JPH0294458A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0294458A JPH0294458A JP24601888A JP24601888A JPH0294458A JP H0294458 A JPH0294458 A JP H0294458A JP 24601888 A JP24601888 A JP 24601888A JP 24601888 A JP24601888 A JP 24601888A JP H0294458 A JPH0294458 A JP H0294458A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
ダイオード、トランジスタ等のディスクリートデバイス
又は、ハイプリントＩＣの樹脂封止型半導体装置は、特
に電力損失が大きい場合に半導体チップの温度上昇に起
因する信頼性が問題となっている。
又は、ハイプリントＩＣの樹脂封止型半導体装置は、特
に電力損失が大きい場合に半導体チップの温度上昇に起
因する信頼性が問題となっている。
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図で
ある。
ある。
樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ１を放熱基板２
にダイボンディング部５で搭載した後、バッド４．ボン
デイン゛グヮイヤ６及び導電体３を介して外部リードに
接続する。
にダイボンディング部５で搭載した後、バッド４．ボン
デイン゛グヮイヤ６及び導電体３を介して外部リードに
接続する。
次に外部リードと放熱基板２の裏面側を除いてシリコー
ンなどのジャンクションコーティングレジン（以下ＪＣ
Ｒと称す）を塗布し、半導体チップ及び配線間の絶縁保
護、耐湿保護、耐振及び内部応力等に対する機械的保護
を行なっている。
ンなどのジャンクションコーティングレジン（以下ＪＣ
Ｒと称す）を塗布し、半導体チップ及び配線間の絶縁保
護、耐湿保護、耐振及び内部応力等に対する機械的保護
を行なっている。
上述したように従来の樹脂封止型半導体装置においては
、ＪＣＲ塗布は、半導体チップと電極配線間、あるいは
配線相互間の電気的保護と、外部から浸入する水分に対
する耐湿保護と、更に耐振又は樹脂封止における熱膨張
・収縮への半導体チップ及び配線の機械的保護を主要素
としていた。
、ＪＣＲ塗布は、半導体チップと電極配線間、あるいは
配線相互間の電気的保護と、外部から浸入する水分に対
する耐湿保護と、更に耐振又は樹脂封止における熱膨張
・収縮への半導体チップ及び配線の機械的保護を主要素
としていた。
そのため、動作中の半導体チップパッド内部の発生する
熱の放熱は、チップの電極パッドと放熱基板又はリード
フレームの接触面あるいはボンディングワイヤの接触部
を介する分が少いので、半導体装置の熱抵抗は主として
半導体チップのダイボンディング部の面積で決まり、半
導体チップ及びパッケージ小形化、あるいは高密度実装
に反するという欠点があった。
熱の放熱は、チップの電極パッドと放熱基板又はリード
フレームの接触面あるいはボンディングワイヤの接触部
を介する分が少いので、半導体装置の熱抵抗は主として
半導体チップのダイボンディング部の面積で決まり、半
導体チップ及びパッケージ小形化、あるいは高密度実装
に反するという欠点があった。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、導熱性基板の一主面
に載置された半導体チップに配線体を介して外部リード
に接続した後、該外部リードを除いて樹脂封止する樹脂
封止型半導体装置において、前記導熱性基板の一部及び
前記半導体チップの表面が、高熱伝導性の無機フィラー
の微粒粉体を沈澱硬化させて形成した樹脂分離層に覆わ
れて構成されている。
に載置された半導体チップに配線体を介して外部リード
に接続した後、該外部リードを除いて樹脂封止する樹脂
封止型半導体装置において、前記導熱性基板の一部及び
前記半導体チップの表面が、高熱伝導性の無機フィラー
の微粒粉体を沈澱硬化させて形成した樹脂分離層に覆わ
れて構成されている。
〔実施例〕
次に本発明について、図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例の断面図及
び樹脂部分Ａの拡大断面模式図である。
び樹脂部分Ａの拡大断面模式図である。
第１図（ａ）に示すように、樹脂封止型半導体装置は、
樹脂上層部７ａ及び樹脂分離層７ｂが第３図の樹脂部７
と異る意思外は従来の半導体装置と同一である。
樹脂上層部７ａ及び樹脂分離層７ｂが第３図の樹脂部７
と異る意思外は従来の半導体装置と同一である。
無機フィラー８は、シリコーン系ＪＣＲの約１００倍の
高熱伝導性Ｎ、６ Ｘ １０ ””ｃａｌ ７ｃｍ・ｓ
ｅｅ ・℃程度）のＢＮをｐｐｍ以下の高純度に精製し
た上、所定の微粒粉体に形成してから従来のＪＣＲに分
散混合する。
高熱伝導性Ｎ、６ Ｘ １０ ””ｃａｌ ７ｃｍ・ｓ
ｅｅ ・℃程度）のＢＮをｐｐｍ以下の高純度に精製し
た上、所定の微粒粉体に形成してから従来のＪＣＲに分
散混合する。
第１図（ｂ）に示すように、点線の樹脂部分Ａは上層が
ＪＣＲの高分子の連続層の樹脂上層部７、と下層が無機
フィラー８の沈降した樹脂分離層７ｂとからなっている
