JPS6193643A

JPS6193643A - レ−ザ・ビ−ムでプログラムし得る半導体装置と半導体装置の製法

Info

Publication number: JPS6193643A
Application number: JP15922185A
Authority: JP
Inventors: ジエームス　エム　マツクデービツド; ケンドール　エス．ウイリス
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1984-07-18
Filing date: 1985-07-18
Publication date: 1986-05-12
Anticipated expiration: 2010-06-28
Also published as: JPH0760853B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野この発明は半導体装置、更に具体的に云えば半導体装置
のレーデによるプログラミングに関する。

従来の技術及び問題点製造が略完了した後に半導体装置を選択的にプログラミ
ングする為に種々の方法が用いられている。例えば、１
メガビツト装置の様な非常に密度の高いダイナミック票
を製造する場合、冗長性を利用することが経済的に必要
になっている。

ＤＲＡＭ装置は、メモリの故障部分を側路する為に、試
験後にプログラムされる。普通に使われる１つの方法で
は、チップの表面にあるポリシリコン又はその他の導電
ストリップを所望の場所でレーザ・ビームによって融解
させる。これはレーずによるブレーク・リンク・プログ
ラミングの名前で知られている。バイポーラＦＲＯＭで
は、抵抗値の大きい細い区域の導体が電気パルスによっ
て融解される。こういう種類の成る装置では、レーザ・
ビームによシ、又は過電圧によシ、酸化物を分解し、２
本の導体を短絡して、ブレーク・リンクではなくメーク
・リンクのプログラミングを行なう。レーザ・ビームの
加熱作用を使って、シリコン又はポリシリコン区域内に
不純物を拡散させ、その導電度を変えてプログラミング
することも出来る。

シリコン装置でドープ剤の分布を変える為のレーデの加
熱作用も報告されている。

従来のこういう種類の装置は、リンク構造の為、又はリ
ンクをプログラムするのに必要な回路の為に、チップ上
に過大な場所を必要とした。レーデによって吹飛ばされ
るヒユーズは、レーザ・ビームによって、チップの表面
に凹みが出来たシ、或いは金属或いは導電材料が回路の
他の部分にとび散ることによって問題を生じた。

問題点を解決する為の手段及び作用この発明の主な目的は、半導体装置をプログラミングす
る改良された方法、特にレーザ・ビームによってメーク
・リンクのプログラム可能な素子を提供することである
。別の目的は、実施するのに半導体基板の上に必要な場
所が小さいレーデ・プログラミング方法を提供すること
である。別の目的は、周囲の構造及び材料をそれ程乱さ
ず、且つ／又は残渣が最小限であるレーデ・プログラミ
ング方法を提供することである。その他の目的としては
、レーザ・ビームに必要な停留時間を短くしくこうして
プログラミングを一層速クシ）、エネルギを少なくする
こと（即ち、加熱を少なくすること）が含まれる。

この発明の１実施例では、半導体装置がレーザ・ビーム
によってプログラムされる。レーザ・ビームが、導体の
間にある絶縁体を融解することによシ、並びに導体を融
着又は短絡すること等によシ、シリコン基板の上にある
２つの導体の間に電気短絡部を作る。導体は標準型の２
重レベル・ポリシリコン・プロセスに於ける多結晶シリ
コンの第１及び第２のレベルであってよく、絶縁体は熱
作用による酸化シリコンである。レーザ・ビームを集束
する区域はシリコン基板から第ルベルの導体によって遮
蔽され、この為基板又は下側にある回路構造の加熱及び
乱れが最小限に抑えられる。

別の実施例では、絶縁体の降伏等によシ、絶縁体が永久
的に変更される。この場合、導体はアルミニウム又はタ
ングステンの様な金属であってよく、絶縁体は酸化シリ
コンである。レーザ・ビームを構造に集束する間、導体
の間に電圧を印加することによシ、この降伏作用を強め
ることが出来る。

この発明に特有と考えられる新規な特徴は特許請求の範
囲に記載しであるが、この発明自体とその他の特徴及び
利点は、以下図面について詳しく説明する所から明らか
になろう。

