JPH0897339A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0897339A JPH0897339A JP22626294A JP22626294A JPH0897339A JP H0897339 A JPH0897339 A JP H0897339A JP 22626294 A JP22626294 A JP 22626294A JP 22626294 A JP22626294 A JP 22626294A JP H0897339 A JPH0897339 A JP H0897339A
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- Japan
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- semiconductor integrated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングパット１から形成される導電性
膜の配線２と、この配線と材質の異なる導電性膜の配線
３とのコンタクト部４の近傍において、電流集中が発生
しにくい半導体集積回路装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体基板５の上には、絶縁層６が形成され
る。その上には、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）から
なる導電性膜の配線３が形成されており、さらにその上
には、絶縁層７が形成されている。絶縁層７の上には、
アルミニウム（Ａｌ）からなるボンディングパット１が
形成されており、そこから配線２が形成されている。
このとき配線２と配線３とのコンタクト部４において、
配線３の接続部分の形状は、他の部分の配線幅（ｄ１）
の数倍〜数十倍程度の幅（ｄ２）に太く形成されている
と共に、テ−パ−状に徐々に他の部分の配線幅（ｄ１）
になるように形成されている。
膜の配線２と、この配線と材質の異なる導電性膜の配線
３とのコンタクト部４の近傍において、電流集中が発生
しにくい半導体集積回路装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体基板５の上には、絶縁層６が形成され
る。その上には、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）から
なる導電性膜の配線３が形成されており、さらにその上
には、絶縁層７が形成されている。絶縁層７の上には、
アルミニウム（Ａｌ）からなるボンディングパット１が
形成されており、そこから配線２が形成されている。
このとき配線２と配線３とのコンタクト部４において、
配線３の接続部分の形状は、他の部分の配線幅（ｄ１）
の数倍〜数十倍程度の幅（ｄ２）に太く形成されている
と共に、テ−パ−状に徐々に他の部分の配線幅（ｄ１）
になるように形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
おける、異なる導電性膜の接続部分の形状に関するもの
である。
おける、異なる導電性膜の接続部分の形状に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、図６に示すように、ボンディング
パット１を備える導電性膜の配線２と、この配線２と異
なる材質からなる導電性膜の配線３とを接続するコンタ
クト部４において、配線３の接続部分３ａの形状は、他
の部分３ｂの配線幅（ｄ１）と同幅になっている。
パット１を備える導電性膜の配線２と、この配線２と異
なる材質からなる導電性膜の配線３とを接続するコンタ
クト部４において、配線３の接続部分３ａの形状は、他
の部分３ｂの配線幅（ｄ１）と同幅になっている。
【０００３】この形状において、ボンディングパット１
から電流が供給され、配線３側に電流が流れる。
から電流が供給され、配線３側に電流が流れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
接続部分３ａの形状では、静電気等によって発生する大
電流によって、コンタクト部４の近傍の導電性膜の配線
３において、電流集中が発生し、損傷する問題があり、
信頼性を低下させていた。そこで本発明では、コンタク
ト部において電流集中が発生しにくい半導体集積回路装
置を提供することを目的とする。
接続部分３ａの形状では、静電気等によって発生する大
電流によって、コンタクト部４の近傍の導電性膜の配線
３において、電流集中が発生し、損傷する問題があり、
信頼性を低下させていた。そこで本発明では、コンタク
ト部において電流集中が発生しにくい半導体集積回路装
置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の請求項１では、半導体基板上に絶縁層を介
して形成され、第一の導伝性材料から成る第一の配線
と、前記半導体基板上に前記絶縁層を介して形成され、
第二の導伝性材料から成る第二の配線とを備え、前記第
二の配線は、前記第一の配線との接続部を介して電気的
に接続されると共に、前記接続部に近づく程、幅広に形
成されたことを要旨としている。
め、本発明の請求項１では、半導体基板上に絶縁層を介
して形成され、第一の導伝性材料から成る第一の配線
と、前記半導体基板上に前記絶縁層を介して形成され、
