JPH0438862A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0438862A JPH0438862A JP14570690A JP14570690A JPH0438862A JP H0438862 A JPH0438862 A JP H0438862A JP 14570690 A JP14570690 A JP 14570690A JP 14570690 A JP14570690 A JP 14570690A JP H0438862 A JPH0438862 A JP H0438862A
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンデンサを有する半導体集積回路装置に関す
る。
る。
第３図（ａ）、（ｂ）に示す平面図、縦断面図を用いて
、従来のコンデンサを有する半導体集積回路装置につい
て説明する。第３図（ｂ）は、第３図（ａ）におけるＡ
−Ａ’の位置での縦断面図である。
、従来のコンデンサを有する半導体集積回路装置につい
て説明する。第３図（ｂ）は、第３図（ａ）におけるＡ
−Ａ’の位置での縦断面図である。
半導体基板３１内にコンデンサの一方の電極として高濃
度不純物拡散領域３２が形成され、シリコン酸化膜３６
が半導体基板３１表面に形成され、高濃度不純物拡散領
域３２上のシリコン酸化１１９３６に第１．第２の開口
部が設けられ、高濃度不純物拡散領域３２上にそれをほ
ぼ覆う形状で第１の開口部を介して誘電体膜としてのシ
リコン窒化ｌ１１３３が形成され、さらにその上にコン
デンサの他方の電極として第１のアルミ電極３４が形成
されている。高濃度不純物拡散領域３２は、第２の開口
部を介して第２のアルミ電極３５とオーミック接触して
いる。
度不純物拡散領域３２が形成され、シリコン酸化膜３６
が半導体基板３１表面に形成され、高濃度不純物拡散領
域３２上のシリコン酸化１１９３６に第１．第２の開口
部が設けられ、高濃度不純物拡散領域３２上にそれをほ
ぼ覆う形状で第１の開口部を介して誘電体膜としてのシ
リコン窒化ｌ１１３３が形成され、さらにその上にコン
デンサの他方の電極として第１のアルミ電極３４が形成
されている。高濃度不純物拡散領域３２は、第２の開口
部を介して第２のアルミ電極３５とオーミック接触して
いる。
実用化されたコンデンサでは、シリコン望化膜の膜厚と
しては３０〜１１００ｎのものが使用され、この膜厚は
要求耐圧、要求単位容量に応じて設定されている。
しては３０〜１１００ｎのものが使用され、この膜厚は
要求耐圧、要求単位容量に応じて設定されている。
上述した従来の半導体集積回路装置では、コンデンサを
形成するシリコン窒化膜３３のほぼ全面を１つの電極で
あるところの第１のアルミ電極３４が覆っているため、
シリコン窒化膜３３内に１ｆｌｌ所でも欠陥が存在すれ
ば、第１のアルミ電極３４と第２のアルミｉＥ＆３５と
の間に電圧が印加された場合、その欠陥部分において絶
縁破壊を生じ、コンデンサの電極間が短絡状態となり、
コンデンサの機能が全く失なわれてしまうという問題が
あった。
形成するシリコン窒化膜３３のほぼ全面を１つの電極で
あるところの第１のアルミ電極３４が覆っているため、
シリコン窒化膜３３内に１ｆｌｌ所でも欠陥が存在すれ
ば、第１のアルミ電極３４と第２のアルミｉＥ＆３５と
の間に電圧が印加された場合、その欠陥部分において絶
縁破壊を生じ、コンデンサの電極間が短絡状態となり、
コンデンサの機能が全く失なわれてしまうという問題が
あった。
本発明の半導体集積回路装置は、
誘電体膜の両面が！極により覆われた構造のコンデンサ
を有する半導体集積回路装置において、誘電体膜を覆う
！極の少なくとも一方の電極が、分割された複数個の部
分電極からなる構造を有し、 分割された複数個の部分電極は、多結晶シリコン配線を
介して同一の金属配線に接続される構造を有している。
を有する半導体集積回路装置において、誘電体膜を覆う
！極の少なくとも一方の電極が、分割された複数個の部
分電極からなる構造を有し、 分割された複数個の部分電極は、多結晶シリコン配線を
介して同一の金属配線に接続される構造を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための平面図、縦断面図である。第１図（ｂ）は、第
１図（ａ）におけるＡ−Ａ’の位置での縦断面図である
。
るための平面図、縦断面図である。第１図（ｂ）は、第
１図（ａ）におけるＡ−Ａ’の位置での縦断面図である
。
半導体基板１１内にコンデンサの一方の電極として高濃
度不純物拡散領域１２が形成され、シリコン酸化膜１６
が半導体基板１１表面に形成され、高濃度不純物拡散領
域１２上のシリコン酸化膜１６に第１．第２の開口部が
設けられ、高濃度不純物拡散領域１２上にそれをほぼ覆
う形状で第１の開口部を介して誘電体膜としてのシリコ
ン９化膜１３が形成され、さらにその上にコンデンサの
他方のｔ′ＩＩｉとして複数個に分割された部分電極で
あるところの第１のアルミ電極１４が形成されている。
度不純物拡散領域１２が形成され、シリコン酸化膜１６
が半導体基板１１表面に形成され、高濃度不純物拡散領
域１２上のシリコン酸化膜１６に第１．第２の開口部が
設けられ、高濃度不純物拡散領域１２上にそれをほぼ覆
う形状で第１の開口部を介して誘電体膜としてのシリコ
ン９化膜１３が形成され、さらにその上にコンデンサの
他方のｔ′ＩＩｉとして複数個に分割された部分電極で
あるところの第１のアルミ電極１４が形成されている。
この他方の電極は、本実施例では６個の部分電極に分割
されている。全ての第１のアルミ電極１４は、多結晶シ
リコン配線１８を介して第３のアルミｔｉ１７に接続さ
れている。高濃度不純物拡散領域１２は、第２の開口部
を介して第２のアルミ電極１５とオーミック接触してい
る。
されている。全ての第１のアルミ電極１４は、多結晶シ
リコン配線１８を介して第３のアルミｔｉ１７に接続さ
れている。高濃度不純物拡散領域１２は、第２の開口部
を介して第２のアルミ電極１５とオーミック接触してい
る。
シリコン窒化膜１３中に欠陥があった場合に第２のアル
ミ電極１５と第３のアルミ電極１７との間に電圧印加し
たとき、欠陥部分を覆う第１のアルミ電極１４のみが高
濃度不純物拡散領域１２と短絡し、短絡電流によりその
第１のアルミを極１４に接続された多結晶シリコン配線
１８のみが溶断する。その結果、コンデンサの静電容量
