JPS61230340A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS61230340A JPS61230340A JP7217185A JP7217185A JPS61230340A JP S61230340 A JPS61230340 A JP S61230340A JP 7217185 A JP7217185 A JP 7217185A JP 7217185 A JP7217185 A JP 7217185A JP S61230340 A JPS61230340 A JP S61230340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal lines
- conductor
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関する。
従来の半導体集積回路装置は、第4図に示すように信号
線が隣接して設けられていた。
線が隣接して設けられていた。
上述した従来の半導体記憶回路装置は、となシ合う信号
線の間の容量によシ、信号線相互に雑音を及し合い、動
作が不安定になるという欠点がある。すなわち、第4図
で示すように、信号線14゜15の間には寄生容量16
が存在する。導体14に5vが加っている時に導体15
に印加される電圧を5■からQVへ立下げると、容量に
よるカップリングにより導体14も5vから一時的に下
ってしまい雑音を受けることになる。この下シ方は、寄
生容量16、導体15と地気間の寄生容量17の容量値
の比、導体14.15をドライブしている電圧源の能力
で決まるが、近来の製造技術の進歩によシ、信号線の線
幅OS間は小さくなってきており、またチップサイズの
増大により信号線の走る距離も増大の傾向にあり、それ
にともなって信号線の間の寄生容量も増大化しており、
信号線間の寄生容量によって伝えられる雑音が、ある信
号線のレベル全下げ、半導体集積回路装置の誤動作を発
生させており、動作を不安定にさせていた。
線の間の容量によシ、信号線相互に雑音を及し合い、動
作が不安定になるという欠点がある。すなわち、第4図
で示すように、信号線14゜15の間には寄生容量16
が存在する。導体14に5vが加っている時に導体15
に印加される電圧を5■からQVへ立下げると、容量に
よるカップリングにより導体14も5vから一時的に下
ってしまい雑音を受けることになる。この下シ方は、寄
生容量16、導体15と地気間の寄生容量17の容量値
の比、導体14.15をドライブしている電圧源の能力
で決まるが、近来の製造技術の進歩によシ、信号線の線
幅OS間は小さくなってきており、またチップサイズの
増大により信号線の走る距離も増大の傾向にあり、それ
にともなって信号線の間の寄生容量も増大化しており、
信号線間の寄生容量によって伝えられる雑音が、ある信
号線のレベル全下げ、半導体集積回路装置の誤動作を発
生させており、動作を不安定にさせていた。
本発明の目的は、上述のような半導体集積回路の不安定
動作を除去することにある。
動作を除去することにある。
本発明の半導体集積回路装置は、第1および第2の信号
線と、核第1および第2の信号線の間に絶縁体を介して
設けられた一定電位に保たれた導体を含んで構成される
。
線と、核第1および第2の信号線の間に絶縁体を介して
設けられた一定電位に保たれた導体を含んで構成される
。
本発明の半導体集積回路装置は、導体が第1または第2
の信号線を囲むように形成されて構成されることもでき
る。
の信号線を囲むように形成されて構成されることもでき
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図、第2図はそれぞれ本発明の一実施例を模式的に
示した平面図およびA A’断面図である。
示した平面図およびA A’断面図である。
交差する2つの信号線1.3の間の容量による相互干渉
から起る雑音を信号線1.3が交差する位置において信
号線1.3の間に層間絶縁P7. 8を介し、導体パタ
ーン2(接地又は電源に接続)をはさんで防止している
。
から起る雑音を信号線1.3が交差する位置において信
号線1.3の間に層間絶縁P7. 8を介し、導体パタ
ーン2(接地又は電源に接続)をはさんで防止している
。
第3図は本発明の他の実施例の断面図で1本の信号線1
2を導体で完全に囲んで、他のどのような信号線との相
互干渉をも除去した例である。信号線12を層間絶縁層
13.13’を介し、3層にわたる4パターンの電気的
に接続した導体9,10゜10’、11(接地又は電源
に接続)が囲んでいる。
2を導体で完全に囲んで、他のどのような信号線との相
互干渉をも除去した例である。信号線12を層間絶縁層
13.13’を介し、3層にわたる4パターンの電気的
に接続した導体9,10゜10’、11(接地又は電源
に接続)が囲んでいる。
以上説明したように本発明は、信号線間に定電位の導体
を設けることによシ信号線間の容量は極端に小さくなソ
、一方の信号線の電位の変化による他方の信号線の一時
的な信号線の電位変化を小さくできる効果がある。
を設けることによシ信号線間の容量は極端に小さくなソ
、一方の信号線の電位の変化による他方の信号線の一時
的な信号線の電位変化を小さくできる効果がある。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の一実施例の平面
図および断面図、第3図は本発明の他の実施例の断面図
、第4図は従来の半導体集積回路装置の信号線を模式的
に示す図である。 1、3.12.14.15・・・・・・信号線、2.9
.10゜10’、11・・・・・・導体、?、 8.1
3.13’・・・・・・層間絶縁層、16.17・・・
・・・寄生容量。
図および断面図、第3図は本発明の他の実施例の断面図
、第4図は従来の半導体集積回路装置の信号線を模式的
に示す図である。 1、3.12.14.15・・・・・・信号線、2.9
.10゜10’、11・・・・・・導体、?、 8.1
3.13’・・・・・・層間絶縁層、16.17・・・
・・・寄生容量。
Claims (2)
- (1)第1および第2の信号線と、該第1および第2の
信号線の間に絶縁体を介して設けられた一定電位に保た
れた導体を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。 - (2)導体が第1または第2の信号線を囲むように形成
された特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7217185A JPS61230340A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7217185A JPS61230340A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61230340A true JPS61230340A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13481514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7217185A Pending JPS61230340A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61230340A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63268257A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | シールド伝送線構造体の製造方法 |
JPH01235256A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH021928A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-08 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH0282531A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7217185A patent/JPS61230340A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63268257A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | シールド伝送線構造体の製造方法 |
JPH01235256A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH021928A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-08 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH0570302B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1993-10-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPH0282531A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
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