JPS63260149A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63260149A JPS63260149A JP9440787A JP9440787A JPS63260149A JP S63260149 A JPS63260149 A JP S63260149A JP 9440787 A JP9440787 A JP 9440787A JP 9440787 A JP9440787 A JP 9440787A JP S63260149 A JPS63260149 A JP S63260149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- semiconductor substrate
- film
- insulating film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はヒユーズを内蔵した半導体装置に関し、特にヒ
ーーズ部分下の、領域に関する。
ーーズ部分下の、領域に関する。
従来、この種の半導体装置は、ヒユーズ部分下に半導体
基板と反対の導電型を有する拡散層がない。
基板と反対の導電型を有する拡散層がない。
第３図、第４図に示すように、アルミニウムｌとヒユー
ズ２とが、コンタクト９を介して接続され、とニーズ２
Ｆｉ半導体基板６上のフィールド絶縁膜８上に形成され
、周囲に層間絶縁膜３、窓５を有するパシベーシ箇ン膜
４が形成される。
ズ２とが、コンタクト９を介して接続され、とニーズ２
Ｆｉ半導体基板６上のフィールド絶縁膜８上に形成され
、周囲に層間絶縁膜３、窓５を有するパシベーシ箇ン膜
４が形成される。
前述した従来のヒユーズでは、半導体基板と導電型の異
なる拡散層がないので、とニーズを溶断する時、それに
より発生する熱ストレスにより、フィールド絶縁膜が破
壊されてしまい、半導体基板と短絡してしまうという欠
点がある。
なる拡散層がないので、とニーズを溶断する時、それに
より発生する熱ストレスにより、フィールド絶縁膜が破
壊されてしまい、半導体基板と短絡してしまうという欠
点がある。
本発明の目的は、溶断の際、フィールド絶縁膜が破壊し
て本半導体基板と短絡せず、信頼度及び歩留りの高いヒ
ユーズを実現した半導体装置を提供することにある。
て本半導体基板と短絡せず、信頼度及び歩留りの高いヒ
ユーズを実現した半導体装置を提供することにある。
本発明の構成は、多結晶シリコン配線を過大電流で溶断
するヒユーズを有する半導体装置において、前記ヒユー
ズをフィールド絶縁膜上に形成し、前記ヒユーズ下に、
半導体基板と反対の導電型でかつフローティング電位を
有する拡散層を形成し九ことをｆＦ徴とする。
するヒユーズを有する半導体装置において、前記ヒユー
ズをフィールド絶縁膜上に形成し、前記ヒユーズ下に、
半導体基板と反対の導電型でかつフローティング電位を
有する拡散層を形成し九ことをｆＦ徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。
図は第１図のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。
これら図において、本実施例の半導体装置は、アルミニ
ウム配線１と、ヒ為−ズ２とが、多結晶シリコンで、幅
Ｆｉ２〜３μｍ程度である。さらに、熱の放散を防ぐた
め、とニーズ２上の眉間絶縁膜３、及びパシペーシロン
膜４と、これを一部除く窓５と、フィールド絶縁膜８と
を設けである。以上は従来のものと同様であるが、さら
に半導体基板６と導電型の異なる拡散層７（例えばＮ型
基板の場合＃：ｔＰウェル）を設ける。
ウム配線１と、ヒ為−ズ２とが、多結晶シリコンで、幅
Ｆｉ２〜３μｍ程度である。さらに、熱の放散を防ぐた
め、とニーズ２上の眉間絶縁膜３、及びパシペーシロン
膜４と、これを一部除く窓５と、フィールド絶縁膜８と
を設けである。以上は従来のものと同様であるが、さら
に半導体基板６と導電型の異なる拡散層７（例えばＮ型
基板の場合＃：ｔＰウェル）を設ける。
このことにより、ヒユーズ２の溶断時の熱的ストレスに
より、フィールド絶縁膜８が破壊しても、半導体基板６
との短絡の心配はなく、溶断の際は、溶断電流密度が小
さいため、容易に切断が可能である。
より、フィールド絶縁膜８が破壊しても、半導体基板６
との短絡の心配はなく、溶断の際は、溶断電流密度が小
さいため、容易に切断が可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ヒユーズ下に半導体基
板と反対の導電型の拡散層を形成することにより、溶断
時の熱的ストレスによるフィールド酸化膜の破壊による
半導体基板との短絡を防止するという効果かある。
板と反対の導電型の拡散層を形成することにより、溶断
時の熱的ストレスによるフィールド酸化膜の破壊による
半導体基板との短絡を防止するという効果かある。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置を示す平面図、
第２図は槙１図のＡ−Ａ’線に沿って切断して見た断面
図、第３図は従来の多結晶シリコン・ヒユーズの平面図
、第４図は第３図のＢ−Ｂ’線に沿って切断して見た断
面図である。 １・・・・・・アルミニウム、２・・・・・・多結晶シ
リコン、３・・・・・・Ｍ間絶縁ｍ、４・・・・・・パ
シベーシ四ン膜、５・・・・・・パシベーシ１ン膜及層
間絶縁膜除去用窓、６・・・・・・半導体基板、７・・
・・・・半導体基板と反対の導電型でかつフローティン
グ電位を有する拡散層、８・・・・−・フィールド絶縁
膜、９・・・・・・コンタクト。
第２図は槙１図のＡ−Ａ’線に沿って切断して見た断面
図、第３図は従来の多結晶シリコン・ヒユーズの平面図
、第４図は第３図のＢ−Ｂ’線に沿って切断して見た断
面図である。 １・・・・・・アルミニウム、２・・・・・・多結晶シ
リコン、３・・・・・・Ｍ間絶縁ｍ、４・・・・・・パ
シベーシ四ン膜、５・・・・・・パシベーシ１ン膜及層
間絶縁膜除去用窓、６・・・・・・半導体基板、７・・
・・・・半導体基板と反対の導電型でかつフローティン
グ電位を有する拡散層、８・・・・−・フィールド絶縁
膜、９・・・・・・コンタクト。
Claims (1)
