JP2010186954A - 静電破壊保護回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】MOS型トランジスタの静電保護回路が必須であり、一般的には被保護端子に比較的大きなMOSトランジスタのドレインを接続し、第一の電源にゲートとソースを接続していたが、しかし、プロセスの微細化に伴い、年々その閾値が低下しており、応用によっては高温時のリーク量が無視できない状況になってきた。
【解決手段】MOS型トランジスタとPN接合からなる静電破壊保護回路において、MOS型トランジスタのドレインを被保護端子に接続し、ゲートを第一の電源端子に接続するとともに、ソースをPN接合を順方向に介して第一の電源端子に接続する。
【選択図】図1
【解決手段】MOS型トランジスタとPN接合からなる静電破壊保護回路において、MOS型トランジスタのドレインを被保護端子に接続し、ゲートを第一の電源端子に接続するとともに、ソースをPN接合を順方向に介して第一の電源端子に接続する。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体集積回路に関し、特にその静電破壊保護回路に関する。
MOSトランジスタを備えた静電破壊保護回路としては、例えば、特許文献1に従来例の静電破壊保護回路が記載されている。図5を参照しつつ、従来技術を説明する。被保護回路4が引き出される端子1と、第一の電源端子2(接地端子と呼ばれることも多い)の間に、大きなNチャネルMOSトランジスタ5のドレインDとソースSを接続している。そのゲートGはソースSと共通接続してある。またバックゲートBは半導体の基板なので、当然ながら第一の電源端子2につながっている。
NチャネルMOSトランジスタ5にとって、この状態はゼロバイアス状態であり、エンハンスメント型のMOSトランジスタの場合はその閾値VT(例えば+数100mV)より充分低いので、通常動作では遮断状態だった。
さて、端子1と第一の電源2間に外部から100Vを超えるような静電気の放電による「静電パルス」が印加される場合の動作を考える。静電パルスの端子1側が正の場合、NチャネルMOSトランジスタ5の耐圧(通常数V)を超えてブレークダウンし、アンペア単位の電流を流して静電パルスのエネルギーを消費させる。この結果、被保護回路には前記耐圧以上の電圧は掛からない。またNチャネルMOSトランジスタ5はこのエネルギーに耐えうる大きさにしてある。静電パルスの端子1側が負の場合は、第一の電源端子2からNチャネルMOSトランジスタ5のバックゲートB・同ドレインD間に構造的に存在するPN接合が導通し、わずか1V程度の電圧でクランプしてしまう。
ところが、ゼロバイアスでもnA(ナノアンペア)オーダーのリークが生じていることがわかった。特にリーク電流にセンシティブなアナログ回路の一部の保護用には使えない。
まず従来例の図5の回路では、大きなNチャネルMOSトランジスタ5のドレインDからソースSへ10nAのリーク電流が流れていたとする。このときのNチャネルMOSトランジスタ5の閾値電圧VTを+300mVだとする。NチャネルMOSトランジスタ5のゲートGとソースS間の電圧VGS=0Vつまりゼロバイアス状態であった。VGS−VT=−300mV<0でもリーク電流が生じている原因は、われわれの調査で、弱反転効果によるものだと判明した。
製造プロセスの微細化に伴って、MOSトランジスタの閾値電圧VTが年々低下して来ているため、センシティブなアナログ回路において、問題が出てきたものである。この傾向は今後のプロセスの微細化とともにさらに影響が大きくなり、デジタルを含む多くの回路がリークで使えなくなる可能性が高い。
従来から、MOS型トランジスタは静電気によって破壊されやすく、その入出力には静電保護回路が必須であり、一般的には被保護端子に比較的大きなMOSトランジスタのドレインを接続し、第一の電源にゲートとソースを接続していた。しかし、プロセスの微細化に伴い、年々その閾値が低下しており、応用によっては高温時のリーク量が無視できない状況になってきた。
本発明の目的は、簡易で、リークが桁違いに小さな静電破壊保護回路を提供することにある。
本発明の静電破壊保護回路は、MOS型トランジスタで構成する静電破壊保護回路において、ドレインを被保護端子に接続し、ゲートを第一の電源端子に接続するとともに、ソースを順方向の接合を介して前記第一の電源端子に接続することを特徴とする。
これにより、MOS型トランジスタのリーク電流によって、接合に自己バイアスを深く掛けることで、リーク電流を抑えるものである。