は減少するが、短絡不良とはならない、従って、回路動
作上は、容量減少のため動作点が変動するが、完全な動
作不良状態には到らない。
ミ電極１５と第３のアルミ電極１７との間に電圧印加し
たとき、欠陥部分を覆う第１のアルミ電極１４のみが高
濃度不純物拡散領域１２と短絡し、短絡電流によりその
第１のアルミを極１４に接続された多結晶シリコン配線
１８のみが溶断する。その結果、コンデンサの静電容量
は減少するが、短絡不良とはならない、従って、回路動
作上は、容量減少のため動作点が変動するが、完全な動
作不良状態には到らない。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための平面図、＃Ｉ！断面図である。第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）におけるＡ−Ａ’の位置での縦断面図で
ある。
るための平面図、＃Ｉ！断面図である。第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）におけるＡ−Ａ’の位置での縦断面図で
ある。
半導体基板２１内にコンデンサの一方のｔ掻として高濃
度不純物拡散領域２２が形成され、シリコン酸化１！！
２６が半導体基板２１表面に形成され、高濃度不純物拡
散領域２２上のシリコン酸化膜２６に第１．第２の開口
部が設けられ、高濃度不純物拡散領域２２上にそれをほ
ぼ覆う形状で第１の開口部を介して誘電体膜としてのシ
リコン窒化膜２３が形成され、さらにその上にコンデン
サの他方の電極として複数個に分割された部分電極であ
るところの第１のアルミ電８ｉｉ２４が形成されている
。この他方の！極は、本実施例では９個の部分電極に分
割されている。高濃度不純物拡散領域２２は、第２の開
口部を介して第２のアルミ電極２５とオーミック接触し
ている。
度不純物拡散領域２２が形成され、シリコン酸化１！！
２６が半導体基板２１表面に形成され、高濃度不純物拡
散領域２２上のシリコン酸化膜２６に第１．第２の開口
部が設けられ、高濃度不純物拡散領域２２上にそれをほ
ぼ覆う形状で第１の開口部を介して誘電体膜としてのシ
リコン窒化膜２３が形成され、さらにその上にコンデン
サの他方の電極として複数個に分割された部分電極であ
るところの第１のアルミ電８ｉｉ２４が形成されている
。この他方の！極は、本実施例では９個の部分電極に分
割されている。高濃度不純物拡散領域２２は、第２の開
口部を介して第２のアルミ電極２５とオーミック接触し
ている。
シリコン窒化膜２３．第１のアルミ電極２４第２のアル
ミ電極２５．およびシリコン酸化膜２６を覆って層間絶
縁膜２９が形成され、各々の第１のアルミｗ：、極２４
上の眉間絶縁膜２つにはスルーホール３０が設けられて
いる。スルーホール３０を介して各々の第１のアルミ電
極２４に接続するそれぞれ分離した９個の多結晶シリコ
ン配線２８が設けられ、全ての第１のアルミｔ＆２４は
それぞれの多結晶シリコン配線２８を介して第３のアル
ミ電極２７に接続されている。
ミ電極２５．およびシリコン酸化膜２６を覆って層間絶
縁膜２９が形成され、各々の第１のアルミｗ：、極２４
上の眉間絶縁膜２つにはスルーホール３０が設けられて
いる。スルーホール３０を介して各々の第１のアルミ電
極２４に接続するそれぞれ分離した９個の多結晶シリコ
ン配線２８が設けられ、全ての第１のアルミｔ＆２４は
それぞれの多結晶シリコン配線２８を介して第３のアル
ミ電極２７に接続されている。
本実施例を用いた場合の動作は、第１の実施例と同じで
あるが、１個のシリコン窒化膜２３の欠陥に対する静電
容量の減少分は、第１の実施例より低減できる。
あるが、１個のシリコン窒化膜２３の欠陥に対する静電
容量の減少分は、第１の実施例より低減できる。
なお、第１．第２の実施例に用いた多結晶シリコン配線
の抵抗値は、各アルミ電極の抵抗値に比して十分大きく
設定する必要があることから、各々の多結晶シリコン配
線を形成する多結晶シリコン膜の膜厚は、十分薄く形成
することが必要である。
の抵抗値は、各アルミ電極の抵抗値に比して十分大きく
設定する必要があることから、各々の多結晶シリコン配
線を形成する多結晶シリコン膜の膜厚は、十分薄く形成
することが必要である。
以上説明したように本発明は、コンデンサを有する半導
体集積回路装置において、コンデンサの電極の少なくと
も一方の電極を部分電極により構成することにより、コ
ンデンサの誘電体膜中の欠陥による短絡故障を防いで静
電容量の減少にとどめるという効果を有する。
体集積回路装置において、コンデンサの電極の少なくと
も一方の電極を部分電極により構成することにより、コ
ンデンサの誘電体膜中の欠陥による短絡故障を防いで静
電容量の減少にとどめるという効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための平面図、縦断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本
発明の第２の実ｍ例を説明するための平面図、縦断面図
、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体集積回路装置を
説明するための平面図、縦断面図である。 １１．２１．３１・・・半導体基板、 １２．２２．３２・・・高濃度不純物拡散層、１３．２
３．３３・・・シリコン窒化膜、１４．２４．３４・・
・第１のアルミ電極、１５．２５．３５・・・第２のア
ルミ電極、１６．２６．３６・・・シリコン酸化膜、１
７．２７・・・第３のアルミ電極、 １８．２８・・・多結晶シリコン配線、２９・・・層間
絶縁膜、 ３０・・・スルーホール。
るための平面図、縦断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本
発明の第２の実ｍ例を説明するための平面図、縦断面図
、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体集積回路装置を
説明するための平面図、縦断面図である。 １１．２１．３１・・・半導体基板、 １２．２２．３２・・・高濃度不純物拡散層、１３．２
３．３３・・・シリコン窒化膜、１４．２４．３４・・
・第１のアルミ電極、１５．２５．３５・・・第２のア
ルミ電極、１６．２６．３６・・・シリコン酸化膜、１