。
ＪＣＲの高分子の連続層の樹脂上層部７、と下層が無機
フィラー８の沈降した樹脂分離層７ｂとからなっている
。
半導体チップ１で発生した熱は、ダイボンディング部５
を通って放熱基板２に伝導する他に、半導体チップ１の
表面に接触する高熱伝導性の樹脂分離層７ｂを介しても
放熱基板２にも伝導するので、熱抵抗は従来の７０〜８
０％に低減するという効果がある。
を通って放熱基板２に伝導する他に、半導体チップ１の
表面に接触する高熱伝導性の樹脂分離層７ｂを介しても
放熱基板２にも伝導するので、熱抵抗は従来の７０〜８
０％に低減するという効果がある。
従って、半導体装置の小型化もできる。
本実施例で無機フィラーとしてＢＮを用いたが、” ２
０３．８２０又はＭｇＯでも良い。
０３．８２０又はＭｇＯでも良い。
以上説明したように本発明は、半導体チップ及び配線間
を高い熱伝導性の無機フィラーを分散混合させたＪＣＲ
を用い、パッシベーションを施すことによって、チップ
及び配線間の電気的特性の安定化、耐湿性の向上等従来
の表面保護機能を損なうことなく、ＪＣＲに放熱機能を
付加したので、半導体チップやパッケージの小形化、あ
るいは高密度実装の可能な樹脂封止型半導体装置が得ら
れるという効果がある。
を高い熱伝導性の無機フィラーを分散混合させたＪＣＲ
を用い、パッシベーションを施すことによって、チップ
及び配線間の電気的特性の安定化、耐湿性の向上等従来
の表面保護機能を損なうことなく、ＪＣＲに放熱機能を
付加したので、半導体チップやパッケージの小形化、あ
るいは高密度実装の可能な樹脂封止型半導体装置が得ら
れるという効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例の断面図及
び樹脂部分Ａの拡大断面模式図、第２図は従来の樹脂封
止型半導体装置の一例の断面図である。
び樹脂部分Ａの拡大断面模式図、第２図は従来の樹脂封
止型半導体装置の一例の断面図である。
Claims (1)
- 導熱性基板の一主面に載置された半導体チップに配線体
を介して外部リードに接続した後、該外部リードを除い
て樹脂封止する樹脂封止型半導体装置において、前記導
熱性基板の一部及び前記半導体チップの表面が、高熱伝
導性の無機フィラーの微粒粉体を沈澱硬化させて形成し
た樹脂分離層に覆われていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24601888A JPH0294458A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24601888A JPH0294458A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294458A true JPH0294458A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17142233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24601888A Pending JPH0294458A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776266A (en) * | 1990-05-31 | 1998-07-07 | Northrop Grumman Corporation | Oxidation protection method for titanium |
| JP2019029507A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110061A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置等のパッケージ製造方法 |
| JPS6337075A (ja) * | 1987-02-21 | 1988-02-17 | Canon Inc | シ−トの自動部揃え装置 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24601888A patent/JPH0294458A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110061A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置等のパッケージ製造方法 |
| JPS6337075A (ja) * | 1987-02-21 | 1988-02-17 | Canon Inc | シ−トの自動部揃え装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776266A (en) * | 1990-05-31 | 1998-07-07 | Northrop Grumman Corporation | Oxidation protection method for titanium |
| JP2019029507A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
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