DE19710884A1 - Bipolar-Transistoren mit isoliertem Gate - Google Patents
Bipolar-Transistoren mit isoliertem GateInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Bipolar-Transistoren mit iso
liertem Gate (IGBT′s), die nicht verriegelnd sind, d. h. in den
nicht leitenden Zustand zurückgehen, wenn kein Gate-Signal anliegt
oder die Gate-Elektrode auf das Potential des Source-Anschlusses
gelegt wird.
IGBT-artige Bauelemente er fordern eine sehr feine Geometrie mit
einer entsprechenden Fehlerwahrscheinlichkeit, die die Leistung
des Bauelements beeinflußt. Da die verschiedenen Zellen eines sol
chen Bauelementes parallel arbeiten, ist ein Fehler, der zu einer
permanenten Leitfähigkeit einer Zelle führt, katastrophal. Die
hohe Anzahl von Zellen, die in großen Bauelementen für hohe Lei
stung benötigt wird, führt daher zu besonderen Herstellungsproble
men.
Bei der Herstellung von großen solchen Bauelementen ist eine Viel
zahl von Methoden verwendet worden, um dieses Problem zu umgehen.
Hierzu gehören die Montage einer größeren Anzahl von ausgewählten
kleineren Einheiten in einem gemeinsamen Gehäuse oder die Methode,
die Source-Kontakte von fehlerhaften Teilen eines einzigen Sili
zium-Substrates (Wafer) offen zu lassen. Die Beschränkungen sol
cher Methoden hat die Anwendung solcher Bauelemente in der Vergan
genheit sehr behindert. Insbesondere ist die Möglichkeit verloren
gegangen, ein Bauelement zwischen zwei großer Elektroden einzu
spannen, die als effiziente Ladungsleitmittel wirken und die Ver
lustwärme von zwei Seiten abführen, wie es üblicherweise mit her
kömmlichen Leistungs-Halbleitern getan wird. Darüber hinaus führt
die Notwendigkeit, größere Einheiten durch Zusammenfassung von
kleineren Einheiten in einem Gehäuse herzustellen, zu einer Ver
größerung der Gesamtfläche der Sperrschichten für die Hauptspan
nung und begrenzt die Gestaltung solcher Sperrschichten auf ebene
Möglichkeiten, mit der Konsequenz, daß die verfügbaren Bereiche
für Schutzring-Strukturen zum Sperren von hohen Spannungen verlo
ren gehen.
EP-A- 0 237 932 und EP-A-0 649 176 offenbaren jeweils ein Bauele
ment mit einer Vielzahl von IGBT-artigen Zellen, die gruppenweise
auf einem einzelnen Silizium-Wafer angeordnet sind, wobei jede
Gruppe von Zellen eine vereinigte Gate-Struktur und eine vereinig
te Source-Struktur aufweisen, die elektrisch isoliert, aber physi
kalisch überlappend sind.
Aus dem Artikel "Large Area MOS-Gated Power Devices Using Fusible
Link Technology", von P. Venkatraman & B. Jayant Baliga, in der
IEEE Transactions on Electric Diveces", Jahrgang 43, Nr. 2, Fe
bruar 1996, zeigt ein großflächiges MOS-Gate Leistungs-Bauelement,
das in einer Anzahl von kleineren Segmenten unterteilt ist. Die
Source-Anschlüsse der Segmente werden durch eine Metallschicht
elektrisch miteinander verbunden, die sich über den gesamten Ober
bereich des Bauelementes erstreckt. Der Gate-Anschluß eines jeden
Segmentes ist mit einem gemeinsamen Gate-Bus mittels eines Siche
rungselementes verbunden, so daß ein fehlerhaftes Segment mittels
seines zugeordneten Sicherungselementes isoliert werden kann.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterbauelement
geschaffen, mit einer Vielzahl von IGBT-artigen Zellen, die in
Gruppen auf einem einzigen Silizium-Wafer angeordnet sind, wobei
jede Gruppe von Zellen eine gemeinsame Gate-Struktur und eine ge
meinsame Source-Struktur aufweist, die elektrisch von der
Gate-Struktur isoliert ist, sie jedoch physikalisch überlagert, wobei
die Gate-Struktur einer jeden Gruppe von Zellen mittels eines ent
fernbaren Verbindungselementes mit einer einzelnen Gate-Elektrode
für das gesamte Bauelement verbunden ist, so daß die Gate-Verbin
dung zu einer beliebigen Gruppe von Zellen unterbrochen werden
kann, indem das Verbindungselement entfernt wird, so daß die ent
sprechende Gruppe von Zellen abgeschaltet wird, wobei jede Gruppe
von Zellen separat mit einem eingebauten, kontrollierten
Shunt-Leiter zwischen ihrer source-Struktur und ihrer Gate-Struktur ver
sehen ist.
