DE19808154A1 - Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode - Google Patents
Bipolartransistor mit isolierter GateelektrodeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnologie. Sie betrifft
insbesondere einen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) nach dem Oberbe
griff des ersten Anspruchs. Ein solcher IGBT ist beispielsweise aus der Deut
schen Offenlegungsschrift DE 196 12 516 A1 bekannt.
In IGBTs nach dem Stand der Technik wird das Gate Signal zunächst mit Hilfe
eines Gate Runners über an die Peripherie der Chips verteilt (siehe
DE 196 12 516 A1. Schmale Streifen (Gatefinger) führen dann das Signal ins Innere des
Chips (deutlich zu sehen in EP 0 755 076 A2). Sowohl der Gate Runner, wie auch
die Gate Finger bestehen aus einer Al Metallisierung. Die üblicherweise ver
wendete Designregel besagt, daß der Abstand x der Gate Finger folgende Be
dingung erfüllen muß.
R ist der Schichtwiderstand des Polysiliziums, das das Signal vom Gatefinger
zum physikalischen Gate führt, c die MOS Kapazität pro Fläche des Gates und,
die charakteristische Schaltzeit des IGBTs gegeben durch τ = RGate.Ctot.RGate ist
der Gate Vorwiderstand und Ctot die totale MOS Kapazität des Chips. Typische
Werte sind c = 30 nF/cm2, R = 30 Ohm und τ = 200 nsec. Das resultiert in
x « 0.47 cm. Ist die obige Bedingung erfüllt, so ist - unabhängig vom Gate-
Vorwiderstand - die Spannungsverteilung im Gate zu jedem Zeitpunkt während
des Schaltens flach und deshalb die Stromdichte homogen.
Gate Finger erfordern jedoch eine komplexe und teure Lötmetallisierung (falls
kathodenseitiges Löten erforderlich ist) und stellen hohe Anforderungen an die
Passivierung. Passivierungsschwächen führen zu Gate-Emitter Kurzschlüssen
die sich als Frühausfälle manifestieren und nur mit aufwendigen Burn-in Tests
erfaßt werden können. Ähnliche Probleme treten bei der Druckkontaktierung
auf.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen IGBT anzugeben, der auf einfache Weise
hergestellt werden kann und trotzdem homogen eingeschaltet. Diese Aufgabe
wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
Kern der Erfindung ist es also, daß der Gatestrom im IGBT-Chip ausgehend
vom Gateanschluß unmittelbar über die Polysiliziumschichten der Gateelektro
den zu den IGBT-Einheitszellen weitergeleitet wird.
Die Erfindung wendet sich somit diametral ab von der herrschenden Ansicht,
daß ab einer gewissen Chipgröße homogenes Einschalten nur unter Verwen
dung von Gatefingern erreicht werden kann. Vielmehr haben die Erfinder erst
mals erkannt, daß für homogenes Abschalten eines IGBTs andere Designregeln
gelten als für MOS Transistoren. Die Erfinder haben insbesondere erkannt, daß
maximale Verlustleistungsdichte ist immer homogen ist, wenn die Plasmavertei
lung noch homogen ist. Ein bipolares Bauelement verhält sich insbesondere dem
Zeitpunkt, in dem der MOS Strom nicht mehr genügt, um den äußeren Strom
aufrecht zu erhalten, prinzipiell anders als ein unipolares wie ein MOS Transistor.
Nach diesem Zeitpunkt erfolgt ein Übergang von bipolarem Strom zu rei
nem Löcherstrom, verbunden mit einem Ausräumen der Hauptjunction. Sobald
dieser Prozeß abgeschlossen ist, wird der volle Strom von Löchern getragen und
die Raumladungszone baut sich auf. Die Plasmaverteilung ist aber lateral im
mer noch recht homogen. Deshalb wird auch die sehr inhomogene Stromvertei
lung rasch homogenisiert. Zum Zeitpunkt der maximalen Verlustleistung ist die
Stromverteilung nahezu homogen. Deshalb wird die Safe Operating Area nicht
reduziert und die Abschaltenergie kaum verändert. Als Konsequenz lassen sich
IGBTs ohne Gate Finger bauen.
Die Vorteile der Erfindung sind insbesondere darin zu sehen, daß
- - durch den Wegfall der Gatefinger eine einfache und billige Ausführungen der Lötmetallisierung ermöglicht wird,
- - die einfachere Technologie eine höhere Zuverlässigkeit bei der Druckkon taktierung der Chips ermöglicht.
In Vorversuchen wurde ein langsamer 2.5 kV Chip ohne Gate Finger gebaut und
seine Eigenschaften gemessen. Sie waren innerhalb der Fehlergrenze ununter
scheidbar von der Version mit Gate Finger. Die Befürchtung bestand jedoch, ein
schneller Chip würde ohne Gate Finger unter extrem inhomogenen Stromvertei
lungen abschalten und deshalb hohe Schaltverluste, langsame Transienten und
kleine SOA aufweisen. Analytische Rechnungen, numerische Simulationen das
Schaltverhalten sowie Schaltversuche von schnellen IGBTs ohne Gate Finger
habe jedoch verblüffende Resultate gezeigt. Es zeigte sich, daß eine Signalaus
breitungszeit vergleichbar mit der Schaltzeit τ nicht notwendigerweise zu einer
inhomogenen Stromverteilung beim Abschalten führt. Die Versuche zeigten auch,
daß das Einschalten im Vergleich zum Abschalten unkritisch ist.
Im Fall, daß
gewählt wird, tritt beim Abschalten nämlich zunächst eine Stromumverteilung
auf. Die äußeren Teile des Chips beginnen abzuschalten, die Last hält den tota
len Strom konstant und kommutiert Strom ins Zentrum des Chips. Zu dem Zeit
punkt ist die Anodenspannung noch im wesentlichen Null.
Zum diesem Zeitpunkt genügt der MOS Strom nicht mehr, um den äußeren
Strom aufrecht zu erhalten. In einem reinen MOS Transistor setzt jetzt der
Spannungsanstieg ein. Der Spannungsanstieg koppelt über die Gate-Anoden
(Miller) Kapazität Ladung ins Gate, derart, daß die Spannungsverteilung über
das Gate konstant bleibt und der Strom nicht weiter abfällt. Sobald die volle
Lastspannung erreicht ist, bricht der Regelmechanismus ab, die Gatespannung
sinkt und das Bauelement schaltet ab.
Der Kern der Erfindung ist nun, daß sich ein bipolares Bauelement ab dem o. g.
Zeitpunkt prinzipiell anders verhält. Nach diesem Zeitpunkt erfolgt ein Über
gang von bipolarem Strom zu reinem Löcherstrom, verbunden mit einem Aus
räumen der Hauptjunction. Sobald dieser Prozeß abgeschlossen ist, wird der
volle Strom von Löchern getragen und die Raumladungszone baut sich auf. Die
Plasmaverteilung ist aber lateral immer noch recht homogen. Deshalb wird auch
die zum diesem Zeitpunkt sehr inhomogene Stromverteilung rasch homogeni
siert. Zum Zeitpunkt der maximalen Verlustleistung ist die Stromverteilung na
hezu homogen. Deshalb wird die Safe Operating Area nicht reduziert und die
Abschaltenergie kaum verändert. Damit können IGBTs gebaut werden, die ohne
Gatefinger auskommen.
Claims (1)
- Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode (IGBT) umfassend min destens einen IGBT-Chip mit einer Mehrzahl von parallelgeschaltete IGBT-Einheitszellen, pro Chip einen ersten und zweiten Hauptan schluß und mindestens einem Gateanschluß, der mit den Gateelek troden der IGBT-Einheitszellen in elektrischer Wirkverbindung steht, wobei die Gateelektroden durch elektrisch parallelgeschaltete Polysi liziumschichten gebildet werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Polysiliziumschichten mit dem oder jedem Gateanschluß in unmittel barer Wirkverbindung verbunden sind.
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