第二の導伝性材料から成る第二の配線とを備え、前記第
二の配線は、前記第一の配線との接続部を介して電気的
に接続されると共に、前記接続部に近づく程、幅広に形
成されたことを要旨としている。
【０００６】又、請求項２では、前記半導体基板上に形
成された前記絶縁層上に、半導体素子を形成する半導体
集積回路装置において、前記絶縁層上に前記第一の配線
と前記第二の配線とを備えることを要旨としている。
又、請求項３では、前記第二の配線は、前記接続部側の
第一の部分とこの接続部と反対側の第二の部分とから成
り、前記第一の部分は、前記第二の部分よりも広く形成
されていると共に、前記第二の部分に向けて、テーパー
状に形成されていることを要旨としている。
成された前記絶縁層上に、半導体素子を形成する半導体
集積回路装置において、前記絶縁層上に前記第一の配線
と前記第二の配線とを備えることを要旨としている。
又、請求項３では、前記第二の配線は、前記接続部側の
第一の部分とこの接続部と反対側の第二の部分とから成
り、前記第一の部分は、前記第二の部分よりも広く形成
されていると共に、前記第二の部分に向けて、テーパー
状に形成されていることを要旨としている。
【０００７】
【作用及び効果】本発明の構成により、請求項１記載の
第一の配線より電流が流れた際に、第二の配線が接続部
に近づく程、幅広に形成されている為、第二の配線の接
続部近傍において、電流密度が低下し、電流集中が発生
しにくくなる。又、請求項２記載の半導体集積回路装置
のように、半導体基板上の絶縁層の上に半導体層を形成
して、その半導体層中に半導体素子を形成するＳＯＩ構
造においても、第一の配線より電流が流れた際に、第二
の配線が接続部に近づく程、幅広となっている為、第二
の配線の接続部近傍において、電流密度が低下し、電流
集中が発生しにくくなる。
第一の配線より電流が流れた際に、第二の配線が接続部
に近づく程、幅広に形成されている為、第二の配線の接
続部近傍において、電流密度が低下し、電流集中が発生
しにくくなる。又、請求項２記載の半導体集積回路装置
のように、半導体基板上の絶縁層の上に半導体層を形成
して、その半導体層中に半導体素子を形成するＳＯＩ構
造においても、第一の配線より電流が流れた際に、第二
の配線が接続部に近づく程、幅広となっている為、第二
の配線の接続部近傍において、電流密度が低下し、電流
集中が発生しにくくなる。
【０００８】又、請求項３では、第二の配線は、前記接
続部側の第一の部分とこの接続部と反対側の第二の部分
とから成り、前記第一の部分は、前記第二の部分よりも
広く形成されていると共に、前記第二の部分に向けて、
テーパー状に形成されている半導体集積回路装置におい
ても、第一の配線より電流が流れた際に、第二の配線が
接続部に近づく程、幅広となっている為、第二の配線の
接続部近傍において、電流密度が低下し、電流集中が発
生しにくくなる。
続部側の第一の部分とこの接続部と反対側の第二の部分
とから成り、前記第一の部分は、前記第二の部分よりも
広く形成されていると共に、前記第二の部分に向けて、
テーパー状に形成されている半導体集積回路装置におい
ても、第一の配線より電流が流れた際に、第二の配線が
接続部に近づく程、幅広となっている為、第二の配線の
接続部近傍において、電流密度が低下し、電流集中が発
生しにくくなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面に基づ
き説明する。図１は本発明の一実施例を示す半導体集積
回路装置の異なる導電性膜の接続部分の形状の要部平面
図である。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。
き説明する。図１は本発明の一実施例を示す半導体集積
回路装置の異なる導電性膜の接続部分の形状の要部平面
図である。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。
【００１０】図２に示すように、半導体基板５は例えば
Ｐ型のシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その上には、
例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる絶縁層６が形
成される。その上には、例えばポリシリコン（Ｐｏｌｙ
−Ｓｉ）からなる導電性膜の配線（又は抵抗）３が形成
されており、さらにその上には、例えば二酸化ケイ素
（ＳｉＯ２）等からなる絶縁層７が形成されている。
又、半導体基板上５において、絶縁層６及び、配線３が
形成されていない部分にも絶縁層７が形成されている。
そして、絶縁層７の上には、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）からなるボンディングパット１が形成されており、
このボンディングパット１に接続された配線２が同様に
絶縁層７上に形成されている。この配線２と前記配線
（又は抵抗）３はコンタクト部４を通じて電気的に接続
されている。さらに、配線２及び配線３上には、保護膜
８が形成されている。この保護膜８の一部には、ワイヤ
ボンド時にボンディングパット１にワイヤを接続するた
めの孔８ａが形成されており、これにより、ボンディン
グパット１には露出部１ａが形成されている。
Ｐ型のシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その上には、