Normalerweise führt die Anwesenheit eines nicht gewollten Leiters
zwischen der Source-Struktur und der Gate-Struktur einer Gruppe
von Zellen zu der Notwendigkeit, diese Gruppe abzuschalten, daß
im Fall, daß der nicht gewollte Leiter unzuverlässig ist, wird die
Leitfähigkeit des eingebauten, geregelten Shunt-Leiters verwendet,
um den "Aus-Zustand" der abgeschalteten, d. h. von der Gate-Struk
tur getrennten Gruppe, zu gewährleisten.
Das Verfahren und die Mittel, mit denen die richtigen Trennungen
erreicht werden, bestehen darin, in einem ersten Schritt eine
Gruppe von Zellen zu identifizieren, die einen Fehler beinhalten,
d. h. einen wesentlich höheren Leitwert zwischen ihrer Gate-Struk
tur und ihrer Source-Struktur, als durch den gewollten Shunt-Lei
ter gegeben wäre, und Entfernen in einem zweiten Schritt des
Gate-Verbindungselementes, z. B. durch einen Stromstoß, Laserbestrah
lung, chemisches Ätzen, mechanischen Abrieb etc.
Die Elektrodenoberflächen der Source-Strukturen aller Gruppen sind
vorzugsweise coplanar und werden gleichzeitig durch ein planares
Kontaktelement kontaktiert, das elektrisch und thermisch leitend
ist, um einen großen Bereich mit einer elektrischen und thermi
schen Senke zu bilden.
Die Fläche des Silizium-Wafers, die dem genannten Element abge
wandt ist, kann einen Emitter für alle Zellen bilden, und kann mit
einem weiteren leitfähigen Element versehen sein, wobei das weite
re leitende Element mit einer Versorgungselektrode durch Löten
oder Anpressen verbunden ist, die im wesentlichen die Abmessungen
des planaren Elements aufweist.
Dabei kann die Hauptsperrschicht des Bauelementes an einer abge
winkelten Oberfläche (141) der Siliziumscheibe (1) an ihrem äuße
ren Umfang enden.
Die Erfindung wird im folgenden unter Bezug auf die Zeichnung nä
her beschrieben. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 den typischen Aufbau einer einfachen IGBT-Zeile,
Fig. 2 eine Anordnung von Gruppen von Zellen, wie sie in
Bauelementen gemäß dem Stand der Technik verwendet
worden ist,
Fig. 3 eine einfache Anordnung von Zellen, wie sie in ei
nem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
verwendet wird,
Fig. 4 eine einfache Anordnung von Zellen, wie sie in ei
ner anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung verwendet wird,
Fig. 5 einen Schnitt längs der Linie B-B1 in Fig. 4,
Fig. 6 einen Schnitt längs der Linie C-C1 in Fig. 4,
Fig. 7 eine Anordnung einer Gruppe von Zellen auf einem
einzigen Wafer mit einer umfangsmäßigen Begrenzung
des Sperrbereichs gemäß einer weiteren Ausführungs
form der Erfindung,
Fig. 8 einen Schnitt längs der Linie A-A1 in Fig. 7, und
Fig. 9 einen Schnitt längs der Linie B-B1 in Fig. 7.
