JPH03238868A - 縦型電界効果トランジスタ - Google Patents

縦型電界効果トランジスタ

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JPH03238868A
JPH03238868A JP2035380A JP3538090A JPH03238868A JP H03238868 A JPH03238868 A JP H03238868A JP 2035380 A JP2035380 A JP 2035380A JP 3538090 A JP3538090 A JP 3538090A JP H03238868 A JPH03238868 A JP H03238868A
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gate
diode
resistor
field effect
bonding pad
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Chizuru Kayama
香山　千鶴
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は縦型電界効果トランジスタに関する。
〔従来の技術〕
従来の縦型電界効果トランジスタは、第３図（ａ）、（
ｂ）に示すように、Ｎゝ型シリコン基板１の上にＮ型エ
ピタキシャル層２を成長させ、Ｎ型エピタキシャル層２
の表面にゲート酸化［３を形成する。次に、ゲート酸化
膜３の上にポリシリコン層を選択的に設けてゲート電極
４を形成し、ゲート電極４をマスクとしてＰ型不純物を
イオン注入しベース領域９を形成する０次に、ソース領
域１０はソース・ソース間にアルミニウム層を選択的に
形成し、ベース形成時のゲート電極４とアルミニウム層
をマスクとしてイオン注入を行ない形成する０次に、ア
ルミニウム層を除去した後、酸化膜１２を堆積し、選択
的に開孔してアルミニウム電極１３を形成している。こ
こで、ソース−ゲート、ゲート−ドレイン間は、酸化膜
１２によって絶縁されているため容量が存在するが、ス
イッチング速度は容量に依存するため、ゲート酸化膜３
の厚さや、ゲート電極４の形状を変えることによって操
作をしていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の縦型電界効果トランジスタのスイッチン
グ速度は、入力容量に依存し、ゲート電極構造の影響が
大きい。即ち、容量は電極面積。
絶縁物の誘電率、電極間距離等の関数であるため、スイ
ッチング速度は、ゲート電極構造によって制限されてい
る。そのため、スイッチング速度を変えようとしてゲー
ト電極構造を操作すると他の特性も変化してしまうとい
う欠点がある。
本発明の目的は、ゲート電極そのものの構造を変えるこ
となくスイッチング速度を制御可能とする縦型電界効果
トランジスタを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の縦型電界効果トランジスタは、ゲートボンディ
ングパッドの周囲に設けて前記ゲートボンディングパッ
ドとゲート電極との間に挿入して並列に接続しスイッチ
ング速度を調整するダイオード及び抵抗を備えている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例を示
す半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図及びＢ−
Ｂ’線断面図である。
第１図（ａ）〜（ｃ）に示すように、Ｎ＋型シリコン基
板１の上にＮ型エピタキシャル層２を成長させ、Ｎ型エ
ピタキシャル層２の表面にゲート酸化膜３を形成する。
次に、ゲート酸化膜３の上にポリシリコン層を堆積して
選択的にエツチングしゲート電極４と、ダイオード及び
抵抗形成用のポリシリコン層をゲートボンディングパッ
ド形成領域の周囲に選択的に設ける。
ここで、ダイオードの耐圧は、ダイオードを構成するＰ
壁領域の不純物濃度で決まるため、ノンドープのポリシ
リコン層を形成後狙いとするダイオードの耐圧５〜３０
Ｖに対し、Ｐ型不純物をドーズ量Ｉ　Ｘ　１０１３〜１
　ｘ　１０”ｃｍ−２でイオン注入し、Ｐ壁領域８を形
成する。次に、ベース領域９内にソース領域１０を形成
するが、ポリシリコン層をマスクとして選択的にイオン
注入を行うため、ダイオード部のＰ壁領域８の不純物濃
度が影響されないようベース領域９形成時はレジスト膜
で、ソース領域１０形成時はアルミニウム層でマスクを
する。ダイオード部のＮ型領域１１は、ソース形成時の
Ｎ型不純物イオン注入時に形成される。抵抗６は、Ｎ型
ポリシリコン層の比抵抗が２０〜３０Ω／口であること
から、幅と長さによって任意の抵抗を得ることができる
。各ポリシリコン層は、酸化膜１２で絶縁されＰ壁領域
８及びＮ型領域１１で構成されるダイオード及び抵抗６
はゲート電極４とゲートボンディングパッド７との間に
アルミニウム電極１３で並列に接続する。
第２図は第１図の等価回路図である。
第２図に示すように、オン状態の場合、電流１６はゲー
トボンディングパッド７から抵抗６を通るため、抵抗の
大きさ、ダイオードの耐圧により、ターンオンの時間を
制御でき、又、オフ状態の場合、ダイオード５は順バイ
アスとなるため電流１７により入力容量として充電され
た電荷をスムーズに導くことができ、ターンオフ速度が
遠くなる。
ここで、ダイオード部のＰ壁領域８とＮ型領域１１の導
電型を反対導電型にしてダイオード５の極性を逆にする
ことにより、ターンオン速度を速くし、ターンオフ速度
を遅くすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ダイオードを抵抗からな
るゲート電流制御回路を半導体チップに内蔵することに
より、縦型電界効果トランジスタのスイッチング速度を
、他の特性を変えることなくコントロールできるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例を示
す半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図及びＢ−
Ｂ’線断面図、第２図は第１図の実施例の等価回路図、
第３図（ａ）、（ｂ）は、従来の縦型電界効果トランジ
スタの平面図及びＣ−ｃ’線断面図である。 １・・・Ｎ＋型シリコン基板、２・・・Ｎ型エピタキシ
ャル層、３・・・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、
５・・・ダイオード、６・・・抵抗、７・・・ゲートボ
ンデイングパッド、８・・・Ｐ型頭域、９・・・ベース
領域、１０・・・ソース領域、１１・・・Ｎ型領域、１
２・・・酸化膜、１３・・・アルミニウム電極、１４・
・・ソース電極、１５・・・トレイン電極、１６．１７
・・・電流。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　縦型電界効果トランジスタにおいて、ゲートボンディ
    ングパッドの周囲に設けて前記ゲートボンディングパッ
    ドとゲート電極との間に挿入して並列に接続しスイッチ
    ング速度を調整するダイオード及び抵抗を備えたことを
    特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
JP2035380A 1990-02-15 1990-02-15 縦型電界効果トランジスタ Pending JPH03238868A (ja)

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JP2035380A JPH03238868A (ja) 1990-02-15 1990-02-15 縦型電界効果トランジスタ
US07/656,958 US5227655A (en) 1990-02-15 1991-02-15 Field effect transistor capable of easily adjusting switching speed thereof

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