JPH0282531A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0282531A JPH0282531A JP23551188A JP23551188A JPH0282531A JP H0282531 A JPH0282531 A JP H0282531A JP 23551188 A JP23551188 A JP 23551188A JP 23551188 A JP23551188 A JP 23551188A JP H0282531 A JPH0282531 A JP H0282531A
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- Japan
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- shielding
- wiring
- wire
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
Landscapes
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に半導体技術の微細化
、多層配線化に適した雑音遮蔽用電極を設けた半導体装
置に関する。
、多層配線化に適した雑音遮蔽用電極を設けた半導体装
置に関する。
従来、微小信号の伝播する信号配線、例えばアナログ・
デジタル変換回路のアナログ部や高速メモリー回路のセ
ンスアンプ部においては、外来の雑音あるいは、他の信
号配線との容量結合、電磁結合による雑音の影響を避け
るために、第４図のように微小信号の配線１と他の信号
配線１′を交差せず、十分な距離をとって配置するか、
又は、第５図に示すように、微小信号線１の絶縁膜を介
して上方にのみ接地された別の金属電極２を、微小信号
線１０大部分を覆うように配置していた。
デジタル変換回路のアナログ部や高速メモリー回路のセ
ンスアンプ部においては、外来の雑音あるいは、他の信
号配線との容量結合、電磁結合による雑音の影響を避け
るために、第４図のように微小信号の配線１と他の信号
配線１′を交差せず、十分な距離をとって配置するか、
又は、第５図に示すように、微小信号線１の絶縁膜を介
して上方にのみ接地された別の金属電極２を、微小信号
線１０大部分を覆うように配置していた。
上述した従来の雑音遮蔽あるいは回避技術においては、
半導体技術の進歩により微細化、多層配線化が進行する
に伴って微小信号配線の近隣には他の信号配線を配置で
きない為無駄領域が生じ１、また信号線のレイアウト設
計時に、微小信号配線と通常の信号配線を常に念頭にお
き、互いの交差が生じないようにしなければならない為
、レイアウトの複雑さを増大させる要因となってきた。
半導体技術の進歩により微細化、多層配線化が進行する
に伴って微小信号配線の近隣には他の信号配線を配置で
きない為無駄領域が生じ１、また信号線のレイアウト設
計時に、微小信号配線と通常の信号配線を常に念頭にお
き、互いの交差が生じないようにしなければならない為
、レイアウトの複雑さを増大させる要因となってきた。
例えば第４図の従来例においては、微小信号配線１の上
下に他の信号配線を配置することができないのはもちろ
んのことであるが、左右方向においても、相互の容量結
合による雑音の発生を防止するために、微小配線ｌと他
の信号配線１′の距離を狭めることができず、微細化の
障害となる欠点があり、また第５図の従来例においては
、電気機器のオン・オフの時に発生する雑音等の外来雑
音の遮蔽を目的を目的としているため、微小信号線１の
下方に配置された信号線からの雑音には無対策であると
いう欠点があった。
下に他の信号配線を配置することができないのはもちろ
んのことであるが、左右方向においても、相互の容量結
合による雑音の発生を防止するために、微小配線ｌと他
の信号配線１′の距離を狭めることができず、微細化の
障害となる欠点があり、また第５図の従来例においては
、電気機器のオン・オフの時に発生する雑音等の外来雑
音の遮蔽を目的を目的としているため、微小信号線１の
下方に配置された信号線からの雑音には無対策であると
いう欠点があった。
本発明の半導体装置は、微小信号配線の上下に遮蔽電極
を設ける、あるいは微小信号配線の上下及び両側面に遮
蔽電極を設ける、あるいは、微小信号配線の周囲を囲む
ように遮蔽電極を設けるという特徴を有している。
を設ける、あるいは微小信号配線の上下及び両側面に遮
蔽電極を設ける、あるいは、微小信号配線の周囲を囲む
ように遮蔽電極を設けるという特徴を有している。
したがって、外来の雑音はもとより、他の信号配線との
容量結合、電磁結合により生じる雑音をより効果的に遮
蔽することができる。
容量結合、電磁結合により生じる雑音をより効果的に遮
蔽することができる。
第１図（ａ）は、第１の実施例の平面図である。
微小信号配線１は接地された第１の遮蔽用電極２により
上面方向からの雑音より遮蔽され、また接地された第２
の遮蔽用電極３により下面方向からの雑音より遮蔽され
る。第１図（ｂ）は第１の実施例の第１図（ａ）におい
てＡ−Ａ’で切断した時の断面図である。第１図（ｃ）
は、第１図（ａ）の平面図でＡ−Ａ’に沿って微小信号
線１の上下で他の信号線を交差して配置した時のＡ−Ａ
’に沿った断面図を示したものである。微小信号線１は
上面を接地された第１の遮蔽用電極２により、下面を接
地された第２の遮蔽用電極３により覆われているため、
平面的には微小信号線１と交差する他の信号配線８およ
び９からの雑音の大部分は遮蔽されて微小信号線１には
達しない。
上面方向からの雑音より遮蔽され、また接地された第２
の遮蔽用電極３により下面方向からの雑音より遮蔽され
る。第１図（ｂ）は第１の実施例の第１図（ａ）におい
てＡ−Ａ’で切断した時の断面図である。第１図（ｃ）
は、第１図（ａ）の平面図でＡ−Ａ’に沿って微小信号
線１の上下で他の信号線を交差して配置した時のＡ−Ａ
’に沿った断面図を示したものである。微小信号線１は
上面を接地された第１の遮蔽用電極２により、下面を接
地された第２の遮蔽用電極３により覆われているため、
平面的には微小信号線１と交差する他の信号配線８およ
び９からの雑音の大部分は遮蔽されて微小信号線１には
達しない。
本実施例においては、横方向からの雑音の遮蔽は十分で
はないが、比較的小面積の使用で上下方向からの雑音に
対しては効果的に遮蔽できる。
はないが、比較的小面積の使用で上下方向からの雑音に
対しては効果的に遮蔽できる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。第
２の実施例においては、微小信号線ｌの上部に第１の遮
蔽用電極２を配置し、また下部に第２の遮蔽用電極３を
配置する点では第１の実施例と同様であるが、それに加
えて、微小信号線１０両側方にも遮蔽用電極２０をそれ
ぞれ設置することにより、第１図（ｂ）より更に効果的
に横方向からの雑音の影響を遮蔽することができる。
２の実施例においては、微小信号線ｌの上部に第１の遮
蔽用電極２を配置し、また下部に第２の遮蔽用電極３を
配置する点では第１の実施例と同様であるが、それに加
えて、微小信号線１０両側方にも遮蔽用電極２０をそれ
ぞれ設置することにより、第１図（ｂ）より更に効果的
に横方向からの雑音の影響を遮蔽することができる。
第３図は本発明の第３の実施例を示す断面図である。本
実施例においては第２図の実施例の上面の遮蔽用電極２
と側面の遮蔽用電極２０及び側面の遮蔽用電極２０と下
面の遮蔽用電極３との間にそれぞれスルーホール３０及
び３１を設けることにより、はぼ完全に微小信号配線１
を外来および周囲の信号配線に起因する雑音から遮蔽す
ることができる。
実施例においては第２図の実施例の上面の遮蔽用電極２
と側面の遮蔽用電極２０及び側面の遮蔽用電極２０と下
面の遮蔽用電極３との間にそれぞれスルーホール３０及
び３１を設けることにより、はぼ完全に微小信号配線１
を外来および周囲の信号配線に起因する雑音から遮蔽す
ることができる。
以上説明したように、本発明は、微小信号配線を、その
上下に又は上下と側面に；又は周囲を囲むように定電位
の遮蔽用電極を設置することにより、微小信号線への雑
音を遮蔽する効果がある。
上下に又は上下と側面に；又は周囲を囲むように定電位
の遮蔽用電極を設置することにより、微小信号線への雑
音を遮蔽する効果がある。
第１の実施例の場合は、横方向から洩れる雑音の遮蔽効
果は十分でないが比較的小占有面積で実現できるため、
微小信号でも比較的振幅が大きく完全な雑音遮蔽を要し
ない部分に用いる効果が大であり、第３の実施例の場合
は占有面積は太きくなるが、特に信号振幅が小さく、完
全な雑音遮蔽を要する部分に用いるに適している。第２
の実施例の雑音遮蔽能力と占有面積は上記両者の中間で
ある。
果は十分でないが比較的小占有面積で実現できるため、
微小信号でも比較的振幅が大きく完全な雑音遮蔽を要し
ない部分に用いる効果が大であり、第３の実施例の場合
は占有面積は太きくなるが、特に信号振幅が小さく、完
全な雑音遮蔽を要する部分に用いるに適している。第２
の実施例の雑音遮蔽能力と占有面積は上記両者の中間で
ある。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図、第１図
（ｂ）は本発明の第１の実施例の断面図、第１図（ｃ）
は本発明の第１の実施例で、他の信号配線と交差した場
合の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の断面図、
第３図は本発明の第３の実施例の断面図、第４図は従来
の信号線との結合に起因する雑音の回避策、第５図は従
来の外来雑音の遮蔽策を示す平面図である。 １・・・・・・微小信号金属配線、１’、 ８．９・・
・・・・通常振幅の信号金属配線、２．３．２０・・・
・・・遮蔽用金属電極、６・・・・・・絶縁膜、７・・
・・・・半導体基板、３０゜３１・・・・・・スルーホ
ール。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図（０−） 第１図Ｃｂ） 第４図 第、５図
（ｂ）は本発明の第１の実施例の断面図、第１図（ｃ）
は本発明の第１の実施例で、他の信号配線と交差した場
合の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の断面図、
第３図は本発明の第３の実施例の断面図、第４図は従来
の信号線との結合に起因する雑音の回避策、第５図は従
来の外来雑音の遮蔽策を示す平面図である。 １・・・・・・微小信号金属配線、１’、 ８．９・・
・・・・通常振幅の信号金属配線、２．３．２０・・・
・・・遮蔽用金属電極、６・・・・・・絶縁膜、７・・
・・・・半導体基板、３０゜３１・・・・・・スルーホ
ール。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図（０−） 第１図Ｃｂ） 第４図 第、５図
Claims (1)
- 微小信号線の少なくとも上方と下方に絶縁膜を介して定
電位の雑音遮蔽用電極を設けたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23551188A JPH0282531A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23551188A JPH0282531A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282531A true JPH0282531A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16987075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23551188A Pending JPH0282531A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282531A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880024A (en) * | 1994-12-26 | 1999-03-09 | Nec Corporation | Semiconductor device having wiring self-aligned with shield structure and process of fabrication thereof |
| JPH11103039A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 撮像装置 |
| US6023095A (en) * | 1997-03-31 | 2000-02-08 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacture method thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035537A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6151847A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPS61230340A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS63202941A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Nec Corp | 半導体装置の配線路 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23551188A patent/JPH0282531A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035537A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6151847A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPS61230340A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS63202941A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Nec Corp | 半導体装置の配線路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880024A (en) * | 1994-12-26 | 1999-03-09 | Nec Corporation | Semiconductor device having wiring self-aligned with shield structure and process of fabrication thereof |
| US6023095A (en) * | 1997-03-31 | 2000-02-08 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacture method thereof |
| JPH11103039A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 撮像装置 |
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