例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる絶縁層６が形
成される。その上には、例えばポリシリコン（Ｐｏｌｙ
−Ｓｉ）からなる導電性膜の配線（又は抵抗）３が形成
されており、さらにその上には、例えば二酸化ケイ素
（ＳｉＯ２）等からなる絶縁層７が形成されている。
又、半導体基板上５において、絶縁層６及び、配線３が
形成されていない部分にも絶縁層７が形成されている。
そして、絶縁層７の上には、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）からなるボンディングパット１が形成されており、
このボンディングパット１に接続された配線２が同様に
絶縁層７上に形成されている。この配線２と前記配線
（又は抵抗）３はコンタクト部４を通じて電気的に接続
されている。さらに、配線２及び配線３上には、保護膜
８が形成されている。この保護膜８の一部には、ワイヤ
ボンド時にボンディングパット１にワイヤを接続するた
めの孔８ａが形成されており、これにより、ボンディン
グパット１には露出部１ａが形成されている。
【００１１】なお、図４に示すように、半導体基板５の
外周にボンディングパット１が設けてある。また、図５
に、図４のＡ部における機能を説明する概略回路図を示
す。この図５に示すように、半導体基板の外側からボン
ディングパット１、配線３、保護ダイオード、内部回路
９の順に直列に接続されている。
外周にボンディングパット１が設けてある。また、図５
に、図４のＡ部における機能を説明する概略回路図を示
す。この図５に示すように、半導体基板の外側からボン
ディングパット１、配線３、保護ダイオード、内部回路
９の順に直列に接続されている。
【００１２】なお、図５中のボンディングパット１と配
線３の接続部の形状を表しているが図１である。上記構
成における配線２と配線３とのコンタクト部４におい
て、配線３の接続部分近傍の形状は、図１に示すよう
に、他の部分の配線幅（ｄ１）の数倍〜数十倍程度の幅
（ｄ２）に広く形成されていると共に、配線幅がｄ１か
らｄ２に変化する接続部分の外角αが鈍角になるよう
に、テ−パ−状に徐々に他の部分の配線幅（ｄ１）にな
るように形成されている。
線３の接続部の形状を表しているが図１である。上記構
成における配線２と配線３とのコンタクト部４におい
て、配線３の接続部分近傍の形状は、図１に示すよう
に、他の部分の配線幅（ｄ１）の数倍〜数十倍程度の幅
（ｄ２）に広く形成されていると共に、配線幅がｄ１か
らｄ２に変化する接続部分の外角αが鈍角になるよう
に、テ−パ−状に徐々に他の部分の配線幅（ｄ１）にな
るように形成されている。
【００１３】これにより、コンタクト部４近傍において
電流集中が発生しにくくなり、半導体集積装置の信頼性
を向上させることができる。次に本発明の他の実施例に
ついて説明する。図３は、本発明の他の実施例を示すも
ので、ＳＯＩ構造を有する半導体集積回路装置の要部断
面図である。
電流集中が発生しにくくなり、半導体集積装置の信頼性
を向上させることができる。次に本発明の他の実施例に
ついて説明する。図３は、本発明の他の実施例を示すも
ので、ＳＯＩ構造を有する半導体集積回路装置の要部断
面図である。
【００１４】図３に示すように半導体基板１５上に形成
された絶縁層１９上に、配線１２と配線１３が形成され
ている。この図３の半導体集積回路装置においても、配
線１２と配線１３とのコンタクト部１４において、配線
１３の接続部分近傍の形状は、図１に示すように、他の
部分の配線幅（ｄ１）の数倍〜数十倍程度の幅（ｄ２）
に太く形成されていると共に、配線幅がｄ１からｄ２に
変化する接続部分の外角αが鈍角になるように、テ−パ
−状に徐々に他の部分の配線幅（ｄ１）になるように形
成されている。
された絶縁層１９上に、配線１２と配線１３が形成され
ている。この図３の半導体集積回路装置においても、配
線１２と配線１３とのコンタクト部１４において、配線
１３の接続部分近傍の形状は、図１に示すように、他の
部分の配線幅（ｄ１）の数倍〜数十倍程度の幅（ｄ２）
に太く形成されていると共に、配線幅がｄ１からｄ２に
変化する接続部分の外角αが鈍角になるように、テ−パ
−状に徐々に他の部分の配線幅（ｄ１）になるように形
成されている。
【００１５】これにより、コンタクト部１４近傍におい
て電流集中が発生しにくくなり、半導体集積装置の信頼
性を向上させることができる。なお、半導体基板１５及
び、絶縁層１９の他の場所には、同一の半導体基板及び
絶縁層を利用して、その上に半導体層を形成し、この半
導体層にトランジスタ素子等（図面省略）を形成してあ
る。
て電流集中が発生しにくくなり、半導体集積装置の信頼
性を向上させることができる。なお、半導体基板１５及
び、絶縁層１９の他の場所には、同一の半導体基板及び
絶縁層を利用して、その上に半導体層を形成し、この半
導体層にトランジスタ素子等（図面省略）を形成してあ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
異なる導電性膜の接続部分の形状の要部平面図である。
異なる導電性膜の接続部分の形状の要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるＳＯＩ構造を有する半
導体集積回路装置の要部断面図である。
導体集積回路装置の要部断面図である。
