JPH01196157A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01196157A JPH01196157A JP63018536A JP1853688A JPH01196157A JP H01196157 A JPH01196157 A JP H01196157A JP 63018536 A JP63018536 A JP 63018536A JP 1853688 A JP1853688 A JP 1853688A JP H01196157 A JPH01196157 A JP H01196157A
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基板上の絶縁膜内にポリシリコン抵抗をそなえた
半導体装置に関し、 該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増すこと
を目的とし、 絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少く
とも該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶縁
膜中に、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体が
配置されるように構成される。
半導体装置に関し、 該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増すこと
を目的とし、 絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少く
とも該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶縁
膜中に、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体が
配置されるように構成される。
本発明は半導体基板上の絶縁膜内にポリシリコン抵抗を
そなえた半導体装置に関する。
そなえた半導体装置に関する。
一般にＩＣの回路素子としての抵抗を通常の拡散抵抗と
して半導体基板内に形成した場合には、該抵抗と該基板
との間の寄生容量が大となって該ＩＣの高速化に支障を
きたすようになる。そのためかかる寄生容量を低減する
目的で該拡散抵抗（バルク抵抗）に代えて、該半導体基
板上の絶縁膜内に設けられたポリシリコン抵抗が使用さ
れる。
して半導体基板内に形成した場合には、該抵抗と該基板
との間の寄生容量が大となって該ＩＣの高速化に支障を
きたすようになる。そのためかかる寄生容量を低減する
目的で該拡散抵抗（バルク抵抗）に代えて、該半導体基
板上の絶縁膜内に設けられたポリシリコン抵抗が使用さ
れる。
第４図はかかるポリシリコン抵抗３をそなえた従来技術
としての半導体集積装置を示すもので、１は半導体基板
、２１ 、２２、および２３は該半導体基板上に該ポリ
シリコン抵抗を囲むように形成された絶縁膜、４１ 、
４２は該ポリシリコン抵抗３に接続された金属配線を示
す。
としての半導体集積装置を示すもので、１は半導体基板
、２１ 、２２、および２３は該半導体基板上に該ポリ
シリコン抵抗を囲むように形成された絶縁膜、４１ 、
４２は該ポリシリコン抵抗３に接続された金属配線を示
す。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながらかかるポリシリコン抵抗は上述したように
その周りが熱伝導率の小さい絶縁膜で囲まれているため
、該ポリシリコン抵抗で発生する熱が放熱しにくくなる
という問題点がある。このため消費電力の大きい抵抗で
は局所的に高温となり、該半導体集積装置の信頼性およ
び特性の面で種々の問題（例えば局所的な発熱による該
半導体装置のストレスなど）を生ずる。
その周りが熱伝導率の小さい絶縁膜で囲まれているため
、該ポリシリコン抵抗で発生する熱が放熱しにくくなる
という問題点がある。このため消費電力の大きい抵抗で
は局所的に高温となり、該半導体集積装置の信頼性およ
び特性の面で種々の問題（例えば局所的な発熱による該
半導体装置のストレスなど）を生ずる。
本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
、該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増加さ
せるようにして、該半導体集積装置の信頼性および特性
を向上させるようにしたものである。
、該ポリシリコン抵抗で発生する熱の放熱効果を増加さ
せるようにして、該半導体集積装置の信頼性および特性
を向上させるようにしたものである。
上記課題を解決するために本発明によれば、絶縁膜で囲
まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少くとも該ポリ
シリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶縁膜中に、該
絶縁膜に比して熱伝導率がが大きい熱伝導体（例えば不
純物を含まないポリシリコン等の誘電体）が配置された
半導体装置が提供される。
まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に少くとも該ポリ
シリコン抵抗と半導体基板間に存在する絶縁膜中に、該
絶縁膜に比して熱伝導率がが大きい熱伝導体（例えば不
純物を含まないポリシリコン等の誘電体）が配置された
半導体装置が提供される。
（作 用）
上記構成によれば、該ポリシリコン抵抗中で発生した熱
は、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体を介し
て半導体基板側に逃げ易くなり、該ポリシリコン抵抗の
放熱効果を増すことができる。
は、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導体を介し
て半導体基板側に逃げ易くなり、該ポリシリコン抵抗の
放熱効果を増すことができる。
第１図は、本発明の１実施例としての半導体装置の構成
を示すもので、第４図の従来装置と共通ずる部分には共
ｉｍする符号が付されている。該第１図に示された装置
の特長は、該ポリシリコン抵抗３の下部側（シリコン基
板側）のシリコン酸化膜２１内に、上記したように該シ
リコン酸化膜よりも熱伝導率が大きい熱伝導体く例えば
不純物を含まないポリシリコン等の誘電体）を配置した
点である。
を示すもので、第４図の従来装置と共通ずる部分には共
ｉｍする符号が付されている。該第１図に示された装置
の特長は、該ポリシリコン抵抗３の下部側（シリコン基
板側）のシリコン酸化膜２１内に、上記したように該シ
リコン酸化膜よりも熱伝導率が大きい熱伝導体く例えば