Fig. 1 zeigt im Querschnitt den typischen Aufbau einer einzelnen
IGBT-Zelle und Fig. 2 zeigt eine Anordnung von Zellen, wie sie
aus dem Stand der Technik bekannt ist. Ein Wafer 1 aus n-dotiertem
Silizium weist an einer ersten Fläche 2 Bereiche 3 und 4 auf, die
jeweils durch aufeinanderfolgende Diffusionen von n- und p-Verun
reinigungen gebildet werden. An der gegenüberliegenden Fläche 5
weist der Wafer 1 ein feines Muster von Fenstern 20 in Form schma
ler Streifen auf, mit einer Oberflächenmaske aus einer dünnen
Schicht 6 eines thermisch gezüchteten Siliziumdioxyds, das von
einer Schicht 7 überdeckt wird, die im Dampfabscheideverfahren
(CVD) aufgebracht worden ist und aus geimpftem polykristallinen
Silizium besteht, gefolgt von einer im CVD-Verfahren aufgebrachten
dielektrischen Schicht 8 aus Siliziumdioxyd. Jedes Fenster 20 ist
der zentrale Bereich einer einzelnen IGBT-Zelle. Innerhalb des
Fensters befindet sich ein geimpfter Bereich des p-Typs, der durch
Eindiffundieren geschaffen wurde, dessen Umfangsgrenzen erweitert
sind durch Einsetzen und Eindiffundieren eines p-Typs-Donator 10
niedriger Konzentration gefolgt von einem Bereich mit eingesetzten
n+ Donator 11, wobei dasselbe Fenster als Maskierung verwendet
wird, aber weniger eindefundiert wird, so daß der Bereich voll
ständig innerhalb der Grenzen des erweiterten p-Bereichs 10 liegt.
Die Hauptelektrode an der zweiten Fläche ist die Source-Elektrode,
die aus einer Metallisation 12 besteht, die so aufgebracht und
gesintert ist, daß die dielektrische CVD-Schicht 8 bedeckt wird
und diese Bereiche innerhalb der Fenster über die Länge der n-Typ
dotierten Region 11, wie in Fig. 2 dargestellt. (Fig. 1 ist ein
Schnitt längs der Linie A-A1 gemäß Fig. 2 und stellt eine Zelle
dar). Das polykristalline Silizium ist in den Endbereichen 7a ei
ner jeden Zelle durch die angrenzende Bildung eines weiteren Fen
sters 13 in der dielektrischen Schicht 8 freigelegt, so daß eine
Kontaktierung mit der Gate-Elektrode möglich ist, die in Form ei
ner metallisierten Schicht 14 um eine jede Gruppe von Zellen herum
verläuft und einen Rahmen bildet, die die Enden aller solcher po
lykristallinen Siliziumstreifen elektrisch miteinander verbindet.
Eine Anzahl solcher metallisierter Gate-Rahmen kann gemeinsam ver
bunden werden. Der Rahmen kann einen erweiterten metallisierten
Bereich 14a aufweisen, der als Anschlußbereich für Drahtverbindun
gen genutzt werden kann. Die Fläche 2 des Wafers 1 ist über eine
Metallisation 21 mit einer größeren Elektrode verbunden, oder
durch Löten, zur Verwendung als Anoden-Elektrode. Weitere Be
schreibungen des Aufbaus und der Herstellung von ähnlichen Bauele
menten gemäß dem Stand der Technik können der folgenden Literatur
stelle entnommen werden: MODERN POWER DEVICES by B. Jayant Baliga;
John Wiley and Sons, Inc., N.Y., 1987 [ISBN 0-471-63781-5] (vgl.
S. 350 ff.).
Fig. 3 zeigt eine Gruppe von streifenartigen Zellen gemäß Fig. 1
(die auch einen Schnitt längs der Linie A-A1 gemäß Fig. 3 dar
stellt), die in ähnlicher Weise mittels eines Verbindungsrahmens
für die Enden 7a ihrer polykristallinen Silizium-Gate-Elektroden 7
umgeben ist. Im Gegensatz zu Fig. 3 ist dieser Rahmen jedoch ein
Sekundärrahmen 114, der so benannt wird, da er lediglich dazu vor
gesehen ist, die Enden der Gate-Elektroden lediglich einer Gruppe
miteinander zu verbinden, während ein anderer Sekundärrahmen die
selbe Funktion für andere Gruppen von Zellen ausführt. Jeder Se
kundärrahmen 114, der jeweils eine gemeinsame Gate-Struktur bil
det, ist mittels eines entfernbaren Verbindungselementes 115 mit
einem metallisierten Bereich verbunden, der einen primären
Gate-Rahmen 116 bildet. Jede beliebige Gruppe von Zellen, die von einem
Sekundär-Gate-Rahmen 114 umgeben ist, kann von dem jeweiligen Pri
märrahmen 116 abgetrennt werden, indem das entsprechende entfern
bare Verbindungselement 115 unterbrochen oder entfernt wird. Vor
ausgesetzt, daß die durch den abgetrennten Sekundärrahmen versorg
te Gruppe von Zellen völlig inaktiv verbleibt, wird sie beim Be
trieb des Bauelementes keine Rolle spielen. Demgemäß kann jede
Gruppe von Zellen, die eine potentielle Fehlstelle enthält, auf
grund derer das Gate-Signal wegen fehlerhafter Isolierung zwischen
Gate 7 und der gemeinsamen Source-Struktur 12 der Gruppe kurzge
schlossen werden könnte, durch Abkoppeln des Sekundärrahmens 114
vom Primärrahmen 116 mittels des entfernbaren Verbindungselementes
115 isoliert werden, um einen zufriedenstellenden Betrieb der ver
bleibenden Gruppen von Zellen zu gewährleisten. Es gibt eine Viel
zahl von geeigneten Methoden, um das Verbindungselement 115 zu
unterbrechen, u. a. (aber nicht ausschließlich) chemische Erosio
nen, mechanischer Abrieb, Belastung durch elektrische Stromstöße
und Laserbestrahlung.