実施例第１図及び第２図には、この発明による１形式の集積回
路用のレーデ融解リンク・ヒユーズが示されている。集
積回路が半導体基板１０の面に形成されていて、典型的
には、米国特許第４．０５５．４４４号又は同第４，３
８８，１２１号（何れもテキサス・インスツルメンツ社
に譲渡されている）に記載される様な非常に多数のＭＯ
８電界効果トランジスタを含んでいる。フィールド酸化
物１１の様な絶縁体が基板１０の面上でトランジスタを
取囲んでおシ、典型的な実施例では、このフィールド酸
化物がヒユーズ構造の下にある。ヒユーズが、すき間に
よって隔てられた導体ストリップ１２．１３と、すき間
の下にある導電パッド１４とを含む。薄い酸化物コーテ
ィング１５がパッド１４をストリップ１２．１３から隔
て＼いる。保護上側コートの比較的厚い層１６を基板の
面上にある集積回路の全ての素子の上に適用するのが普
通である。この層１６は２酸化シリコン又は燐珪酸塩硝
子にする。

レーザ・ビーム１７をヒユーズ構造に入射させ、２本の
導体１２．１３を電気的に接続する。レーザ・ビームは
最初にそれが面に入射したスポットにある絶縁体層１６
を侵食によって除き、その後ストリップ１２．１３の縁
とパッド１４の材料を融解させて、第６図に示す構造を
残す。第６図で、融解したス）　ＩＪツブ及びパッドの
導電材料が、酸化物１５の中に出来た孔の側面にはね上
シ、パッド１４を介して導体１２．１３を電気的に短絡
する。レーザ・ビームはパッド１４の材料を通抜けては
ならない。然し通抜けても、パッドの縁の周りの回路は
依然として完全である。ビーム１７はパッド１４よシ小
さくして、パッドが基板を遮蔽する様にすべきである。

１実施例では、パッド１４は、上に引用した米国特許第
４，３８８，１２１号に記載される様な標準型の２重レ
ベル・ポリシリコン・プロセスの第ルベルの多結晶シリ
コンである。ストリップ１２及び１３は第２レベルのポ
リシリコンであり、酸化物１５が中間レベルの厚さ約２
，０００　Ａの熱酸化物である。パッド１４はレーザ・
ビーム１７に対して２酸化シリコン層程透明に近い状態
ではなく、その為、ビームによる加熱作用がシリコンの
中に入り込むことは最小限に抑えられ又はなくなシ、こ
の為、ヒユーズ構造の下又はその近くの基板の面内の能
動性ＦＥＴの損傷が少なくなる。

この代シとして、寸法がレーザ・ビーム１７に対応する
絶縁体層１６の小さな区域を、プログラミングの為のレ
ーザ・ビームを適用する前に、写真製版のマスク及びエ
ッチ工程によって除去することが出来る。これはメーク
・リンクを完成するのに必要な停留時間を短縮し、それ
によって加熱作用及び乱れが少なくなる。然し、この代
案の欠点は、最終的な絶縁体コーティングによってリン
ク区域が保護されないま＼で残ることである。

この発明の別の実施例のヒユーズが第４図及び第５図に
示されている。この例では、上側導体２０が、プログラ
ミング区域２２で下側の導体ストリップ２１に選択的に
接続される。導体２０（第２レベルのポリシリコン）が
レーザ・ビーム１７に対して半ば不透明である為、プロ
グラミング区域で上側導体２０に孔を残す。この孔はレ
ーザ・ビームが透過して、酸化物１５を融解することが
出来る様にする。前に述べた様に、プログラミングの前
に、保護上側コート１６に孔をエッチして、停留時間を
短縮することが出来る。第４図及び第５図に示した実施
例は、一層大きな面積の上側導体が、孔以外でビームを
遮る為、下側にあるシリコンが尚更よく保護される。こ
の構造を作る為の材料並びに方法は、第１図乃至第６図
の場合と同じであり、米国特許第４．０５５．４４４号
及び同第４，３８８，１２１号に記載されている。