不純物を含まないポリシリコン等の誘電体）を配置した
点である。
かかる構成によって、該ポリシリコン抵抗３で発生した
熱を該熱伝導体（誘電体）５を介してシリコン基板１に
容易に逃がすことができ、したがって該シリコン基板１
を通してパッケージに容易に放熱させることができる。
熱を該熱伝導体（誘電体）５を介してシリコン基板１に
容易に逃がすことができ、したがって該シリコン基板１
を通してパッケージに容易に放熱させることができる。
さらにこのポリシリコンよりなる熱伝導体は電気的には
フローティングである。これによりポリシリコン抵抗３
の寄生容量の増加の心配はない。
フローティングである。これによりポリシリコン抵抗３
の寄生容量の増加の心配はない。
第２図および第３図は、それぞれ本発明の他の実施例と
しての半導体集積装置の構成を示すもので、第２図の実
施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部に加え
てその側面をも囲むように、上記熱伝導体５′がシリコ
ン酸化膜２１および２２内に配置されており、また第３
図の実施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部
に加えてその側面および上部をも囲むように、上記熱伝
導体５″および５″′がシリコン酸化膜２１ 、２２、
および２３内に配置されている。このように該ポリシリ
コン抵抗３の下部に加えてその側面更にはその上部をも
ぐすなわち該ポリシリコン抵抗のまわりを）上記熱伝導
体で囲むことにより、該ポリシリコン抵抗３の放熱効果
を一層増加させることができる。
しての半導体集積装置の構成を示すもので、第２図の実
施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部に加え
てその側面をも囲むように、上記熱伝導体５′がシリコ
ン酸化膜２１および２２内に配置されており、また第３
図の実施例の場合には、上記ポリシリコン抵抗３の下部
に加えてその側面および上部をも囲むように、上記熱伝
導体５″および５″′がシリコン酸化膜２１ 、２２、
および２３内に配置されている。このように該ポリシリ
コン抵抗３の下部に加えてその側面更にはその上部をも
ぐすなわち該ポリシリコン抵抗のまわりを）上記熱伝導
体で囲むことにより、該ポリシリコン抵抗３の放熱効果
を一層増加させることができる。
本発明によれば、シリコン酸化膜で囲まれたポリシリコ
ン抵抗で発生する熱の放熱効果を増し、半導体装置の信
頼性および特性を向上させることができる。
ン抵抗で発生する熱の放熱効果を増し、半導体装置の信
頼性および特性を向上させることができる。
第１図は、本発明の１実施例としての半導体装置の構成
を示す断面図、 第２図および第３図は、それぞれ本発明の他の実施例と
しての半導体装置の構成を示す断面図、第４図は、従来
技術としての半導体装置の構成を例示する断面図である
。 （符号の説明） １・・・半導体基板、 ２１ 、２２ 、２３・
・・絶縁膜、３・・・ポリシリコン抵抗、 ４１ 、４
２・・・配線、５．５’、５”、５”’・・・熱伝導体
（誘電率の小さい誘電体）。
を示す断面図、 第２図および第３図は、それぞれ本発明の他の実施例と
しての半導体装置の構成を示す断面図、第４図は、従来
技術としての半導体装置の構成を例示する断面図である
。 （符号の説明） １・・・半導体基板、 ２１ 、２２ 、２３・
・・絶縁膜、３・・・ポリシリコン抵抗、 ４１ 、４
２・・・配線、５．５’、５”、５”’・・・熱伝導体
（誘電率の小さい誘電体）。
Claims (1)
- １、絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、更に
少くとも該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に存在する
絶縁膜中に、該絶縁膜に比して熱伝導率が大きい熱伝導
体が配置されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018536A JP2572098B2 (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018536A JP2572098B2 (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196157A true JPH01196157A (ja) | 1989-08-07 |
| JP2572098B2 JP2572098B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=11974350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018536A Expired - Fee Related JP2572098B2 (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572098B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142677A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-06-02 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016058466A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
| CN109037209A (zh) * | 2018-08-23 | 2018-12-18 | 湖南格兰德芯微电子有限公司 | 集成电路布图结构 |
-
1988
- 1988-01-30 JP JP63018536A patent/JP2572098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142677A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-06-02 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016058466A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
| CN109037209A (zh) * | 2018-08-23 | 2018-12-18 | 湖南格兰德芯微电子有限公司 | 集成电路布图结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2572098B2 (ja) | 1997-01-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |