JPH01202854A - 半導体集積装置 - Google Patents

半導体集積装置

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Publication number
JPH01202854A
JPH01202854A JP63026512A JP2651288A JPH01202854A JP H01202854 A JPH01202854 A JP H01202854A JP 63026512 A JP63026512 A JP 63026512A JP 2651288 A JP2651288 A JP 2651288A JP H01202854 A JPH01202854 A JP H01202854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysilicon
polysilicon resistor
polysilicon resistors
resistor
semiconductor substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP63026512A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoyuki Ando
安藤 直行
Eiji Sugiyama
英治 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63026512A priority Critical patent/JPH01202854A/ja
Publication of JPH01202854A publication Critical patent/JPH01202854A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0802Resistors only

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体基板上の絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)内にポ
リシリコン抵抗をそなえた半導体集積装置に関し、 該ポリシリコン抵抗の発熱による温度上昇を抑制するこ
とを目的とし、 該ポリシリコン抵抗の抵抗値に影響しない部分において
該ポリシリコン抵抗の領域を延長させ、あるいは該ポリ
シリコン抵抗の一部を半導体基板と接触させ更に該ポリ
シリコン抵抗と半導体基板間に逆バイアス電圧が印加さ
れるように構成される。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上の絶縁膜(例えばシリコン酸化膜
)内にポリシリコン抵抗をそなえた半導体集積装置に関
する。
〔従来の技術〕
一般にLSIなどの回路素子としての抵抗を通常の拡散
抵抗として半導体基板内に形成した場合には、該抵抗と
該基板との間の寄生容量が大となって、該LSIの高速
化に支障をきたすようになる。
したがって該LSIなどの高速化のために、その抵抗素
子として、半導体基板上の絶縁膜内に形成されるポリシ
リコンが用いられ、それによって該寄生容量の低減がは
かられている。
第4図(a)・(b)は、かかるポリシリコン抵抗3を
そなえた従来技術としての半導体集積装置を例示するも
ので、1はシリコン基板、2は該シリコン基板上に該ポ
リシリコン抵抗を囲むように形成されたシリコン酸化膜
、31は該ポリシリコン抵抗3に対する配線用のコンタ
クト窓を示している。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記ポリシリコン抵抗3は、その周りを
熱伝導率の小さい絶縁膜、例えばシリコン酸化膜2で囲
まれているため、その導通時に該ポリシリコン抵抗3で
発生する熱の逃げ場がなく該ポリシリコン抵抗の温度上
昇を生じ、そのために該ポリシリコン抵抗の抵抗値が変
化したり、該ポリシリコン抵抗自体が変形するなどの問
題を生ずる。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、
上記寄生容量の低減をはかりつつ該ポリシリコン抵抗の
発熱による温度上昇を抑制し、その抵抗値のずれや変形
などを防止したものである。
〔課題を解決するための手段〕
かかる課題を解決するために本発明によれば、絶縁膜で
囲まれたポリシリコン抵抗の抵抗値に影響しない部分に
おいて、該ポリシリコン抵抗の領域を延長させ、あるい
は該ポリシリコン抵抗の一部を半導体基板と接触させ更
に該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に逆バイアス電圧
が印加される半導体集積装置が提供される。
〔作 用〕
上記構成によれば、該ポリシリコン抵抗の抵抗値と無関
係にその表面積を大きくして該ポリシリコン抵抗の放熱
面積を増加させ、あるいは該ポリシリコン抵抗の一部を
直接半導体基板と熱的に接触させることにより、該ポリ
シリコン抵抗から、熱伝導率の大きい半導体基板への放
熱を容易にし、該ポリシリコン抵抗の温度上昇を抑制す
ることができる。
〔実施例〕
第1図(a)および(b)は本発明の1実施例としての
半導体集積装置に用いられるポリシリコン抵抗3の構成
を例示する平面図であって、これらのポリシリコン抵抗
3には、その実現したい抵抗値に影響しない部分(すな
わち第1図(a)の場合は領域32、また第1図(b)
の場合は領域33)において、該ポリシリコン抵抗の面
積が延長増大されている。なお31は上述したように該
ポリシリコン抵抗3に対する配線用のコンタクト部を示
している。
また第2図は、本発明の他の実施例としての半導体集積
装置を示すもので、該第2図に示される装置においては
、該ポリシリコン抵抗3の一部34が熱伝導率の大きい
半導体基板1と直接接触するように形成されている。こ
の場合、該ポリシリコン抵抗3と該半導体基板1との間
での電気的導通を生じないように該半導体基板1がN型
基板である場合には該ポリシリコン抵抗3をP型のポリ
シリコンで形成し、これらの間に所定の逆バイアス電圧
(−例としてECL回路用の場合には、該基板電圧を例
えばOVとする。)が印加される。
一方、該半導体基板がP型基板である場合には該ポリシ
リコン抵抗3をN型のポリシリコンで形成し、同様にし
て所定の逆バイアス電圧(−例としてECL回路用の場
合には、該基板電圧を例えば−5,2Vとする。)が印
加される。
第3図(a)・(b)は、本発明の更に他の実施例とし
ての半導体集積装置を示すもので、該第3図に示される
ポリシリコン抵抗3は、その抵抗値に影響しない部分3
3においてその面積が延長増大されるとともに、該ポリ
シリコン抵抗の一部34が該半導体基板1と直接接触す
るようにされる。
ここで該半導体基板がN型であるかP型であるかに応じ
て、該ポリシリコン抵抗をP型あるいはN型のポリシリ
コンで形成し、これらの間に所定の逆バイアス電圧が印
加されるようにすることは上記第2図の場合と同様であ
る。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ポリシリコン抵抗における抵抗値に影
響しない部分の表面積を増加することにより、あるいは
該ポリシリコン抵抗の一部を半導体基板と熱的に接触さ
せることにより、あるいは更にこれらの構成を組合せる
ことにより、該ポリシリコン抵抗からの放熱効率を向上
させ、その温度上昇を抑制することができ、したがって
その抵抗値のずれや該ポリシリコン抵抗の変形などをも
防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、(b)は本発明の1実施例としての半
導体集積装置に用いられるポリシリコン抵抗の形状を例
示する平面図、 第2図は、本発明の他の実施例として半導体集積装置の
構成を示す断面図、 第3図(a) 、 (b) は、それぞれ本発明の更に
他の実施例としての半導体集積装置の横断面および縦断
面図、 第4図(a) 、(b)は、それぞれ従来技術とじての
半導体集積装置を例示する横断面および縦断面図である
。 (符号の説明) に半導体基板、 2:絶縁膜、 3:ポリシリコン抵抗、 31:抵抗3の配線用コンタクト部、 32 、33 :抵抗3の延長部、 34:抵抗3と基板1との接触部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗をそなえ、該ポ
    リシリコン抵抗の抵抗値に影響しない部分において、該
    ポリシリコン抵抗の領域を延長させたことを特徴とする
    半導体集積装置。 2、絶縁膜で囲まれたポリシリコン抵抗の一部を半導体
    基板と接触させ、該ポリシリコン抵抗と半導体基板間に
    逆バイアス電圧が印加されることを特徴とする半導体集
    積装置。
JP63026512A 1988-02-09 1988-02-09 半導体集積装置 Pending JPH01202854A (ja)

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JP63026512A JPH01202854A (ja) 1988-02-09 1988-02-09 半導体集積装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03171657A (ja) * 1989-11-29 1991-07-25 Fujitsu Ltd 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6298763A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Nec Corp 多結晶シリコン抵抗体
JPH01149451A (ja) * 1987-12-04 1989-06-12 Rohm Co Ltd Cmosの入力段ゲートの保護装置

Patent Citations (2)

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