この発明の融界リンク・ヒユーズ構造によって得られる
遮蔽作用の別の利点は、シリコン基板１０でレーザ・ビ
ームによって発生される担体が減少することである。こ
ういうヒユーズ構造は、多重プローブ試験部で、まだス
ライスの形であるメモリ装置に不良の行又は列のアドレ
スをプログラムする為に使われる場合が一番多い。上に
引用した米国特許の方法を用いて、約１０　ｃｍないし
ｉ　５　ｃｍ　（４インチないし６インチ）のシリコン
・スライスの上に、数百側の装置が同時に形成される。

各々の装置が大体２５６Ｋ又は１メガのメモリ・ビット
を持っている。試験装置が多重プローブを１つの装置に
対して割出し、不良のセル並びに／又は不良の行又は列
を突止める為の試験を進め、このデータを記憶し、この
多重プローブを別の装置の試験を開始する様に割出す。

その後、こうして記憶されたデータに基づいて、他の装
置の試験を続けながら、前に試験した装置に不良位置の
アドレスをプログラムする様にレーザ・ビームを割出す
。この為、レーザ・ビームがシリコン内に大量の担体を
発生した場合、それが試験を狂わせる惧れがある。試験
を進行させる時には何時でもレーザ・ビームをターンオ
フしなければならないとすれば、試験及びプログラミン
グ期間が著しく長くなる。

レーデは、メーク・リンク構造の材料によって吸収され
る様な波長のものを選ぶ。例えば、６ミクロンのビーム
寸法を持つアルゴン・レーデは、１０乃至１００ナノ秒
の多重パルスを用いて、２．００　ＯＡの２酸化シリコ
ン層１５によって隔てられた、厚さが約３，０００乃至
５，０００　Ｋの２つのポリシリコン層２０．２１を短
絡する。

第６図及び第７図には、シリコン基板１１３の上にデポ
ジットされた２本の導体１１１及び１１２の間にメーク
・リンク構造１１０を持つ半導体装置が示されてい、る
。絶縁層１１４又はその他のコーティング或いは層が、
メーク・リンク構造の下でシリコンを覆っていてよい。

酸化物コーティング１１５が２つの導体１１１，１１２
の間に介在配置されて、メーク・リンク構造となる。こ
の酸化物１１５がレーザ・ビーム１１６の加熱作用を受
けて酸化物を分解し、２つの導体１１１，１１２を短絡
する。導体１１１，１１２として使うことが出来る材料
の１例はタングステンであり、それと共にデポジットし
た酸化シリコン層１１５又はその代シに窒化シリコンＲ
１１５を用いる。この代シに、別の例として、上側層１
１２はアルミニウムであってよい。同じく、下側層１１
１はモリブデンの様な別の耐火金属であってもよいし、
或いはアルミニウムであってもよい。多結晶シリコンを
層１１１として使うことが出来る。この場合、絶縁体１
１５は、デポジットした酸化物ではなく、約２００Ｘの
熱成長させた酸化シリコンであってよい。選ぶ金属は、
短絡した時に整流接触を形成してはならない。リンク区
域１１０は、レーザ・ビームによる加熱作用を害う保護
上側コート層で覆ってはならない。

このメーク・リンク構造を冗長メモリ装置に用いる場合
、装置はスライスの形で完全に処理し、多重ゾロープ試
験部で試験して、どの行又は列が不良であるかを決定シ
、次に１つの装置にある数多くのメーク・リンク構造の
内の成る構造にレーザ・ビームを割出すことによシ、不
良の行又は列のアドレスを試験部でチップにプログラム
する。

スライスは何百個ものメモリ装置を収容しておシ、その
為、多重プローゾ試験及びレーデ・プログラミングがス
ライス上の装置から装置へと進められる。

レーデはメーク・リンク構造の材料によって吸収される
波長のものを選ぶ。例えば、ビーム寸法が６ミクロンで
、波長が０．４８８ミクロンのアルゴン・イオン・レー
ザ又は１．０６ミクロンのＮｄ：ＹＡＧレーデは、エネ
ルギがパルス１個あたシ１マイクロジュールであれば、
２００Ａの酸化シリコンによって隔てられたタングステ
ン層を２０　ｍｓよシずつと短い時間内に短絡する。導
体１１１゜１１２の間に５乃至２０ボルトの電圧を印加
して、界面に於ける反応を強め、短絡部を作るのに必要
な時間及びレーザ・ビーム・エネルギを短縮又は減少す
ることが出来る。一方の金属としてアルミニウムを使う
時、酸素雰囲気が、界面でアルミニウムを酸化物と反応
させる焼結作用を作シ出す。

