JPH0821624B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0821624B2
JPH0821624B2 JP61239713A JP23971386A JPH0821624B2 JP H0821624 B2 JPH0821624 B2 JP H0821624B2 JP 61239713 A JP61239713 A JP 61239713A JP 23971386 A JP23971386 A JP 23971386A JP H0821624 B2 JPH0821624 B2 JP H0821624B2
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wiring
semiconductor device
resistor
conductor layer
short
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定信 佐藤
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し特に高精度特性を得るため
の半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の半導体装置は特性を合わせこむために短
絡する素子としてダイオード、トランジスタ抵抗を有し
ている。一般に第２図に示す様に必要に応じて素子（こ
こではダイオードを用いている）両端に強電力を印加し
素子を破壊することで素子を短絡し抵抗値の微調整が可
能となり高精度特性を得ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置は、特性を合わせるために
短絡する素子を他の素子と同様に拡散して設けるためチ
ップが大きくなる。またその素子を短絡するためには強
電力を印加せねばならずこのエネルギーによる影響とし
て、半導体装置の特性の劣化、信頼度の低下がおこる可
能性などの欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、両端が配線層に接続された抵抗を有する半
導体装置において、抵抗の一部に一端が接続された第１
の導体層と、抵抗の他部に一端が接続された第２の導体
層とを設け、第１の導体層と第２の導体層とを抵抗から
引き出し、かつ互いに重なり合う部分に絶縁膜を介在せ
しめた領域を含むことをで、絶縁膜を破壊し短絡するこ
とで抵抗の値を合わせ込むことが可能となる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図ａは本発明の一実施例の半導体装置の正面図で
ある。抵抗１の微調整を行うために抵抗１に数ケ所のコ
ンタクト部６を設け第１図ａに示す通り各コンタクト部
６にAl配線２、ポリシリ配線３を施している。ここでAl
配線２とポリシリ配線３の接する箇所の断面X-X′図を
第１図ｂに示す。Al配線２とポリシリ配線３との間にポ
リシリ酸化膜４があり、Al配線２とポリシリ配線３の重
なった部分がコンデンサ構造を持った特性を合わせるた
めに短絡する為の素子となる。
このAl配線２とポリシリ配線３との間に必要に応じて
電圧を印加してポリシリ酸化膜４を破壊しAl配線２とポ
リシリ配線３を短絡させ抵抗１の抵抗値を微調整するこ
とができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、チップ上層の導電体配
線を利用した導電体配線、薄膜の絶縁膜、導電体配線の
三層からなるコンデンサ構造の特性を合わせこむために
短絡する素子とすることにより自在にこの素子をチップ
面積を大きくすることなく設けることができ、また薄膜
の絶縁膜の厚さをコントロールすることで短絡するため
にこの素子に印加する電圧もコントロールでき低エネル
ギーで短絡することが可能となり半導体装置の特性、信
頼度に及ぼす影響も少なくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の正面
図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）X-X′線の断面図、
第２図は従来の半導体装置の正面図である。 １……抵抗、２……Al配線、３……ポリシリ配線、４…
…ポリシリ酸化膜、５……ダイオード、６……コンタク
ト部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】両端が配線層に接続された抵抗を有する半
    導体装置において、 前記抵抗の一部に一端が接続された第１の導体層と、前
    記抵抗の他部に一端が接続された第２の導体層とを設
    け、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを前記抵抗
    から引き出し、かつ互いに重なり合う部分に絶縁膜を介
    在せしめた領域を含むことを特徴とする半導体装置。
JP61239713A 1986-10-07 1986-10-07 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0821624B2 (ja)

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JPS6393132A JPS6393132A (ja) 1988-04-23
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