Fig. 4 zeigt ein weiteres Merkmal, das im Zusammenhang mit einem
jeden Sekundär-Gate-Rahmen 114 verwendet wird, um ein Bauelement
gemäß der vorliegenden Erfindung zu schaffen. Durch einen Kurz
schluß zwischen einem Gate 7 und der Source 12 aufgrund einer man
gelhaften Isolation würde erwartungsgemäß die betroffene Gruppe
von Zellen permanent nicht leitend. Da jedoch ein solches Merkmal
nur als Fehler vorhanden ist, kann es u. U. nicht zuverlässig sein.
Ein eingebauter, gesteuerter Shunt-Leiter zwischen dem Sekundär
rahmen 114 und dem Source-Anschluß 12 wird daher hinzugefügt, wo
ein zuverlässiges Verhalten sicherzustellen. Zu diesem Zweck ist
ein zusätzlicher Streifen 117 aus polykristallinen Silizium über
die Oberfläche der Gate-Oxydschicht 6 gelegt, der sich von dem
Sekundärrahmen 114 in jede Gruppe von Zellen hineinerstreckt und
durch das CVD-Oxyd 8 überdeckt wird. Das einwärtige Ende des
Streifens 117 ist vergrößert, so daß ein Kontaktbereich 117a ge
bildet wird, der über ein Fenster 118 in der Oxydschicht 8 der
Source 12 kontaktiert wird. Der elektrische Widerstand des aus
polykristallinen Silizium bestehenden Streifens 117 wird einge
stellt (z. B. durch Dotieren), um die gewünschte Leitfähigkeit zwi
schen den metallisierten Schichten 114, 12 des Sekundärrahmens und
der Source herzustellen. Die Konstruktion ist durch Schnitte B-B1
und C-C1 in den Fig. 5 und 6 dargestellt.
Fig. 7 zeigt eine Anordnung von Gruppen von IGBT-Zellen, die auf
einer Scheibe angeordnet sind, die einen einzigen Silizium-Wafer
aufweist, wobei die gleichen Bezugszeichen wie in den vorhergehen
den Figuren verwendet worden sind, falls diese zutreffen. Jede
Gruppe von Zellen füllt einen trapezförmigen Sekundär-Gate-Rahmen
114 aus, wobei die Länge der Fensterstreifen parallel zu den Sei
ten des Trapezes ausgerichtet sind und in der Länge geeignet abge
stuft sind. Fig. 8 ist ein Querschnitt längs der Linie A-A1 in
Fig. 7 (d. h. längs der Mittellinie zwischen zwei Streifenfen
stern) und Fig. 9 ist ein Querschnitt längs der Linie B-B1 in
Fig. 7 (d. h. senkrecht zur Linie der Zellen) und erstreckt sich
radial nach außen durch die Kante der Siliziumscheibe 1, um darzu
stellen, wie die Sperrbereiche abgeschlossen werden können. Die
Anordnung von trapezförmigen Gruppen von Zellen ermöglicht es, die
Siliziumscheibe 1 effizient zu nutzen. Der Primär-Gate-Rahmen 116,
der alle Sekundärrahmen 114 mittels der entfernbaren Verbindungs
elemente 115 verbindet, ist in günstiger Weise im Mittelbereich
der Scheibe zusammengefaßt, um einen Gate-Kontaktbereich 116a zu
bilden. Herkömmlicherweise würde eine Drahtverbindung oder mehrere
Drahtverbindungen in diesem Bereich vorgesehen, aber es ist zweck
mäßig, einen federnden Kontakt zu verwenden. Eine Verbindung zu
allen notwendigen Teilen der Sourceschichten 12 wird hergestellt,
indem eine flache Platte 130 mit großem Bereich (z. B. eine dicke
Molybdänscheibe) gegen die Oberflächen 12a gedrückt wird. Alterna
tiv kann eine dielektrische Beschichtung 131 (z. B. ein Polyamid
lack) über die Bereiche von Primär- und Sekundär-Gate-Rahmen, und
über die entfernbaren Verbindungselemente zwischen diesen aufge
bracht werden, um die Möglichkeit auszuschließen, daß irgendein
leitender Fremdkörper oder Metall, das bei den folgenden thermi
schen Belastungen oder Kompressionskräften abgelöst wird, einen
Kurzschluß zwischen den Source- und Gate-Elektroden verursacht.