メーク・リンク構造の別の例が第８図及び第９図に示さ
れている。第６図及び第７図の構造に別の導体ストリッ
プ１１７を追加し、レーザ・ビームが２つの界面１１０
，１２０をカバーする。導体１１１，１１７は異なる材
料であってもよいし、或いは同じ材料であってもよい。

この構造の１つの利点は、ストリップ１１１，１１７の
２つの導電材料の間に、非オーミック形接触、腐食等の
為に互いに干渉することのない接触を作る為に使うこと
が出来ることである。

第１０図及び第１１図について説明すると、この発明の
別の実施例は、レーデ、・ビームが多結晶シリコン層１
２１を非導電状態から導電状態に変える様な構造を用い
る。この装置はシリコン基板１１３の上に厚い絶縁体１
１４（大体厚さが１０．０００１）を用い、絶縁体１１
４内ニＲｘＥ。

様な異方性エッチによシ、幅が約１又は２ミクロンの垂
直の壁を持つ孔１２２をエッチする。例えばタングステ
ンの薄い導体層１２３を、選択性デポジツション過程に
よシ、孔１２２内でシリコンの上にだけデポジットする
。即ち、この材料はシリコンの上にはデポジットされる
が、酸化物１１４の上にはデポジットされない。次に、
ポリシリコン層１２１を被着するが、最初はスライスの
全面の上に被着し、その後は異方性エッチによって孔１
２２だけに制限し、それが側壁を覆う様にする。

ポリシリコンは、底では一層厚手にデポジットされる為
、孔の底を覆う様にも残される。ポリシリコンは非常に
抵抗が高くなる形で、即ち、非常に低レベルのドーピン
グ不純物を用いてデポジットされる。次に、別のデポジ
ツション及び異方性エッチによシ、金属層１２４を作る
。層１２１．１２４の材料は、レーザ・ビーム１１６に
よる選択的な加熱作用又はレーザ・ビームと電圧の組合
せによシ、材料が反応して短絡部又は抵抗値の小さい通
路を作る様に選ばれる。層１２４は孔１２２を埋める様
にも作用し、この為、上側の導体が段をカバーする問題
を持たない様にする。垂直の壁を持つ孔と、側壁上の材
料の層は（非常に小さなプログラム可能な構造を作れる
様にする。小さな孔と共に側壁上の材料を使うことによ
る１つの利点は、反応の表面積が増加することである。

導電材料の層１２５を追加し、パターンを定めて、この
構造が予めプログラムされている場合にだけ、層１２３
の下にあるシリコンと接触するストリップを残す。

Ｎ＋シリコンの様な基板１１３内の領域１２６が、前の
様に上面にある別の導体の代シに、メーク・リンクの２
番目の導体になる。

導体ストリップ１２５の材料はアルミニウムにするのが
普通であるが、例えばタングステン又はモリブデンの様
な高融点のものであってもよい。

層１２１は抵抗の大きいポリシリコンであり、ポリシリ
コンと反応する層１２４はアルミニウム又はモリブデン
である。層１２３が障壁として作用する。即ちそれは層
１２１．１２４の材料の反応がシリコン基板を損傷する
惧れを防止する助けになる。

この発明を実施例について説明したが、以上の説明はこ
の発明を制約するものと介してはならない。この説明か
ら、尚業者には、この実施例の種種の変更並びＫこの発
明のその他の実施例が容易に考えられよう。従って、特
許請求の範囲は、この発明の範囲内に含まれる、この様
な全ての変更を包括するものであることを承知されたい
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の１実施例に従ってレーザ・ビームに
よってプログラムし得るメーク・リンク構造を持つ半導
体チップの一部分を著しく拡大した平面図、第２図は第
１図の装置を第１図の線■−ｍで切った側面断面図、第
３図は第２図の装置でこの発明に従ってメーク・リンク
のプログラミングが行なわれた後の状態を示す側面断面
図、第４図はこの発明の別の実施例に従ってレーザ・ビ
ームでプログラムし得るメーク・リンク構造を持つ半導
体チップの一部分を著しく拡大した平面図、第５図は第
４図の装置を第４図の線■−■で切った側面断面図、第
６図はこの発明の更に別の実施例に従ってレーザ・ビー
ムでプログラムし得るメ−ク・リンク構造を持つ半導体
チップの一部分を著しく拡大した平面図、第７図は第６
図の装置を第６図の線■−■で切った側面断面図、第８
図はこの発明の更に別の実施例によるレーザ・ビームに
よってプログラムし得るメーク・リンク構造を持つ半導
体チップの一部分を著しく拡大した平面図、第９図は第
８図の装置を第８図の線Ｗ−Ｎで切った側面断面図、第
１０図はこの発明の更に別の実施例によるレーザ・ビー
ムによってプログラムし得るメーク・リンク構造を持つ
半導体チップの一部分を著しく拡大した平面図、第１１
図は第１０図の装置を第１０図の線Ｘ［−Ｘ［で切った
側面断面図である。主な符号の説明１０．１１３・・・基板１２．１３・・・導体ストリップ１４・・・導電パッド２０．２１，１１１，１１２，１１７，１２５・・・導
体層１５．１１５・・・酸化物コーティング１７．１ｔ
６．・・・レーザ・ビーム図面の浄占（内容に変更なし）Ｆｉｇ、２Ｒｇ、３ ■−一」。１〜Ｎ手続補正書（方式）昭和１０年／／月ユ／日