【図４】本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
要部平面図である。
要部平面図である。
【図５】図４のＡ部の概略回路図である。
【図６】従来の半導体集積回路装置の異なる導電性膜の
接続部分の形状の要部平面図である。
接続部分の形状の要部平面図である。
１ ボンディングパット（導電性膜） １ａ 露出部 ２ 配線（導電性膜） ３ 配線（又は抵抗）（導電性膜） ４ コンタクト部 ５ 半導体基板 ６ 絶縁層 ７ 絶縁層 ８ 保護膜 ９ 保護ダイオード、内部回路 １１ ボンディングパット（導電性膜） １１ａ 露出部 １２ 配線（導電性膜） １３ 配線（又は抵抗）（導電性膜） １４ コンタクト部 １５ 半導体基板 １６ 絶縁層 １７ 絶縁層 １８ 保護膜 １９ 絶縁層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁層を介して形成さ
れ、第一の導伝性材料から成る第一の配線と、 前記半導体基板上に前記絶縁層を介して形成され、第二
の導伝性材料から成る第二の配線とを備え、 前記第二の配線は、前記第一の配線との接続部を介して
電気的に接続されると共に、前記接続部に近づく程、幅
広に形成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】前記半導体基板上に形成された前記絶縁層
上に半導体素子を形成する半導体集積回路装置におい
て、 前記絶縁層上に、前記第一の配線と前記第二の配線とを
備えることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路
装置。 - 【請求項３】 前記第二の配線は、前記接続部側の第一
の部分とこの接続部と反対側の第二の部分とから成り、
前記第一の部分は、前記第二の部分よりも広く形成され
ていると共に、前記第二の部分に向けて、テーパー状に
形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22626294A JPH0897339A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22626294A JPH0897339A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897339A true JPH0897339A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16842450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22626294A Withdrawn JPH0897339A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897339A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012033837A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US8421233B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
| US9093432B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2019062243A (ja) * | 2019-01-28 | 2019-04-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体チップ |
| US10923437B2 (en) | 2014-04-14 | 2021-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP22626294A patent/JPH0897339A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8421233B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
| JP2012033837A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US9093432B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10923437B2 (en) | 2014-04-14 | 2021-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11482498B2 (en) | 2014-04-14 | 2022-10-25 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11810869B2 (en) | 2014-04-14 | 2023-11-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2019062243A (ja) * | 2019-01-28 | 2019-04-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体チップ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |