の回路を簡略化したものである。
以下に説明する第13〜第23の実施形態では、半導体素子1としてNPNバイポーラトランジスタ3を用いるものである。
第14の実施形態は、図13の回路にダイオードを追加したものである。
第15の実施形態は、図14の回路を簡略化したものである。
第16の実施形態も、図14の回路を簡略化したものである。
第17の実施形態は、図14の回路を簡略化したものである。
第18の実施形態は、図14の回路を簡略化したものである。
第19の実施形態は、図18の回路を簡略化したものである。
第20の実施形態は、図18の回路を簡略化したものである。
第21の実施形態は、図14の回路を簡略化したものである。
第22の実施形態は、図15の回路を簡略化したものである。
第23の実施形態は、図16の回路を簡略化したものである。
上述した各実施形態で説明した半導体装置(以下、便宜的に温度検出回路と呼ぶ)は、例えばプロセッサやグラフィックプロセッサ(以下、単にプロセッサ)に適用することができる。最近のプロセッサは、動作周波数が非常に高く、また内蔵されているトランジスタ3の数も莫大であるため、プロセッサ内部で多大な熱を発生する。プロセッサ内部で発生した熱に対する対策を行わないと、プロセッサやその周辺回路が熱暴走や熱破壊を起こすおそれがある。そこで、プロセッサの内部温度を常時監視して、内部温度に応じてプロセッサの動作周波数や動作モードを制御するのが望ましい。
2 PNPバイポーラトランジスタ
3 NPNバイポーラトランジスタ
11 ホストプロセッサ
12 グラフィックプロセッサ
N1 第1入出力端子
N2 第2入出力端子
VSS 基準電圧端子
Claims (5)
- 入出力端子および基準電圧端子に接続される半導体素子と、
前記入出力端子および前記基準電圧端子に接続され、前記入出力端子の電圧が前記基準電圧端子の電圧よりも所定値以上高くならないように整流動作を行う第1整流素子と、
前記入出力端子および前記基準電圧端子に接続され、前記基準電圧端子の電圧が前記入出力端子の電圧よりも所定値以上高くならないように整流動作を行う第2整流素子と、を備え、
前記第1整流素子は、サイリスタまたはダイオードを有し、
前記第2整流素子は、ダイオードまたはダイオード接続されたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。 - 第1入出力端子、第2入出力端子および基準電圧端子に接続される半導体素子と、
前記第1入出力端子の電圧および前記第2入出力端子の電圧が前記基準電圧端子の電圧よりも所定値以上高くならないように整流動作を行う第1整流回路と、
前記基準電圧端子の電圧が前記第1入出力端子の電圧および前記第2入出力端子の電圧よりも所定値以上高くならないように整流動作を行う第2整流回路と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1整流回路は、前記第1入出力端子および前記第2入出力端子の少なくとも一方と前記基準電圧端子との間に接続され、前記第1入出力端子および前記第2入出力端子の少なくとも一方から前記基準電圧端子の方向にのみ電流を流すことが可能な少なくとも一つの第1整流素子を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2整流回路は、前記基準電圧端子と前記第1入出力端子および前記第2入出力端子の少なくとも一方との間に接続され、前記基準電圧端子から前記第1入出力端子および前記第2入出力端子の少なくとも一方の方向にのみ電流を流すことが可能な少なくとも一つの第2整流素子を有することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記第2整流回路は、前記第1入出力端子と前記第2入出力端子との間に接続され、前記第1入出力端子および前記第2入出力端子の一方から他方の方向にのみ電流を流すことが可能な第3整流素子を有することを特徴とする請求項2乃至4に記載の半導体装置。
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