JP3677346B2 - 電界効果により制御可能の半導体デバイス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基体の上にその表面に対して絶縁されてドープされているポリシリコン層が配設され、その第1の部分がゲート電極でありまた第2の部分がゲート導体用の接触面である、電界効果により制御可能の半導体デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
上述の形式の電界効果により制御可能の半導体デバイス、例えばパワーMOSFET又はIGBTはよく知られている。例えばモジュール内には一般に多数のこの種の半導体デバイスが互いに並列に接続される。制御回路内の寄生導線インダクタンスにより導通制御の際にこのような配列は一定の投入接続を阻止する振動を生じる傾向がある。
【0003】
従ってこれまでモジュール内には抵抗体のチップが組み込まれ、このチップは一方では半導体デバイスのゲート端子と他方ではモジュールの外部のゲート端子とボンディング線により接続されなければならなかった。この解決法はモジュール内に付加的な面を必要としまた付加的な接続導線を必要とする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上述の形式の電界効果により制御可能の半導体デバイスを別個の抵抗体なしでも並列接続に適するように改良することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この課題は本発明により、接触面とゲート電極との間にある少なくとも1個のオーム抵抗体を介して接触面がゲート電極と電気的に接続されることにより解決される。
【0006】
【実施例】
本発明を個々の実施例に基づき図1〜図4との関連において以下に詳述する。
【0007】
図1には電界効果により制御可能の半導体デバイスの断片の平面図が示されている。半導体基体の表面は絶縁層(図示せず)で覆われており、その上に更にドープされたポリシリコン層が配設されている。このポリシリコン層はゲート電極の作用をする第1の部分1とゲート導線を固定するための接触面を形成する第2の部分3を有する。ポリシリコン層のゲート電極1は開口2を備えており、この開口を介してポリシリコン層に対して絶縁されて接触孔を介して半導体デバイスの個々のセルのソース帯域が接触化されている。これらの接触孔はゲート電極1の表面上に配分された規則的なパターンを形成する。比較的大きなチップの場合ゲートポテンシャルを一層良好に配分するためのゲート接触フィンガを容れるために、隣接するセル間に接触孔を含まない比較的広い面7があってもよい。
【0008】
ゲート電極1には接触面3が配置されている空所4がある。接触面3とゲート電極1との間ではドープされたポリシリコンが例えばエッチングにより中断されている。空所4内には接触面3とゲート電極1との間に集積されたオーム抵抗体を形成するアイランド5がある。アイランド5は有利にはドープされた多結晶シリコンからなり、接触面3及びゲート電極1と同じドーピングを有している。アイランド5はまたゲート電極1及び接触面3と同じ厚さであると有利である。アイランド5は導電路6を介して一方ではゲート電極1と、他方では接触面3と接続されている。
【0009】
アイランド5は接触面3及びゲート電極1のパターン化と同時に形成されてもよい。それらの長さ及び断面積はゲート前置抵抗Rgの値により定められる。
【0010】
図2に基づく実施例では接触面3はゲート電極1とウェブ8により接続されている。これらのウェブもやはりポリシリコンからなる。それらの長さ及び断面積もまたゲート前置抵抗Rgの値により定められる。
【0011】
図3に基づく実施例は図1のそれと異なり、アイランド5は接触面23の空所24内に配設されている。アイランド5はここでは図1による実施例のように導電路6により一方では接触面23と他方ではゲート電極1と接触化される。空所24は図示されているように接触面23の角部にあっても又はその周囲の別の箇所にあってもよい。アイランド5は空所24のように正方形であっても、別の形をしていてもよい。
【0012】
図4に示すように、半導体帯域11、13を有する半導体デバイスの表面は酸化物層12で覆われている。この酸化物層12上には接触面3、アイランド5及びゲート電極1からなるパターン化されたポリシリコン層がある。ポリシリコン層の上にはゲート電極1も接触面3及びアイランド5も被覆する絶縁層10がある。絶縁層10上の接触面3の上方に金属層14が配設されている。ゲート電極1上には図1との関連において記載されているゲート接触フィンガ15が載っている。このゲート接触フィンガ15も金属層により形成されている。接触面3上の金属層14は接触孔19を介してその下にあるポリシリコン層と電気的に接続されている。同様にしてゲート接触フィンガ15は接触孔16を介してゲート電極1と接続されている。アイランド5も酸化物絶縁層10で覆われているので、分離された導電路6は接触孔17を介して抵抗体であるアイランド5のポリシリコン層と接続されている。金属層14はボンディング線18を介して半導体デバイスの外部の接続端子と接続されている。
【0013】
アイランド5又はウェブ8(図2参照)は1実施例によれば厚さ0.5〜1μmのポリシリコンにより形成される。それらの幅及び長さは例えば0.5mmであってもよい。ポリシリコンは例えば20Ω/□の抵抗体を有するようにドープされていてもよい。
【0014】
図4による断面には簡略化のため1個の抵抗体のアイランド5のみが示されている。しかし図1ないし図3に示すように複数の抵抗体を集積することも可能である。並列に接続された抵抗体の数に相応してゲート前置抵抗Rgの抵抗値は減少する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体デバイスの1実施例の平面図。
【図2】本発明による半導体デバイスの別の実施例の平面図。
【図3】本発明による半導体デバイスの更に別の実施例の平面図。
【図4】本発明による半導体デバイスの1実施例の切断面図。
【符号の説明】
1 ゲート電極
2 開口
3、23 接触面
4、24 空所
5 アイランド(オーム抵抗体)
6 導電路
7 接触孔のない広い面
8 ウェブ
10 絶縁層
11、13 半導体帯域
12 酸化物層
14、金属層
15 ゲート接触フィンガ
16、17、19 接触孔
18 ボンディング線
Claims (5)
- 半導体基体の上にその表面に対して絶縁されて、ドープされているポリシリコン層が配設され、その第1の部分がゲート電極でありまた第2の部分がゲート導体用の接触面であり、接触面(3)とゲート電極(1)との間にある少なくとも1個の集積されたオーム抵抗体(5、8)を介して接触面がゲート電極と電気的に接続されており、更にオーム抵抗体がドープされた多結晶シリコンからなる電界効果により制御可能の半導体デバイスにおいて、
接触面(23)の縁部に少なくとも1個の空所(24)が設けられ、オーム抵抗体(5)が該空所(24)内に配設されていることを特徴とする電界効果により制御可能の半導体デバイス。 - オーム抵抗体が、少なくとも1個の導電路(6)を介して接触面(3)とまた少なくとも1個の導電路(6)を介してゲート電極(1)と接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。
- 接触面(3)が長方形をしており、各々の角部又はその近くにオーム抵抗体(5)が配設されていることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。
- 接触面(3)の各々の角部に正方形の空所(24)が設けられており、各々の空所内に正方形のオーム抵抗体(5)が配設されていることを特徴とする請求項3記載の半導体デバイス。
- 接触面(3)、オーム抵抗体(5)及びゲート電極(1)が絶縁層(10)で覆われており、ゲート電極(1)の上方及び接触面(3)の上方のこの絶縁層(10)上にそれぞれ金属層(14、15)があり、それらがゲート電極(3)又は接触面(1)と絶縁層(10)内に設けられた接触孔(16、19)を介して電気的に接続されており、導電路(6)がオーム抵抗体(5)、接触面(3)及びゲート電極(1)と接触孔(17)を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体デバイス。
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