JP2572098B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2572098B2 JP2572098B2 JP63018536A JP1853688A JP2572098B2 JP 2572098 B2 JP2572098 B2 JP 2572098B2 JP 63018536 A JP63018536 A JP 63018536A JP 1853688 A JP1853688 A JP 1853688A JP 2572098 B2 JP2572098 B2 JP 2572098B2
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- polysilicon resistor
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- semiconductor device
- resistor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
- H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
- H10D84/209—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only resistors
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体基板上の絶縁膜内にポリシリコン抵抗をそなえ
た半導体装置に関し、 該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増すこ
とを目的とし、 絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少
くとも該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶
縁膜中に、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体
が配置されるように構成される。
た半導体装置に関し、 該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増すこ
とを目的とし、 絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少
くとも該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶
縁膜中に、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体
が配置されるように構成される。
本発明は半導体基板上の絶縁膜内にポリシリコン抵抗
をそなえた半導体装置に関する。
をそなえた半導体装置に関する。
一般にICの回路素子としての抵抗を通常の拡散抵抗と
して半導体基板内に形成した場合には、該抵抗と該基板
との間の寄生容量が大となって該ICの高速化に支障をき
たすようになる。そのためかかる寄生容量を低減する目
的で該拡散抵抗（バルク抵抗）に代えて、該半導体基板
上の絶縁膜内に設けられたポリシリコン抵抗が使用され
る。
して半導体基板内に形成した場合には、該抵抗と該基板
との間の寄生容量が大となって該ICの高速化に支障をき
たすようになる。そのためかかる寄生容量を低減する目
的で該拡散抵抗（バルク抵抗）に代えて、該半導体基板
上の絶縁膜内に設けられたポリシリコン抵抗が使用され
る。
第４図はかかるポリシリコン抵抗３をそなえた従来技
術としての半導体集積装置を示すもので、１は半導体基
板、21,22、および23は該半導体基板上に該ポリシリコ
ン抵抗を囲むように形成された絶縁膜、41,42は該ポリ
シリコン抵抗３に接続された金属配線を示す。
術としての半導体集積装置を示すもので、１は半導体基
板、21,22、および23は該半導体基板上に該ポリシリコ
ン抵抗を囲むように形成された絶縁膜、41,42は該ポリ
シリコン抵抗３に接続された金属配線を示す。
しかしながらかかるポリシリコン抵抗は上述したよう
にその周りが熱伝導率の小さい絶縁膜で囲まれているた
め、該ポリシリコン抵抗で発生する熱が放熱しにくくな
るという問題点がある。このため消費電力の大きい抵抗
では局所的に高温となり、該半導体集積装置の信頼性お
よび特性の面で種々の問題（例えば局所的な発熱による
該半導体装置のストレスなど）を生ずる。
にその周りが熱伝導率の小さい絶縁膜で囲まれているた
め、該ポリシリコン抵抗で発生する熱が放熱しにくくな
るという問題点がある。このため消費電力の大きい抵抗
では局所的に高温となり、該半導体集積装置の信頼性お
よび特性の面で種々の問題（例えば局所的な発熱による
該半導体装置のストレスなど）を生ずる。
本発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増加
させるようにして、該半導体集積装置の信頼性および特
性を向上させるようにしたものである。
で、該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増加
させるようにして、該半導体集積装置の信頼性および特
性を向上させるようにしたものである。
上記課題を解決するために本発明によれば、絶縁膜で
囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少くとも該ポ
リシリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶縁膜中に、
該絶縁膜に比して熱伝導率がが大きい熱伝導体（例えば
不純物を含まないポリシリコン等の誘電体）が配置され
た半導体装置が提供される。
囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少くとも該ポ
リシリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶縁膜中に、
該絶縁膜に比して熱伝導率がが大きい熱伝導体（例えば
不純物を含まないポリシリコン等の誘電体）が配置され
た半導体装置が提供される。
上記構成によれば、該ポリシリコン抵抗中で発生した
熱は、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体を介
して半導体基板側に逃げ易くなり、該ポリシリコン抵抗
の放熱効果を増すことができる。
熱は、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体を介
して半導体基板側に逃げ易くなり、該ポリシリコン抵抗
の放熱効果を増すことができる。
第１図は、本発明の１実施例としての半導体装置の構