７．２７・・・第３のアルミ電極、 １８．２８・・・多結晶シリコン配線、２９・・・層間
絶縁膜、 ３０・・・スルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 誘電体膜の両面が電極により覆われた構造のコンデン
サを有する半導体集積回路装置において、前記誘電体膜
を覆う前記電極の少なくとも一方の電極が、分割された
複数個の部分電極からなる構造を有し、 前記分割された複数個の部分電極は、多結晶シリコン配
線を介して同一の金属配線に接続される構造を有するこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14570690A JPH0438862A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14570690A JPH0438862A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438862A true JPH0438862A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15391238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14570690A Pending JPH0438862A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438862A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04177762A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
| EP0603101A1 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-22 | International Business Machines Corporation | A self protective decoupling capacitor structure |
| US5596207A (en) * | 1994-04-08 | 1997-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting defects in insulative layers of MOS active devices |
| US5892266A (en) * | 1996-05-30 | 1999-04-06 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Layout structure of capacitive element(s) and interconnections in a semiconductor |
| EP1416536A2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Eliminating defective decoupling capacitors |
| JP2013186980A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2013254776A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016171337A (ja) * | 2016-05-19 | 2016-09-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP14570690A patent/JPH0438862A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04177762A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
| EP0603101A1 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-22 | International Business Machines Corporation | A self protective decoupling capacitor structure |
| US5596207A (en) * | 1994-04-08 | 1997-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting defects in insulative layers of MOS active devices |
| US5892266A (en) * | 1996-05-30 | 1999-04-06 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Layout structure of capacitive element(s) and interconnections in a semiconductor |
| EP1416536A2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Eliminating defective decoupling capacitors |
| EP1416536A3 (en) * | 2002-11-04 | 2009-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Eliminating defective decoupling capacitors |
| JP2013186980A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2013254776A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016171337A (ja) * | 2016-05-19 | 2016-09-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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