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体本体の面のプログラム可能なメーク・リン
ク区域に重なつていて、薄い絶縁体によつて互いに隔て
られた第１及び第２の導電層と、前記メーク・リンク区
域に隣接して前記第１及び第２の導電層に電気的に接続
される別々の第１及び第２の導電手段と、前記メーク・
リンク区域にレーザ・ビームを入射させる手段とを有し
、該区域は前記面上で前記第１及び第２の導電手段から
隔たつており、前記メーク・リンク区域は前記導電層の
間を短絡することによつて前記レーザ・ビームによつて
永久的に変更され、前記第１の導電層が前記半導体本体
の面をレーザ・ビームから遮蔽するレーザ・ビームでプ
ログラムし得る半導体装置。
（２）特許請求の範囲第１項に記載したレーザ・ビーム
でプログラムし得る半導体装置に於て、前記第１及び第
２の導電層が多結晶シリコンであるレーザ・ビームでプ
ログラムし得る半導体装置。
（３）特許請求の範囲第２項に記載したレーザ・ビーム
でプログラムし得る半導体装置に於て、前記薄い絶縁体
が酸化シリコンであるレーザ・ビームでプログラムし得
る半導体装置。
（４）特許請求の範囲第２項に記載したレーザ・ビーム
でプログラムし得る半導体装置に於て、前記第１の導電
層が前記面に沿つて伸びるストリップであり、前記第２
の導電層が前記メーク・リンク区域に開口を持つストリ
ップであるレーザ・ビームでプログラムし得る半導体装
置。
（５）特許請求の範囲第４項に記載したレーザ・ビーム
でプログラムし得る半導体装置に於て、前記メーク・リ
ンク区域が前記第２の導電層の中の小さな孔の中にある
レーザ・ビームでプログラムし得る半導体装置。
（６）特許請求の範囲第５項に記載したレーザ・ビーム
でプログラムし得る半導体装置に於て、前記メーク・リ
ンク区域の所で前記薄い絶縁体が前記レーザ・ビームに
よつて除去されるレーザ・ビームでプログラムし得る半
導体装置。
（７）半導体本体の面上に、絶縁体コーティングによつ
て互いに絶縁された第１及び第２の別々の導電層を形成
し、前記面のプログラミング区域を、前記導電層及び絶
縁体に入射するビームで照射する工程を含み、前記絶縁
体が該ビームによつて永久的に変更されて前記導電層の
間の導電通路を作る様にした半導体装置を作る方法。
（８）特許請求の範囲第７項に記載した方法に於て、前
記ビームがレーザ・ビームである方法。
（９）特許請求の範囲第７項に記載した方法に於て、前
記第１の層が前記本体をビームから遮蔽する方法。
（１０）特許請求の範囲第９項に記載した方法に於て、
前記第１及び第２の導電層が多結晶シリコンである方法
。
（１１）特許請求の範囲第１０項に記載した方法に於て
、前記絶縁体コーティングが２酸化シリコンであつて、
前記プログラミング区域で前記ビームによつて侵食され
てなくなる方法。
（１２）特許請求の範囲第１１項に記載した方法に於て
、前記プログラミング区域が前記面上の第２の導電層内
の孔の所にある方法。
（１３）半導体本体の面のプログラム可能なメーク・リ
ンク区域に重なつて、薄い絶縁体によつて互いに隔てら
れた第１及び第２の導電層と、前記メーク・リンク区域
の夫々の側で前記第１及び第２の導電層に電気的に接続
される別々の第１及び第２の導電手段と、前記メーク・
リンク区域にレーザ・ビームを入射させる手段とを有し
、該区域は前記面上で前記第１及び第２の導電手段から
隔たつており、前記メーク・リンク区域は前記絶縁体を
通して短絡することにより、レーザ・ビームによつて永
久的に変更されるレーザ・ビームでプログラムし得る半
導体装置。
（１４）特許請求の範囲第１３項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、前記第１及
び第２の導電層が金属であるレーザ・ビームでプログラ
ムし得る半導体装置。
（１５）特許請求の範囲第１４項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、前記導電手
段が金属であるレーザ・ビームでプログラムし得る半導
体装置。
（１６）特許請求の範囲第１５項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、一方の導電
手段が前記本体と反対の導電型の浅い領域内にあるレー
ザ・ビームでプログラムし得る半導体装置。
（１７）特許請求の範囲第１６項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、前記メーク
・リンク区域が前記面上の絶縁コーティング内の急峻な
壁を持つ小さな孔の中にあるレーザ・ビームでプログラ
ムし得る半導体装置。
（１８）特許請求の範囲第１７項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、前記薄い絶
縁体が多結晶シリコンであるレーザ・ビームでプログラ
ムし得る半導体装置。
（１９）特許請求の範囲第１８項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、前記多結晶
シリコンの真上の金属層が、前記レーザ・ビームが入射
した時、多結晶シリコンと反応して導電通路を作るレー
ザ・ビームでプログラムし得る半導体装置。
（２０）特許請求の範囲第１９項に記載したレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置に於て、前記レーザ
・ビームが入射する時、前記導電手段の間に電圧を印加
するレーザ・ビームでプログラムし得る半導体装置。
（２１）半導体本体の面に隣接して絶縁コーティングに
よつて互いに絶縁された別々の第１及び第２の導電層を
形成し、前記面のプログラミング区域を導電層及び絶縁
体に入射するレーザ・ビームで照射し、前記絶縁体は前
記レーザ・ビームによつて永久的に変更されて前記導電
層の間に導電通路を作る様にする工程を含むレーザ・ビ
ームでプログラムし得る半導体装置を作る方法。
（２２）特許請求の範囲第２１項に記載した方法に於て
、前記第１及び第２の導電層が前記区域から隔たつた前
記面上の導電ストリップを含んでいる方法。
（２３）特許請求の範囲第２２項に記載した方法に於て
、前記導電ストリップが金属である方法。
（２４）特許請求の範囲第２１項に記載した方法に於て
、前記本体内に前記第２の導電層として領域を形成する
工程を含み、前記レーザ・ビームが該領域を損傷しない
様にした方法。
（２５）特許請求の範囲第２４項に記載した方法に於て
、前記絶縁体コーティングが多結晶シリコンであつて、
前記レーザ・ビームによつて導電性にされる方法。
（２６）特許請求の範囲第２５項に記載した方法に於て
、前記多結晶シリコンが前記面上の絶縁コーティング内
の急峻な壁を持つ孔の中にある方法。
（２７）特許請求の範囲第２６項に記載した方法に於て
、前記多結晶シリコン及び前記領域の間に障壁層を形成
する工程を含む方法。
（２８）特許請求の範囲第２７項に記載した方法に於て
、前記障壁層が耐火金属である方法。