本発明によれば、MOS型トランジスタのリーク電流によって、接合に自己バイアスを深く掛けることで、リーク電流を抑える効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1を用いて本願発明の第一の実施例を詳細に説明する。ただし従来技術として説明した図5と同じものには同じ番号/記号を付し、再度の説明を省略する。
図1の説明の前に、理解を容易にするために具体的数値例として、まず従来例の図5の回路では、大きなNチャネルMOSトランジスタ5のドレインDからソースSへ10nAのリーク電流が流れていたとする。このときのNチャネルMOSトランジスタ5の閾値電圧VTを+300mVだとする。NチャネルMOSトランジスタ5のゲートGとソースS間の電圧VGS=0Vつまりゼロバイアス状態であった。
VGS−VT=−300mV<0でもリーク電流が生じている原因は、われわれの調査で、弱反転効果によるものだと判明した。製造プロセスの微細化に伴って、MOSトランジスタの閾値電圧VTが年々低下して来ているため、センシティブなアナログ回路において、問題が出てきたものである。この傾向は今後のプロセスの微細化とともにさらに影響が大きくなり、デジタルを含む多くの回路がリークで使えなくなる可能性が高い。
図1は従来の大きなNチャネルMOSトランジスタ5のソースSと、第一の電源端子2(通常接地端子)との間にリーク電流に対して順方向にPN接合7を挿入したものである。一般的にPN接合に電流を流すとほぼ700mVの電圧を生ずると言われているが、詳しく見ると電流が半分になると約18mV低下することが理論的に公知である。ここでは仮に10nAの電流をPN接合7に流した場合に、例えば500mVの電圧を生ずる。この場合には、NチャネルMOSトランジスタ5のVGS=−500mVとなり、強い逆バイアス状態になるので、もはや10nAもの弱反転電流を流せる状態ではない。
NチャネルMOSトランジスタ5の弱反転電流領域のデータシートもしくはシミュレーションモデルで、VGS対ドレイン電流IDを調べると、例えばVGS=−380mVで100pAになっているとする。一方でPN接合7に100pAの電流を流す場合、上記の理論的な割合を適用すると、両端の電圧は380mVとなる。この電圧がNチャネルMOSトランジスタ5のVGSとして印加されるので、ちょうどこの電流100pAでバランスする。
言い換えると、リーク電流が10nAから100pAに、1/100に減少する。これが本願発明の顕著な効果である。本願発明は上記の例示した数値に限定されることはない。リーク電流(弱反転電流)によってPN接合7に生ずる電圧は、リーク電流の対数に比例するため、広範囲で100〜500mV程度を示す。この電圧が−VGSとなるので、常にNチャネルMOSトランジスタ5はより強く負にバイアスされ、リーク電流(弱反転電流)は従来の図5より小さくなり、必ず本願発明の効果がある。なお、バランスする電流値は、素子サイズや閾値VT、温度などに依存し、無理関数になるものの、回路計算プログラムを使って計算機を用いれば容易に算出できる。
一方で、端子1と第一の電源2間に外部から100Vを超えるような静電気の放電による「静電パルス」が印加される場合の動作を考える。静電パルスの端子1側が正の場合、NチャネルMOSトランジスタ5の耐圧(通常数V)を超えてブレークダウンし、アンペア単位の電流をPN接合7を介して第一の電源端子2へ流して静電パルスのエネルギーを消費させる。この結果、被保護回路には前記耐圧プラスPN接合の順方向電圧(Aオーダでもせいぜい1V以下)以上の電圧は掛からない。
また、NチャネルMOSトランジスタ5とPN接合7はこのエネルギーに耐えうる大きさにする。静電パルスの端子1側が負の場合は、第一の電源端子2からNチャネルMOSトランジスタ5のバックゲートB・同ドレインD間に構造的に存在するPN接合が導通し、わずか1V以下の電圧でクランプしてしまう点は図5と同様である。
図2は本発明の第二の実施例であり、図1のPN接合7の代わりに、PNPトランジスタ7’が接続されている。このエミッタEとベースB間のPN接合に電流を流すと、そのhFE倍の電流がエミッタEとコレクタC間に流れ、いわゆるCBショート型ダイオードとして、等価的にPN接合の動作をする。この構造は近年のLSI構造において、P型サブストレートをコレクタC、N型ウェルをベースB、PチャネルMOSトランジスタのドレインやソースと同一の拡散層で構成するエミッタEで作ることが出来るため、親和性が良いという利点がある。
図3は本発明の第三の実施例である。図1の回路のPN接合7へバイアス電流を印加する電流源9が付加されている。これにより動作時のPN接合7の両端の電圧は700mV近い値に設定されるので、NチャネルMOSトランジスタ5はさらに強い逆バイアスがかかり、リークはほとんど無くなる。図2の回路に本実施例を組み合わせても良い。