- 多結晶シリコン配線を過大電流で溶断するヒューズを有
する半導体装置において、前記ヒューズをフィールド絶
縁膜上に形成し、前記ヒューズ下に、半導体基板と反対
の導電型でかつフローティング電位を有する拡散層を形
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9440787A JPS63260149A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9440787A JPS63260149A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260149A true JPS63260149A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14109384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9440787A Pending JPS63260149A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63260149A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997001188A1 (de) * | 1995-06-23 | 1997-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiteranordnung mit einem fuse-link und darunter angeordneter wanne |
| JP2007273940A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-10-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および電気ヒューズの抵抗値の増加方法 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9440787A patent/JPS63260149A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997001188A1 (de) * | 1995-06-23 | 1997-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiteranordnung mit einem fuse-link und darunter angeordneter wanne |
| JP2007273940A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-10-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および電気ヒューズの抵抗値の増加方法 |
| US10923419B2 (en) | 2006-03-07 | 2021-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of increasing a resistance value of an electric fuse |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4628590A (en) | Method of manufacture of a semiconductor device | |
| JP2695548B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0146284B1 (ko) | 반도체 기판상의 가용성 링크 제조방법 | |
| TW523873B (en) | Semiconductor device provided with fuse and method of disconnecting fuse | |
| JPS63260149A (ja) | 半導体装置 | |
| US3539880A (en) | Mis-fet permanent repair physical device | |
| JPH0789567B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0541481A (ja) | 半導体集積回路 | |
| CN107026145B (zh) | 半导体装置 | |
| JPS6351382B2 (ja) | ||
| JP2572098B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0897339A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS61110447A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0256815B2 (ja) | ||
| JP2833275B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6321341B2 (ja) | ||
| JPS5984574A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0479137B2 (ja) | ||
| JPH0573058B2 (ja) | ||
| JPH02192145A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0126533B2 (ja) | ||
| JPH05114729A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04162652A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6053047A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03104155A (ja) | 半導体装置 |