Die Kantenregion der dargestellten Siliziumscheibe 1 umfaßt eine
stärker p-dotierte Zone 140, die eine geeignete Konzentration an
Dotierungsstoffen aufweist, wie sie beispielsweise für die Sperr
zone eines Thyristors verwendet würde. Auf diese Weise kann eine
herkömmliche doppelte Abschrägung mit negativen Abschrägungen 141
und positiver Abschrägung 142 verwendet werden, gefolgt von einem
Anätzen der abgeschrägten Oberflächen und Aufbringen einer dielek
trischen Beschichtung 143 aus einem Silastomer oder Harz. Alterna
tive Profile (z. B. eine doppelt positive Abschrägung) können ver
wendet werden, so wie sie aus dem Stand der Technik bekannt sind.
Bauelemente mit einer hohen Rückwärtssperrspannung können ebenso
hergestellt werden, indem die n-Zwischenschicht 3 weggelassen wird
und die ursprüngliche n-dotierte Siliziumscheibe 1 dicker ausge
führt wird. Die Fläche 2, die für alle Zellen einen Emitter bil
det, wird mit einer Anodenmetallisation 21 versehen, die an eine
Trägerelektrode angelötet oder gegen diese gepreßt werden kann,
die im wesentlichen Abmessungen der Platte 130 aufweist.
Claims (5)
1. Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von IGBT-artigen Zel
len, die in Gruppen auf einem einzigen Silizium-Wafer (1)
angeordnet sind, wobei jede Gruppe von Zellen eine gemeinsame
Gate-Struktur (114) und eine gemeinsame Source-Struktur (12)
aufweist, die elektrisch von der Gate-Struktur (114) isoliert
ist, sie jedoch physikalisch überlagert, dadurch gekennzeich
net, daß die Gate-Struktur (114) einer jeden Gruppe von Zel
len mittels eines entfernbaren Verbindungselementes (115) mit
einer einzelnen Gate-Elektrode (116) für das gesamte Bauele
ment verbunden ist, so daß die Gate-Verbindung zu einer be
liebigen Gruppe von Zellen unterbrochen werden kann, indem
das Verbindungselement entfernt wird, so daß die entsprechen
de Gruppe von Zellen abgeschaltet wird, wobei jede Gruppe von
Zellen separat mit einem eingebauten, kontrollierten
Shunt-Leiter (117) zwischen ihrer Source-Struktur (12) und ihrer
Gate-Struktur (114) versehen ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Elektrodenoberflächen
(12a) der Source-Strukturen (12) aller Gruppen coplanar sind
und gleichzeitig durch ein ebenes, elektrisch und thermisch
leitendes Element (130) kontaktiert werden.
3. Bauelement nach Anspruch 2, wobei die Fläche (2) des Silizi
um-Wafers (1), die dem genannten Element (13) abgewandt ist,
einen Emitter für alle Zellen bildet und mit einem weiteren
leitenden Element (21) versehen ist.
4. Bauelement nach Anspruch 3, wobei das weitere leitende Ele
ment (21) mit einer Versorgungselektrode durch Löten oder
Anpressen verbunden ist, die im wesentlichen die Abmessungen
des planaren Elements (130) aufweist.
5. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Hauptsperrschicht des Bauelementes
an einer abgewinkelten Oberfläche (141) der Siliziumscheibe
(1) an ihrem äußeren Umfang endet.
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