図4は本発明の第四の実施例であり、第二の電源端子3と被保護端子1との間にも、本願の静電破壊保護回路を相補的に挿入したものであり、6はPチャネルMOSトランジスタ、8は第二のPN接合である。端子1,3間に関して、電圧/電流の方向を相補的に変更することで、図1の説明がそのまま成り立つ。
第一の電源端子1が負で、非保護端子3に正の静電パルスが印加された場合に、図1で説明した経路に加え、PチャネルMOSトランジスタ6のドレインDから、バックゲートBを経由して、第二の電源端子3へPN接合1つ分で抜ける経路が追加されるため、より静電破壊に強くなる利点がある。
図2および3に示した回路を相補的に、もしくはいずれか一方に適用することも出来る。
1 被保護端子
2 第一の電源端子(接地)
3 第二の電源端子
4 被保護回路
5 NチャネルMOSトランジスタ型保護素子
6 PチャネルMOSトランジスタ型保護素子
7 第一の接合
7’ PNPトランジスタ
8 第二の接合
9 電流源
2 第一の電源端子(接地)
3 第二の電源端子
4 被保護回路
5 NチャネルMOSトランジスタ型保護素子
6 PチャネルMOSトランジスタ型保護素子
7 第一の接合
7’ PNPトランジスタ
8 第二の接合
9 電流源
Claims (3)
- MOS型トランジスタとPN接合からなる静電破壊保護回路で、前記MOS型トランジスタのドレインを被保護端子に接続し、ゲートを第一の電源端子に接続するとともに、ソースは前記PN接合を順方向に介して前記第一の電源端子に接続することを特徴とする静電破壊保護回路。
- 請求項1に記載の静電破壊保護回路において、前記PN接合が、バイポーラトランジスタのコレクタとベースを共通接続し、エミッタとの間で構成する等価ダイオードであることを特徴とする静電破壊保護回路。
- 請求項1または請求項2に記載の静電破壊保護回路において、前記PN接合にバイアス電流を印加することを特徴とする静電破壊保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009031576A JP2010186954A (ja) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | 静電破壊保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009031576A JP2010186954A (ja) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | 静電破壊保護回路 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2010186954A true JP2010186954A (ja) | 2010-08-26 |
Family
ID=42767409
Family Applications (1)
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JP2009031576A Pending JP2010186954A (ja) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | 静電破壊保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010186954A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046507A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | Esd保護回路 |
US9148015B2 (en) | 2012-10-24 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Protection circuit |
CN108447861A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-08-24 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
-
2009
- 2009-02-13 JP JP2009031576A patent/JP2010186954A/ja active Pending
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