成を示すもので、第４図の従来装置と共通する部分には
共通する符号が付されている。該第１図に示された装置
の特長は、該ポリシリコン抵抗３の下部側（シリコン基
板側）のシリコン酸化膜21内に、上記したように該シリ
コン酸化膜よりも熱伝導率が大きい熱伝導体（例えば不
純物を含まないポリシリコン等の誘電体）を配置した点
である。
成を示すもので、第４図の従来装置と共通する部分には
共通する符号が付されている。該第１図に示された装置
の特長は、該ポリシリコン抵抗３の下部側（シリコン基
板側）のシリコン酸化膜21内に、上記したように該シリ
コン酸化膜よりも熱伝導率が大きい熱伝導体（例えば不
純物を含まないポリシリコン等の誘電体）を配置した点
である。
かかる構成によって、該ポリシリコン抵抗３で発生し
た熱を該熱伝導体（誘電体）５を介してシリコン基板１
に容易に逃がすことができ、したがって該シリコン基板
１を通してパッケージに容易に放熱させることができ
る。さらにこのポリシリコンよりなる熱伝導体は電気的
にはフローティングである。これによりポリシリコン抵
抗３の寄生容量の増加の心配はない。
た熱を該熱伝導体（誘電体）５を介してシリコン基板１
に容易に逃がすことができ、したがって該シリコン基板
１を通してパッケージに容易に放熱させることができ
る。さらにこのポリシリコンよりなる熱伝導体は電気的
にはフローティングである。これによりポリシリコン抵
抗３の寄生容量の増加の心配はない。
第２図および第３図は、それぞれ本発明の他の実施例
としての半導体集積装置の構成を示すもので、第２図の
実施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部に加
えてその側面をも囲むように、上記熱伝導体５′がシリ
コン酸化膜21および22内に配置されており、また第３図
の実施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部に
加えてその側面および上部をも囲むように、上記熱伝導
体５″および５がシリコン酸化膜21,22、および23内
に配置されている。このように該ポリシリコン抵抗３の
下部に加えてその側面更にはその上部をも（すなわち該
ポリシリコン抵抗のまわりを）上記熱伝導体で囲むこと
により、該ポリシリコン抵抗３の放熱効果を一層増加さ
せることができる。
としての半導体集積装置の構成を示すもので、第２図の
実施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部に加
えてその側面をも囲むように、上記熱伝導体５′がシリ
コン酸化膜21および22内に配置されており、また第３図
の実施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部に
加えてその側面および上部をも囲むように、上記熱伝導
体５″および５がシリコン酸化膜21,22、および23内
に配置されている。このように該ポリシリコン抵抗３の
下部に加えてその側面更にはその上部をも（すなわち該
ポリシリコン抵抗のまわりを）上記熱伝導体で囲むこと
により、該ポリシリコン抵抗３の放熱効果を一層増加さ
せることができる。
本発明によれば、シリコン酸化膜で囲まれたポリシリ
コン抵抗で発生する熱の放熱効果を増し、半導体装置の
信頼性および特性を向上させることができる。
コン抵抗で発生する熱の放熱効果を増し、半導体装置の
信頼性および特性を向上させることができる。
第１図は、本発明の１実施例としての半導体装置の構成
を示す断面図、 第２図および第３図は、それぞれ本発明の他の実施例と
しての半導体装置の構成を示す断面図、 第４図は、従来技術としての半導体装置の構成を例示す
る断面図である。 （符号の説明） １…半導体基板、21,22,23…絶縁膜、３…ポリシリコン
抵抗、41,42…配線、5,5′,5″,5…熱伝導体（誘電率
の小さい誘電体）。
を示す断面図、 第２図および第３図は、それぞれ本発明の他の実施例と
しての半導体装置の構成を示す断面図、 第４図は、従来技術としての半導体装置の構成を例示す
る断面図である。 （符号の説明） １…半導体基板、21,22,23…絶縁膜、３…ポリシリコン
抵抗、41,42…配線、5,5′,5″,5…熱伝導体（誘電率
の小さい誘電体）。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそな
え、更に少くとも該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に
存在する絶縁膜中に、該絶縁膜に比して熱伝導率が大き
い熱伝導体が配置されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018536A JP2572098B2 (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018536A JP2572098B2 (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196157A JPH01196157A (ja) | 1989-08-07 |
| JP2572098B2 true JP2572098B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=11974350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018536A Expired - Fee Related JP2572098B2 (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572098B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2878088B2 (ja) * | 1993-10-07 | 1999-04-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016058466A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
| CN109037209B (zh) * | 2018-08-23 | 2024-10-29 | 格兰康希通信科技(上海)股份有限公司 | 集成电路布图结构 |
-
1988
- 1988-01-30 JP JP63018536A patent/JP2572098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01196157A (ja) | 1989-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |