JPS62108567A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関する。

〔従来の技術〕

従来より、半導体集積回路装置内に形成される抵抗体は
主にシリコン基板に不純物を拡散した拡散層を使用して
いるが、近年、高速スイッチング特性が必要なバイポー
ラ型集積回路装置では、寄生容量の少ないスイッチング
特性の良好な多結晶シリコン膜を利用した抵抗体が使用
され始めている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した多結晶シリコン膜抵抗体においては、その周囲
が絶縁膜で囲まれている為に、寄生容量の少ない抵抗体
を形成できる。

しかしながら、絶縁膜、特に一般的に使用されているシ
リコン酸化膜やシリコン窒化膜は、シリコン膜に比べ熱
伝導率が著しく悪く、多結晶ポリシリコン膜抵抗体への
通電時に発生する熱を外部に逃がしにくくなっている。

この為、多結晶シリコン膜抵抗体は通電時に周囲より局
部的に温度が高くなる。この温度の上昇が大なくなシ過
ぎると（周囲温度＋２０℃以上）、多結晶シリコン抵抗
体の抵抗値の変動が、温度上昇のない場合に比べ、著し
く大きくなり、回路誤動作を起すという問題がある。こ
の為、多結晶シリコン膜抵抗体に流す電流値に制限が必
要になる。この事は大電流で多結晶シリコン膜抵抗体を
使用する上での大きな障害となっている。

本発明の目的は温度上昇の少ない抵抗体を有する半導体
集積回路装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板上に絶縁膜
を介して形成された多結晶シリコン膜からなる抵抗体を
有する半導体集積回路装置であって、抵抗体の両側に電
極とし２て金属配線を設けかつ抵抗体上に絶縁膜を介し
て放熱用金属膜を設けたものである。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ　−Ａ’線断面図である。

第１図（ａ）、（ｂ）において、シリコン基板１の表面
に形成されたシリコン酸化膜２上には厚さ約０．３μｍ
の多結晶シリコン膜からなる抵抗体３が形成されている
。そして、この抵抗体３の両側からはシリコン酸化膜か
らなる層間絶縁膜４に設けられた開孔部７を通して電極
となる厚さ１μｍのＡ／配線５が設けられている。更に
抵抗体３の上には層間絶縁膜４を介して放熱用のＡｌ膜
５人が形成されている。このＡ／膜５ＡＦｉｌ’配線５
と同一工程により形成され、Ａ／配線５と分離されてい
るか、或いは一方の１配線と接続された構造となってい
る。尚、６はプラズマＣＶＤ＠により形成された窒化膜
である。

このように構成された本実施例の抵抗体３においては、
通電時発生する熱はＡ／配線５及びＡ／膜５Ａにより放
散される為、抵抗体近傍の温度上昇は小さくなシ、従っ
て抵抗体３の抵抗値の変動は少いものとなる。

第２図は抵抗体に流す電流値と上昇温度との関係を示す
図であり、実線は本実施例による抵抗体を用いた場合、
又破線は従来の半導体集積回路の抵抗体を用いた場合を
示している。

第２図から明らかなように、本実施例による抵抗体を用
いた場合は従来の抵抗体に比べ通電時の温度上昇は著し
く低くなる。

尚、上記実施例においては放熱用金属としてｌを用いた
が、他の熱伝導率の高い金属を用いても同様の効果が得
られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、抵抗体の電極配
線に金属を用い、更に抵抗体上に絶縁膜を介して放熱用
の金属膜を設けることにより、通電時の温度上昇が少な
い抵抗体を有す半導体集積回路装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は抵抗体に流す電流値と上昇
温度との関係を示す図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・抵抗体、４・・川・層間絶縁膜
、５・・団・Ａ／配線、５Ａ・・・・・・Ａ／膜、６・
・・・・・窒化膜、７・旧・・開孔部。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋　゛ン聚１（支）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に絶縁膜を介して形成された多結晶シリコ
   ン膜からなる抵抗体を有する半導体集積回路装置におい
   て、前記抵抗体の両側に電極として金属配線を設けかつ
   前記抵抗体上に絶縁膜を介して放熱用金属膜を設けたこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置。