JPS60134426A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60134426A
JPS60134426A JP58242564A JP24256483A JPS60134426A JP S60134426 A JPS60134426 A JP S60134426A JP 58242564 A JP58242564 A JP 58242564A JP 24256483 A JP24256483 A JP 24256483A JP S60134426 A JPS60134426 A JP S60134426A
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JP
Japan
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substrate
semiconductor substrate
semiconductor
case
back surface
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JP58242564A
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Shigeru Ito
繁 伊藤
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は、容器に低い熱抵抗で取り付けの可能な半導体
装置の構造に関するものである。
（従来技術） 半導体装置において、接合部等で発生した熱を効率良、
く外部に放散させて、接合部の温度上昇を防止すること
が素子の破壊、寿命の低下を防止する上で重要である。
第１図は従来の一般的樹脂封止半導体装置の断面図であ
る。半導体素子１０２は表面の能動領域１１２に複数の
素子が形成され、その表面に配線およびポンディングパ
ッドの金属層１１３を有し℃いる。半導体素子１０２の
裏面がマウント材１０３で放熱板であるケース基板１０
４にとり付けられており、外部導出リード１０７との接
続は表面の金Ｊｌｉｌｌｘｘ３のポンディングパッド部
との間で金属細線１０６で行なわれている。能動領域１
１２で発生した熱は主として、素子基板ｔｉｉ。
マウント＠　１０３、ケース基板１９４を経て外部に放
散される。能動領域１１２から樹脂１０５を経てケース
表面から放散される熱や、ボンディングワイヤー１０６
．外部リード１０７を経て放散される熱は少い。従って
、熱の放散は能１緘１１２からケース基板１０４の裏面
までの熱抵抗に支配されている。この経路にはシリ；ン
等の比較的熱伝導率の小さい素子基板１１１の熱抵抗が
必らず直列に入っており、熱抵抗低減の大きな障害とな
っていた。
（発明の目的） 本発明の目的は容器に小さ々熱抵抗で取り付けの可能な
半導体装置を提供することにある。
（発明の構成） 本発明によれば、半導体基板の表面に素子領域とこの素
子領域中の素子を配線する配線層を設け、裏面に配線層
につらなる電極部とを設けた半導体装置を得る。この配
線層と電極部との接続は半導体基板を貫通する貫通孔を
通して行うこともできるし、半導体基板の側面に金属層
を形成して行うこともできる。半導体基板の表面が容器
に取り付けられるので、配線層表面は絶縁膜で被覆する
こともできる。
（発明の実施例） 次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。″
第２図は本発明の一実施例を示したもので、半導体素子
２０２は集積回路チップである。半導体基板２１１０表
面に素子領域２１２が設けられており、この素子領域２
１２に不純物拡散により複数のトランジスタ等の素子が
形成されている。
これらの素子は素子領域２１２上で配線［２１３で配線
されて所定の回路が形成されて（・る。半導体基板２１
１には貫通孔が設けられており、この貫通孔の表面は酸
化されている。この貫通孔に金属２１４が充填されて半
導体基板２１１の表面の配線層２１３が裏面に導びかれ
ている。半導体基板２１１の裏面にはポンディングパッ
ド２１５が貫通孔に充填された金属２１４に接続されて
いる。
半導体基板２１１の表面は絶縁性のマウント材２０３で
放熱板を兼ねているケース基板２０４に取り付けられて
いる。半導体基板２］１の裏面のポンディングパッド２
１５は金属細線２０６で外部導出リード２０７に接続さ
れている。かかる構成体が樹脂２０５で封止されている
。
かかる実施例によれば、素子領域２１２はケース基板２
０４に近く配置されているので、素子領域２１２で発生
した熱はより小さな熱抵抗でケース基板２０４を介して
外部へ放散される。この直接ケース基板２０４から放散
される熱は１０〜５０Ｗ程度の電力用集積回路で、約２
０〜４０％程度であり、従来例に比し極めて効率的に熱
放散を行うことができる。
第３図は本発明の他の実施例を示すもので、半導体基板
３１１の表面に素子領域３１２と配線層３１３とを有し
、裏面にポンディングパッド３１５を有する点では第２
図の実施例と同じである。配線層３１３とポンディング
パッド３１５との接続は半導体基板３１１の側面に設け
た金属層３１４で行っている。
本実施例によれば、半導体基板３１１に貫通孔を設ける
必要がなく製造が容易である。かかる半導体素子３０２
は第２図に示した半導体素子２０２と同様にケースに取
り付けられる。ケースに小さな熱抵抗で取り付は得る点
は第２図の実施例と同じ効果を得ることができる。
以上、説明したように、本発明によれば、極め１小さな
熱抵抗でケースに取り付けの可能な半導体装置を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置を示す断面図である。 第２図は本発明の一実施例による半導体素子を用いた半
導体装置の断面図である。 第３図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 １０２．２０２＊３０２・・・・・・半導体素子、　１
０３゜２０３・・・・・・マウント材、１０４，２０４
・・・・・・ケース基板、１０５，２０５・・・・・・
樹脂、１０６１２０６・・・・・・金属細線、１０７２
０７・・・・・・外部導出リード、１１１．２１１，３
１１・・・・・・半導体基板、１１２゜２１２．３１２
・・・・・・素子領域、１１３・・・・・・金属層、２
１３．３１３・・・・・・配線層、２１４・・・・・・
貫通孔に充填された金属、２１５，３１５・・・・・・
ボンディングパッド

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）表面に所定の素子が形成された半導体Ｍ基板と、
    該半導体基板の前記表面に形成されて前記素子を配線す
    る配線層と、前記半導体基板の裏面に形成されて外部と
    の接続をとる電極部と、前記半導体基板に形成されて前
    記配線層と前記電極部とを接続をとる接続導体とを含む
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）前記接続導体は前記半導体基板を貫通する貫通孔
    に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の半導体装置。
  3. （３）前記接続導体は前記半導体の側面に形成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
    装置。
JP58242564A 1983-12-22 1983-12-22 半導体装置 Pending JPS60134426A (ja)

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JP58242564A JPS60134426A (ja) 1983-12-22 1983-12-22 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123904A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123904A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器

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