JPS6393132A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6393132A
JPS6393132A JP23971386A JP23971386A JPS6393132A JP S6393132 A JPS6393132 A JP S6393132A JP 23971386 A JP23971386 A JP 23971386A JP 23971386 A JP23971386 A JP 23971386A JP S6393132 A JPS6393132 A JP S6393132A
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JP
Japan
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wiring
short
semiconductor device
polysilicon
wirings
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JP23971386A
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Sadanobu Sato
佐藤　定信
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し特に高精度特性を得るための
半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の半導体装置は特性を合わせこむために短絡
する素子としてダイオード、トランジスタ抵抗を有して
いる。一般に第２図に示す様に必要に応じて素子（ここ
ではダイオードを用いている）両端に強電力を印加し素
子を破壊することで素子を短絡し抵抗値の微調整が可能
となり高精度特性を得ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置は、特性を合わせるために短
絡する素子を他の素子と同様に拡散して設けるためチッ
プが大きくなる。またその素子を短絡するためには強電
力を印加せねばならずこのエネルギーによる影響として
、半導体装置の特性の劣化、信頼度の低下がおこる可能
性などの欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置はチップ上層の導電体配線を利用し
導電体配線、薄膜の絶縁膜、導電体配線の三層からなる
コンデンサ構造を持った特性を合わせこむために短絡す
る為の素子を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図ａは本発明の一実施例の半導体装置の正面図であ
る。抵抗１の微調整を行うために抵抗１に数ケ所のコン
タクト部６を設は第１図ａに示す通り各コンタクト部６
にＡｔ配線２、ポリシリ配線３を施している。ここでＡ
ｔ配線２とポリシリ配線３の接する箇所の断面ｘ−ｘ’
図を第１図すに示す。Ａｔ配線２とポリシリ配線３との
間にポリシリ酸化膜４があり、Ａｔ配線２とポリシリ配
線３の重なった部分がコンデンサ構造を持った特性を合
わせるために短絡する為の素子となる。
このＡｔ配線２とポリシリ配線３との間に必要に応じて
電圧を印加してポリシリ酸化膜４を破壊しＡｔ配線２と
ポリシリ配線３を短絡させ抵抗１の抵抗値を微調整する
ことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、チップ上層の導電体配線
を利用した導電体配線、薄膜の絶縁膜、導電体配線の三
層からなるコンデンサ構造の特性を合わせこむために短
絡する素子とすることにより自在にこの素子をチップ面
積を大きくすることなく設けることができ、また薄膜の
絶縁膜の厚さをコントロールすることで短絡するために
この素子に印加する電圧もコントロールでき低エネルギ
ーで短絡することが可能となり半導体装置の特性、信頼
度に及ぼす影響も少なくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の正面図
、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）　Ｘ　−Ｘ’線の断面
図、第２図は従来の半導体装を片の正面図である。 １・・・・・・抵抗、２・・・・・・Ａｔ配線、３・・
・・・・ポリシリ配線、４・・・・・・ポリシリ酸化膜
、５・・・−・・ダイオード、６・・・・・・コンタク
ト部。 第　１　泗 ＜ａ＞ ＜ｂ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高精度特性を必要とする半導体装置において、特性を合
    わせるために短絡するための素子として導電体配線、薄
    膜の絶縁膜、導電体配線の三層からなる素子を有するこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP61239713A 1986-10-07 1986-10-07 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0821624B2 (ja)

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JPH0821624B2 JPH0821624B2 (ja) 1996-03-04

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04312949A (ja) * 1991-03-26 1992-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の調整方法
JP2009248506A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Toppan Cosmo Inc 化粧シート及び化粧材

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6193643A (ja) * 1984-07-18 1986-05-12 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド レ−ザ・ビ−ムでプログラムし得る半導体装置と半導体装置の製法
JPS61164248A (ja) * 1985-01-16 1986-07-24 Nec Corp 混成集積回路の抵抗調節方法
JPS62232957A (ja) * 1986-04-03 1987-10-13 Seiko Epson Corp 半導体装置

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